高晓平
- 作品数：31 被引量：51H指数：5
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- 相关领域：自动化与计算机技术理学电子电信一般工业技术更多>>
- 利用被钉扎层调控自旋阀的磁电阻值被引量：2
- 2014年
- 利用高真空直流磁控溅射仪,在玻璃衬底上制备了结构为"Glass/Ta(6nm)/NiFe(6nm)/CoFe(1nm)/Cu(3nm)/CoFe(t nm)/IrMn(11nm)/Ta(6nm)"的自旋阀.研究了被钉扎层CoFe的厚度t对自旋阀磁性能的影响,当t为7.5nm时自旋阀主要性能达到最佳,并且在外加磁场4 000Oe下,270℃保温3h退火处理后,自旋阀的GMR值进一步达到5.5%,自由层矫顽力为3Oe,交换偏置场为130Oe.通过以上的优化方案,可以研制出高磁电阻率、低矫顽力和大交换偏置场的自旋阀.
- 高晓平宋玉哲韩根亮张彪刘肃
- 关键词：自旋阀退火
- 一种FRET免疫探针及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种FRET免疫探针及其制备方法和应用，属于分析检测技术领域，解决如何提高检测灵敏度和选择性的问题。本发明探针由蛋白G包覆的羧基磁珠以及荧光素和淬灭剂标记的抗原‑抗体偶联复合物制备而成。制备方法：用1‑乙基‑...
- 刘一丹左显维冯治棋韩根亮高晓平宋玉哲刘斌
- 一种可用于巨磁阻传感器退火的方法与结构
- 本发明公开了一种可用于巨磁阻传感器退火的方法与结构，包括在基底上制备了由两层铁磁层和中间隔离层构成的MR结构。MR结构的其中一层铁磁层为被钉扎层，其磁化方向将在后续操作中被固定。在MR结构上沉积一层绝缘层之后，再在其上面...
- 宋玉哲韩根亮张彪高晓平
- 文献传递
- 一种利用h线激光直写机进行i线SU8系列光刻胶曝光的方法
- 本发明公开了一种利用h线激光直写机进行i线SU8系列光刻胶曝光的方法，属于半导体领域。包括如下步骤：在覆盖有功能层的衬底上涂覆SU8系列光刻胶，所述光刻胶完整覆盖整个功能层表面；对涂覆有SU8系列光刻胶的样品进行曝光前烘...
- 谭稀史鑫强进高晓平卢启海王向谦宋玉哲韩根亮
- 文献传递
- 一种接口芯片掉电保护电路及方法
- 本发明公开了一种接口芯片掉电保护电路及方法，电路包括电源芯片保护子电路、上拉功率管保护子电路和衬底电位生成子电路；其中，电源芯片保护子电路的第一输入端作为接口芯片掉电保护电路的输入端，电源芯片保护子电路的第一输出端和第二...
- 高晓平员朝鑫谭稀何开宙韩根亮
- 文献传递
- SnO_2纳米颗粒的水热法和溶胶-凝胶法制备及其气敏特性被引量：6
- 2012年
- 通过不同条件的水热法和溶胶-凝胶技术分别制备了单分散SnO2纳米粉体。利用X射线衍射、透射电子显微镜和比表面积分析仪对产物进行了检测,采用静态配气法测试了样品的气敏性能。结果表明,水热时间越长,颗粒尺寸越大,以反应时间为6 h制备的粉体比表面积最大;溶胶-凝胶产物中,以SnCl2的乙醇溶液为原料制得的颗粒克服了热处理过程中产物易团聚的问题,颗粒尺寸均匀,具有良好的分散性和较高的比表面积。两种方法制备的粉体均对酒精具有良好的灵敏度,SnCl2的乙醇溶液为原料、溶胶-凝胶技术获得的材料对酒精的灵敏度更高,并认为热处理过程中Cl-的去除是导致材料气敏性能不同的主要因素。
- 韩根亮宋玉哲刘国汉席彩红王运福高晓平刘东妮李有祥
- 关键词：二氧化锡溶胶-凝胶法水热法气敏特性
- 一种CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路及方法
- 本发明公开了一种CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路及方法，电路包括电源芯片保护子电路和衬底电位生成子电路；本发明的CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路不要求工艺具有特殊器件，在标准CMOS工艺下即可实现，且电路结构...
- 高晓平谢明玲王向谦员朝鑫韩根亮
- 文献传递
- 基于锑掺杂的高灵敏度纳米SnO_2气体传感器被引量：1
- 2009年
- 采用非水溶剂溶胶-凝胶法制备了粒径为10 nm左右的SnO_2基纳米气敏材料,制作成烧结型气体传感器,通过锑的掺杂来提高纳米SnO_2气体传感器的灵敏度和选择性,结果表明,锑的掺杂百分比为0.045%时,传感器对酒精的灵敏度最大,并对酒精显示出良好的选择性和响应恢复特性。
- 高晓平刘东妮王运福韩根亮刘国汉
- 关键词：纳米SNO2高灵敏度选择性
- 非水溶剂溶胶-凝胶法制备纳米SnO_2被引量：2
- 2007年
- 以乙二醇为溶剂、SnCl4·5H2O为原料用溶胶凝胶法制备了SnO2粉体材料。用X射线衍射和透射电子显微镜对材料进行了检测和表征,所得SnO2粉末具有良好的分散性,最小晶粒粒径为9.5nm。探讨了初始反应物浓度和聚合温度对晶粒粒径的影响。
- 王运福高晓平张红霞李工农韩根亮刘国汉
- 关键词：溶胶-凝胶法SNO2聚合温度
- SnO2纳米粉体的水热制备及其气敏性能研究被引量：9
- 2009年
- 以SnCl2·2H2O为原料,草酸为络合剂,CTAB作为保护剂和分散剂,水热法制备了粒度均匀的SnO2纳米粉体。采用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)检测了产物的晶体结构和粒径分布。结果表明,所制得的SnO2为四方金红石结构,水热反应6h所得产物粒径均一,约为6nm,分散性好。研究了不同反应时间所制备的产物对酒精的气敏性能,发现产物对酒精的气敏性能比市售酒敏传感器优良,水热反应6h所得粉体对酒精的响应最好。
- 刘伟宋玉哲喇培清刘国汉席彩红高晓平刘东妮韩根亮
- 关键词：二氧化锡纳米粉体水热法气敏性能
