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刘青明

作品数：9 被引量：13H指数：2
供职机构：太原理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金浙江省重点科技创新团队项目山西省基础研究计划项目更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 4篇氮化镓
  • 4篇气体传感
  • 4篇气体传感器
  • 4篇环境友好性
  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 2篇压电极化
  • 2篇掩模
  • 2篇掩模板
  • 2篇掩膜
  • 2篇掩膜版
  • 2篇载流子
  • 2篇中高温
  • 2篇退火
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇量子阱材料
  • 2篇六角形
  • 2篇绿光
  • 2篇晶格

机构

  • 9篇太原理工大学
  • 1篇激光科技有限...

作者

  • 9篇刘青明
  • 5篇许并社
  • 5篇韩丹
  • 4篇翟光美
  • 4篇桑胜波
  • 4篇李学敏
  • 3篇马淑芳
  • 2篇冀健龙
  • 2篇李强
  • 2篇张文栋
  • 2篇张强
  • 2篇张华
  • 2篇梅伏洪
  • 2篇王皓田
  • 1篇尚林
  • 1篇梁建
  • 1篇薛晋波
  • 1篇董海亮
  • 1篇贾志刚
  • 1篇卢太平

传媒

  • 1篇太原理工大学...
  • 1篇发光学报

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 4篇2016
  • 1篇2015
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种基于GaN基QDs薄膜的气体传感器及其制备方法
本发明属于气体传感器技术领域，涉及一种基于GaN基QDs薄膜的气体传感器及其制备方法，是利用MOCVD在衬底上不经高温退火处理的GaN成核层上生长掺杂有硅或镁和/或铝或铟的GaN基QDs薄膜，再在所述GaN基QDs薄膜上...
韩丹刘青明陈毅桑胜波许并社
一种三维氮化镓基呼出式气体传感器及其制备方法
本发明涉及一种三维氮化镓基呼出式气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域；本发明在蓝宝石衬底上外延二维非故意掺杂和n型GaN薄膜，再制备Ni/SiO<Sub>2</Sub>六角形掩膜版，在掩模板上外延生长高质量的N...
韩丹刘青明桑胜波冀健龙张强李强张文栋
文献传递
中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响被引量：2
2016年
利用金属有机气相化学沉积（MOCVD）技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响。利用芯片测试仪和原子力显微镜（AFM）表征了GaN基蓝光LED外延片的光电性能以及表面形貌。当中高温GaN插入层厚度从60 nm增加至100 nm时,V形坑尺寸从70-110 nm增加至110-150 nm。当注入电流为20 mA时,LED芯片的光功率从21.9 mW增加至24.1mW;当注入电流为120 mA时,LED芯片的光功率从72.4 mW增加至82.4 mW。对V形坑尺寸调控LED光电性能的相关物理机制进行了分析,结果表明：增大V形坑尺寸有利于增加空穴注入面积和注入效率,进而提高LED器件的光功率。
刘青明卢太平朱亚丹韩丹董海亮尚林赵广洲赵晨周小润翟光美贾志刚梁建马淑芳薛晋波李学敏许并社
关键词：氮化镓
一种InGaN基蓝绿光发光二极管外延结构及生长方法
本发明提供了一种InGaN基蓝绿光发光二极管的外延生长方法及其结构，其外延结构的生长方法包括以下具体步骤：将蓝宝石衬底在氨气气氛中进行高温退火处理，将温度降低至530‑580度，并调整外延生长气氛以生长低温InGaN成核...
翟光美李学敏梅伏洪张华马淑芳刘青明李小杜王皓田许并社
文献传递
一种三维氮化镓基呼出式气体传感器及其制备方法
本发明涉及一种三维氮化镓基呼出式气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域；本发明在蓝宝石衬底上外延二维非故意掺杂和n型GaN薄膜，再制备Ni/SiO<Sub>2</Sub>六角形掩膜版，在掩模板上外延生长高质量的N...
韩丹刘青明桑胜波冀健龙张强李强张文栋
文献传递
中高温插入层对GaN基蓝光LED光电性能的影响
GaN基LED器件具有发光效率高、能耗低、体积小、显色指数高等优点，在照明、显示等领域的应用越来越广泛。尽管GaN基蓝光LED中位错密度高达108-1010/cm-2，却有40-60％的光电转换效率，这引起科研工作者的兴...
刘青明
关键词：氮化镓位错密度光电性能
一种InGaN基蓝绿光发光二极管外延结构及生长方法
本发明提供了一种InGaN基蓝绿光发光二极管的外延生长方法及其结构，其外延结构的生长方法包括以下具体步骤：将蓝宝石衬底在氨气气氛中进行高温退火处理，将温度降低至530-580度，并调整外延生长气氛以生长低温InGaN成核...
翟光美李学敏梅伏洪张华马淑芳刘青明李小杜王皓田许并社
文献传递
高功率半导体激光器在金属材料加工中的应用被引量：11
2016年
高功率半导体激光器及其阵列具有体积小、质量轻、能耗低、光斑易调节、光电转换效率较高的优点,广泛应用于金属材料焊接、金属表面相变硬化和金属材料表面熔覆。利用高功率半导体激光器可以连续性焊接不同型号的合金钢,获得大面积深度均匀的相变硬化层,也能够精确控制熔覆层结构及其几何形状。
李学敏苏国强翟光美刘青明
关键词：高功率半导体激光器淬火激光熔覆
一种基于GaN基QDs薄膜的气体传感器及其制备方法
本发明属于气体传感器技术领域，涉及一种基于GaN基QDs薄膜的气体传感器及其制备方法，是利用MOCVD在衬底上不经高温退火处理的GaN成核层上生长掺杂有硅或镁和/或铝或铟的GaN基QDs薄膜，再在所述GaN基QDs薄膜上...
韩丹刘青明陈毅桑胜波许并社
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