何力
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子物理与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 电化学氧化对多孔硅电子源形貌和发射特性的影响
- 多孔硅二极管具有电子发射能力并有望用于显示器件,但由于显示器件的基底以玻璃为主,多孔硅的氧化不宜采用半导体器件工艺中常用的高温快速热氧化(Rapid Thermal Oxidation,RTO)。电化学氧化(Electr...
- 王文江张霄何力张小宁
- 腐蚀量及氧化方式对多孔硅电子源发射特性的影响
- 论文选取腐蚀量Q为30、45、60和90mA·min及电化学恒压氧化方式制备了四种多孔硅电子源,测试结果表明,Q=45mA.min时电子源的发射电流密度和发射效率最高,其最大值分别为62.40μA/cm2和36.00％....
- 何力张霄张小宁王文江
- 文献传递
- 阴极还原对多孔硅电子源发射特性的影响
- 论文使用脉冲腐蚀和恒流腐蚀制备了两种不同结构的多孔硅,通过采用正负极对调并加恒定电流若干时间的阴极还原方法,研究了阴极还原对多孔硅电子源发射特性的影响.实验结果表明,阴极还原通过钝化多孔硅的高活性表面,消除了悬挂键与缺陷...
- 张霄王文江何力张小宁
- 文献传递
- 多孔硅层结构和氧含量分布对电子发射特性的影响
- 2015年
- 为了研究较厚的多孔硅层结构及氧化分布对电子发射特性的影响,采用恒流和脉冲腐蚀制备了单层和多层结构的多孔硅,并对这两种结构的多孔硅分别进行定场强和变场强电化学氧化。根据扫描电子显微镜和X射线能谱仪对多孔硅结构和氧含量分布的测量结果,以及对电子发射特性和所提出的多孔硅电子源模型的比较和分析,结果发现:孔隙率交替变化的多层多孔硅结构可以优化电场分布,变场强的电化学氧化使氧含量分布均匀,电子在发射时可以得到持续加速和收敛。单层结构的多孔硅经过定场强电化学氧化后,氧含量分布上层高而下层低,电子不能得到持续加速且具有散射的特点。变场强氧化的多层多孔硅电子发射特性优于定场强氧化的单层多孔硅电子源。
- 何力张小宁张霄王文江
- 关键词：电化学腐蚀电化学氧化
