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刘青明
作品数:
9
被引量:13
H指数:2
供职机构:
太原理工大学
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发文基金:
国家自然科学基金
浙江省重点科技创新团队项目
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相关领域:
电子电信
金属学及工艺
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合作作者
韩丹
太原理工大学新材料工程技术研究...
许并社
太原理工大学新材料工程技术研究...
李学敏
激光科技有限公司
翟光美
太原理工大学新材料工程技术研究...
桑胜波
太原理工大学
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太原理工大学
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激光科技有限...
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刘青明
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韩丹
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1篇
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一种基于GaN基QDs薄膜的气体传感器及其制备方法
本发明属于气体传感器技术领域,涉及一种基于GaN基QDs薄膜的气体传感器及其制备方法,是利用MOCVD在衬底上不经高温退火处理的GaN成核层上生长掺杂有硅或镁和/或铝或铟的GaN基QDs薄膜,再在所述GaN基QDs薄膜上...
韩丹
刘青明
陈毅
桑胜波
许并社
一种三维氮化镓基呼出式气体传感器及其制备方法
本发明涉及一种三维氮化镓基呼出式气体传感器及其制备方法,属于气体传感器技术领域;本发明在蓝宝石衬底上外延二维非故意掺杂和n型GaN薄膜,再制备Ni/SiO<Sub>2</Sub>六角形掩膜版,在掩模板上外延生长高质量的N...
韩丹
刘青明
桑胜波
冀健龙
张强
李强
张文栋
文献传递
中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响
被引量:2
2016年
利用金属有机气相化学沉积(MOCVD)技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响。利用芯片测试仪和原子力显微镜(AFM)表征了GaN基蓝光LED外延片的光电性能以及表面形貌。当中高温GaN插入层厚度从60 nm增加至100 nm时,V形坑尺寸从70-110 nm增加至110-150 nm。当注入电流为20 mA时,LED芯片的光功率从21.9 mW增加至24.1mW;当注入电流为120 mA时,LED芯片的光功率从72.4 mW增加至82.4 mW。对V形坑尺寸调控LED光电性能的相关物理机制进行了分析,结果表明:增大V形坑尺寸有利于增加空穴注入面积和注入效率,进而提高LED器件的光功率。
刘青明
卢太平
朱亚丹
韩丹
董海亮
尚林
赵广洲
赵晨
周小润
翟光美
贾志刚
梁建
马淑芳
薛晋波
李学敏
许并社
关键词:
氮化镓
一种InGaN基蓝绿光发光二极管外延结构及生长方法
本发明提供了一种InGaN基蓝绿光发光二极管的外延生长方法及其结构,其外延结构的生长方法包括以下具体步骤:将蓝宝石衬底在氨气气氛中进行高温退火处理,将温度降低至530‑580度,并调整外延生长气氛以生长低温InGaN成核...
翟光美
李学敏
梅伏洪
张华
马淑芳
刘青明
李小杜
王皓田
许并社
文献传递
一种三维氮化镓基呼出式气体传感器及其制备方法
本发明涉及一种三维氮化镓基呼出式气体传感器及其制备方法,属于气体传感器技术领域;本发明在蓝宝石衬底上外延二维非故意掺杂和n型GaN薄膜,再制备Ni/SiO<Sub>2</Sub>六角形掩膜版,在掩模板上外延生长高质量的N...
韩丹
刘青明
桑胜波
冀健龙
张强
李强
张文栋
文献传递
中高温插入层对GaN基蓝光LED光电性能的影响
GaN基LED器件具有发光效率高、能耗低、体积小、显色指数高等优点,在照明、显示等领域的应用越来越广泛。尽管GaN基蓝光LED中位错密度高达108-1010/cm-2,却有40-60%的光电转换效率,这引起科研工作者的兴...
刘青明
关键词:
氮化镓
位错密度
光电性能
一种InGaN基蓝绿光发光二极管外延结构及生长方法
本发明提供了一种InGaN基蓝绿光发光二极管的外延生长方法及其结构,其外延结构的生长方法包括以下具体步骤:将蓝宝石衬底在氨气气氛中进行高温退火处理,将温度降低至530-580度,并调整外延生长气氛以生长低温InGaN成核...
翟光美
李学敏
梅伏洪
张华
马淑芳
刘青明
李小杜
王皓田
许并社
文献传递
高功率半导体激光器在金属材料加工中的应用
被引量:11
2016年
高功率半导体激光器及其阵列具有体积小、质量轻、能耗低、光斑易调节、光电转换效率较高的优点,广泛应用于金属材料焊接、金属表面相变硬化和金属材料表面熔覆。利用高功率半导体激光器可以连续性焊接不同型号的合金钢,获得大面积深度均匀的相变硬化层,也能够精确控制熔覆层结构及其几何形状。
李学敏
苏国强
翟光美
刘青明
关键词:
高功率半导体激光器
淬火
激光熔覆
一种基于GaN基QDs薄膜的气体传感器及其制备方法
本发明属于气体传感器技术领域,涉及一种基于GaN基QDs薄膜的气体传感器及其制备方法,是利用MOCVD在衬底上不经高温退火处理的GaN成核层上生长掺杂有硅或镁和/或铝或铟的GaN基QDs薄膜,再在所述GaN基QDs薄膜上...
韩丹
刘青明
陈毅
桑胜波
许并社
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