郝勇
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子物理与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- PIN二极管热效应研究
- 为了研究了PIN二极管电热学效应,通过T-CAD软件建立PIN二极管的电热学模型,模拟了PIN二极管的瞬态特性。研究了PIN二极管器件脉冲电压下的电热特性,分析了PIN二极管的载流子浓度与温度的关系,模拟得到了不同载流子...
- 戚玉佳李永东郝勇王洪广李平刘纯亮
- 关键词：PIN二极管电热特性脉冲电压
- 文献传递
- PIN二极管热效应研究被引量：1
- 2014年
- 为了研究了PIN二极管电热学效应,通过T-CAD软件建立PIN二极管的电热学模型,模拟了PIN二极管的瞬态特性。研究了PIN二极管器件脉冲电压下的电热特性,分析了PIN二极管的载流子浓度与温度的关系,模拟得到了不同载流子浓度下与瞬态响应曲线、得到了与器件内部温度的关系。模拟结果表明:随着载流子浓度增大,器件内部温度增长越快,器件达到失效状态的时间越短。
- 戚玉佳李永东郝勇王洪广李平刘纯亮
- 关键词：PIN二极管电热特性脉冲电压
- 半导体断路开关输出预脉冲的产生机理及其参数影响规律
- 2018年
- 半导体断路开关的输出电压中的预脉冲现象,严重影响了整个系统的输出脉冲前沿陡度和重复频率。针对半导体断路开关在反向截断过程中预脉冲产生的过程和机理进行了研究。利用Silvaco Atlas仿真软件对半导体断路开关正反向泵浦过程中载流子的迁移和电场的变化过程进行了详细考察,发现预脉冲的产生是由双边截断过程中N-N^+结截断所引起的脉冲前沿变缓现象,其长短主要取决于P型轻掺杂区内的少子电子的迁移率,而脉冲前沿的陡度则取决于双边截断过程中的PN结截断过程。同时,对具有不同基区长度的器件,对其在不同泵浦电流密度下的情况进行了模拟和对比,发现器件基区越窄,脉冲前沿越陡,而预脉冲基本相等;低电流密度条件下只发生N-N^+结单边截断,大电流密度条件下则发生双边截断,而双边截断的延迟更长,但脉冲前沿拐点更陡,截断更快。
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- 关键词：半导体断路开关预脉冲脉冲前沿迁移率
