您的位置： 专家智库 > >

刘白

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 12篇纳米
  • 9篇纳米管
  • 8篇单壁
  • 8篇单壁碳纳米管
  • 8篇电器件
  • 8篇雪崩
  • 8篇阵列
  • 8篇碳纳米管
  • 8篇纳米材料
  • 8篇光电
  • 8篇光电器件
  • 8篇二极管
  • 8篇复合材料
  • 8篇半导体
  • 8篇半导体光电
  • 8篇半导体光电器...
  • 8篇垂直阵列
  • 8篇复合材
  • 7篇碳纳米材料
  • 6篇石墨烯纳米带

机构

  • 22篇北京工业大学

作者

  • 22篇刘白
  • 21篇郭霞
  • 21篇李冲
  • 20篇董建
  • 20篇刘巧莉
  • 12篇范修军
  • 4篇马云飞

年份

  • 1篇2018
  • 8篇2017
  • 2篇2016
  • 11篇2015
共 22 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种具有自熄灭自恢复功能的雪崩光电二极管
一种具有自熄灭自恢复功能的雪崩光电二极管涉及半导体光电器件领域。包括有依次纵向层叠的第一n型层(101)、第二n型层(102)、电荷倍增区(104)、p型层(105)和衬底(106)，其特征在于：第一n型层(101)、第...
郭霞刘巧莉李冲董建刘白
文献传递
一种石墨烯纳米带垂直阵列-碳化钼纳米晶体复合材料、制备及其应用
一种石墨烯纳米带垂直阵列-碳化钼纳米晶体复合材料、制备及其应用，属于碳化钼碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长石墨烯纳米带阵列，石墨烯纳米带阵列的顶端为六方相的碳化钼纳米晶体。先在硅片上垂直生长纳米管阵列，然后在制成垂直的...
郭霞范修军李冲刘巧莉董建刘白
文献传递
一种垂直石墨烯纳米带、制备与在制备超级电容器中的应用
一种垂直石墨烯纳米带、制备与在制备超级电容器中的应用，属于碳纳米材料制备技术领域。底层为硅片，硅片上为垂直石墨烯纳米带，石墨烯纳米带由单壁碳纳米管展开而来，石墨烯纳米带依然保持与硅片垂直状态。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米...
郭霞范修军李冲刘白刘巧莉董建
文献传递
一种波导对接耦合型吸收倍增分离雪崩二极管
一种波导对接耦合型吸收倍增分离雪崩二极管涉及半导体光电器件领域以及光互联领域，能够对微弱通信光信号进行探测。包括有p<Sup>+</Sup>型欧姆接触电极(101)，p<Sup>+</Sup>欧姆接触层(102)，吸收层...
李冲郭霞刘巧莉董建刘白马云飞
文献传递
一种铁族碳化物纳米晶体‑石墨烯纳米带复合材料、制备及其应用
一种铁族碳化物纳米晶体‑石墨烯纳米带复合材料、制备及其应用，属于碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长石墨烯纳米带阵列，石墨烯纳米带阵列的顶端为铁族碳化物纳米晶体，铁族碳化物纳米晶体为Fe<Sub>3</Sub>C、Co<S...
郭霞范修军李冲刘巧莉董建刘白
文献传递
一种自熄灭自恢复雪崩光电二极管
一种自熄灭自恢复雪崩光电二极管涉及半导体光电器件领域，与传统结构不同，具备自动熄灭然后自动恢复的特点。本发明包括有依次纵向层叠的n型层(102)，电荷倍增区(103)，p型层(104)，衬底(106)，其特征在于，还包括...
郭霞李冲刘巧莉董建刘白
文献传递
用于产生太赫兹波、微波的双共振垂直腔面发射激光器结构
用于产生太赫兹波、微波的双共振垂直腔面发射激光器结构涉及光电子器件领域。本发明从下至上依次包括下金属电极、n型衬底、下分布反馈布拉格反射镜、n型相位匹配层、增益区、p型相位匹配层、上分布反馈布拉格反射镜、钝化层、上金属电...
郭霞刘白李冲
文献传递
一种制备3C-SiC纳米盘、制备方法
一种制备3C-SiC纳米盘、制备方法，属于碳化硅碳纳米材料制备领域。所述的SiC纳米颗粒为圆盘型，直径为5-30nm，高度为1.5-5nm。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管垂直阵列的顶层蒸镀Si层；在单...
郭霞范修军李冲董建刘白刘巧莉
文献传递
一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用
一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用，属于碳纳米材料技术领域。底层为硅片，硅片上为垂直单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳纳米洋葱结构。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵...
郭霞范修军李冲刘白刘巧莉董建
文献传递
一种制备3C‑SiC纳米盘、制备方法
一种制备3C‑SiC纳米盘、制备方法，属于碳化硅碳纳米材料制备领域。所述的SiC纳米颗粒为圆盘型，直径为5‑30nm，高度为1.5‑5nm。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管垂直阵列的顶层蒸镀Si层；在单...
郭霞范修军李冲董建刘白刘巧莉
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0