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周长青

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：黑龙江大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇微波消解
  • 2篇纳米复合材料
  • 2篇固体混合物
  • 2篇复合材料
  • 2篇SUB
  • 2篇复合材
  • 1篇氧化镓
  • 1篇去离子
  • 1篇微波场
  • 1篇无色
  • 1篇无色透明
  • 1篇纳米复合物
  • 1篇光催化
  • 1篇光催化性
  • 1篇光催化性能
  • 1篇复合物
  • 1篇SIC
  • 1篇GA
  • 1篇场作用

机构

  • 3篇黑龙江大学

作者

  • 3篇周长青
  • 2篇陈鹏刚
  • 2篇辛柏福
  • 2篇王虹
  • 2篇吴杰

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种β-Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/SiC纳米复合材料的制备方法
一种β-Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/SiC纳米复合材料的制备方法。本发明涉及一种β-Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/SiC纳米复合材料的制备方法。本发明是为解决现有方法...
辛柏福周长青陈鹏刚王虹吴杰
一种β‑Ga&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;O&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;/SiC纳米复合材料的制备方法
一种β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/SiC纳米复合材料的制备方法。本发明涉及一种β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/SiC纳米复合材料的制备方法。本发明是为解决现有方法...
辛柏福周长青陈鹏刚王虹吴杰
文献传递
微波场作用下高活性β-Ga2O3/SiC纳米复合物的制备及性能
宽带隙(4.2-4.9eV) Ga2O3半导体材料由于具有很强的氧化还原性，在光催化领域具有其他氧化物半导体不可比拟的优越性能，成为当前研究热点之一。　　为了克服目前制备的β-Ga2O3粒径大、制备工艺复杂等缺点。本论文...
周长青
关键词：微波场纳米复合物氧化镓光催化性能
文献传递
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