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程哲

作品数：35 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇矿业工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 13篇氮化
  • 12篇氮化物
  • 11篇化物
  • 8篇单晶
  • 8篇势垒
  • 8篇谐振器
  • 8篇金属
  • 6篇势垒层
  • 6篇HEMT器件
  • 5篇电极
  • 5篇晶体管
  • 5篇叉指电极
  • 5篇衬底
  • 5篇成核
  • 4篇电阻
  • 4篇肖特基
  • 4篇金属电极
  • 4篇兰姆波
  • 4篇沟道
  • 4篇二极管

机构

  • 35篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 35篇程哲
  • 30篇张韵
  • 27篇张连
  • 13篇王军喜
  • 12篇孙莉莉
  • 11篇李晋闽
  • 9篇杨帅
  • 8篇贾利芳
  • 4篇樊中朝
  • 4篇杨富华
  • 4篇何志
  • 4篇刘志强
  • 4篇刘喆
  • 4篇李迪
  • 4篇梁亚楠
  • 4篇王晓东
  • 2篇林德峰
  • 2篇王琳
  • 1篇王国宏
  • 1篇伊晓燕

传媒

  • 1篇电工技术学报

年份

  • 4篇2024
  • 2篇2023
  • 5篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 8篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
共 35 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
超宽禁带氮化物半导体外延材料与器件
氮化铝(AlN)材料为直接带隙材料，具有禁带宽度宽大、击穿电场强、带隙连续可调、辐射发光效率高、压电性能优异、声学传播损耗低等特点，是目前最具发展前景的一类超宽禁带氮化物半导体材料，可应用于先进高功率光电和声电器件的制备...
张韵艾玉杰张连程哲贾利芳刘喆
关键词：ALNALGAN
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三...
贾利芳何志刘志强李迪樊中朝程哲梁亚楠王晓东杨富华
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基于电子束曝光的T型栅制备方法
本发明公开了一种基于电子束曝光的T型栅制备方法，包括：通过在基底上覆盖敏感度不同的两层光刻胶，曝光并显影，得到栅足光刻掩模结构；在具有栅足光刻掩模结构的基底上沉积金属；剥离由两层光刻胶掩模形成的栅足金属结构，获得附着于基...
张韵何亚伟程哲张连
绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
本发明提供了一种氮化镓基绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中，该晶体管包括：n型集电区；p型基区，设置于n型集电区上，露出部分n型集电区；n型发射区，设置于p型基区上，露出部分p型基区；压控沟道层，设置于部分n型集电区上...
程哲张韵张连
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兰姆波谐振器及其制备方法
一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括自下而上的衬底、底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间还具有AlN成核层；衬底在正对底电极层的区域具有一凹槽，以使部分/全部的底电极...
艾玉杰杨帅张韵孙莉莉程哲张连贾丽芳王军喜李晋闽
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绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
本发明提供了一种氮化镓基绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中，该晶体管包括：n型集电区；p型基区，设置于n型集电区上，露出部分n型集电区；n型发射区，设置于p型基区上，露出部分p型基区；压控沟道层，设置于部分n型集电区上...
程哲张韵张连
兰姆波谐振器及其制备方法
一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括自下而上的衬底、底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间还具有AlN成核层；衬底在正对底电极层的区域具有一凹槽，以使部分/全部的底电极...
艾玉杰杨帅张韵孙莉莉程哲张连贾丽芳王军喜李晋闽
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HEMT器件及其制作方法
一种HEMT器件及制作方法，其制作方法包括：在外延片上形成介质掩膜；在介质掩膜上形成定义栅电极的栅足窗口的光刻胶；去除栅足窗口内的介质掩膜；形成栅电极的栅足和金属掩膜；在金属掩膜上形成具有裸露区域的光刻胶，定义非裸露区域...
张连张韵程哲
增强型高电子迁移率晶体管及制备方法、半导体器件
一种增强型高电子迁移率晶体管，包括栅极、源极、漏极、p型层、势垒层和设置在势垒层上的钝化层，钝化层上的部分区域设置有刻蚀至势垒层上表面形成的二次外延图形；势垒层还包括在所述图形的局部区域进一步向势垒层内刻蚀形成的凹槽；图...
黄宇亮程哲张连张韵王军喜李晋闽
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金属上单晶氮化物薄膜制备方法及体声波谐振器
本发明提出一种在金属上生长高质量单晶氮化物薄膜的方法：在金属上先采用低温磁控溅射技术制备AlN成核层，然后采用MOCVD技术制备高质量单晶氮化物薄膜。此外，在此基础上提出了一种单晶氮化物体声波谐振器结构，与常规多晶体声波...
孙莉莉张韵程哲张连王军喜李晋闽
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