徐世海
- 作品数：39 被引量：7H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学机械工程金属学及工艺更多>>
- 一种用于氧化镓晶体的防解理加工方法
- 本发明设计了一种用于氧化镓晶体的防解理加工方法，将一片2英寸氧化镓切割单晶片粘贴在陶瓷盘中心上，使用2000#树脂金刚石砂轮，打开冷却液，冷却液体积配比是纯水：双氧水，启动金刚石砂轮转速，再启动工件转速，当工件到达结束位...
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- 一种用于异形晶片的承载装置
- 本发明公开了一种用于异形晶片的承载装置，包括连接杆、侧板、提栏和支杆，两根连接杆连接固定两块侧板，一根连接杆连接固定提栏的上端，提栏的下端分别固定在侧板上；侧板上设有用于调节两根支杆间距，承载不同尺寸晶片的侧板轨道，支杆...
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- 一种用于硒化镉晶体的化学机械抛光方法
- 本发明公开了一种用于抛光硒化镉晶体的化学机械抛光方法。该方法分为两步，通过采用配制的粗抛光液、精抛光液先后进行粗抛光和精抛光，控制抛光液流速、抛光压力、抛光转速和抛光时间，以解决晶体表面划痕、凹坑等表面损伤问题，实现短周...
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- 用于氮化铝单晶抛光片（0001）面的极性面区分方法
- 本发明涉及一种用于氮化铝单晶抛光片（0001）面的极性面区分方法，将100份去离子水中加入5~10份乙胺、15~30份6508异丙醇酰胺，使溶液混合均匀；将盛有混合溶液的烧杯置于加热台上，加热至60~70℃，用塑料镊子夹...
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- 氮化铝单晶片电解抛光及化学机械抛光相结合的抛光方法
- 一种氮化铝单晶片电解抛光及化学机械抛光相结合的抛光方法，电解抛光的抛光液由以下原料制成：6%‑7%氨基磺酸、0.5%‑1%草酸、0.5%‑1.5%EDTA、91.5%‑92%去离子水；电解抛光完成后，用石英蜡将氮化铝单晶...
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- 一种用于锑化镓单晶片的抛光方法
- 本发明公开了一种用于锑化镓单晶片的抛光方法。粗抛光采用氧化铈抛光垫，抛光液中含有粒径为W1的氧化铝磨料，压力100~200 g/cm<Sup>2</Sup>，转速10~40转/分钟，流量10‑50 mL/min；中抛光采...
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- 一种利用合成树脂锡盘的碳化硅单晶片化学机械抛光方法
- 本发明涉及一种利用合成树脂锡盘的碳化硅单晶片化学机械抛光方法。碳化硅单晶片的化学机械抛光采用合成树脂锡盘，根据碳化硅单晶片的厚度和抛光去除量，确定采用合成树脂锡盘刻槽的宽度和深度，采用带修面研磨机对合成树脂锡盘进行修面和...
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- 一种快速生长InSb单晶的方法
- 本发明公开了一种快速生长InSb单晶的方法。选取一个InSb单晶晶锭作为引晶晶锭，晶锭底部的宽颈部分直径不小于50mm；对底部进行切磨抛处理：将籽晶方柱上端固定在籽晶杆上，并连接于提拉装置上；将晶体底部的宽颈部位浸入熔体...
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- 一种大尺寸的CdS单晶片的减薄工艺
- 本发明涉及一种大尺寸的CdS单晶片的减薄工艺，三片2英寸CdS单晶片粘贴在陶瓷盘上，用1200#树脂金刚石砂轮，打开冷却液纯水，启动砂轮转速，再启动工件转速，工件到达结束位置时，保持空转30s；用5000#树脂金刚石砂轮...
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- β-Ga_2O_3(100)面的CMP研究及优化被引量：4
- 2017年
- 主要研究了Czochralski法生长的β-Ga_2O_3单晶片的化学机械抛光(CMP)。采用酸性硅溶胶溶液作为抛光液,对经过切割、机械抛光后的10 mm×10 mmβ-Ga_2O_3单晶片进行了CMP实验。通过金相显微镜观察到4 h的抛光过程中,单晶片表面逐渐平坦化,经原子力显微镜(AFM)测试,单晶片的表面粗糙度达到了0.174 nm。在采用AxDyOz和LClk的混合酸性溶液对β-Ga_2O_3单晶片进行抛光后,获得了更好的晶片表面状态和去除速率。通过实验得出,在采用酸性硅溶胶溶液对β-Ga_2O_3单晶片进行CMP时,单晶片表面被酸性溶液腐蚀,然后通过SiO_2粒子的磨削作用使表面达到平坦化。而优化实验中,采用AxDyOz和LClk混合酸性溶液中原位产生的DlOm粒子作为磨粒,抛光效果更佳。
- 徐世海李晖高飞练小正朱磊陈阳
- 关键词：氧化镓抛光液平坦化硅溶胶
