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张建军: 作品数：23 被引量：19H指数：3; 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中国科学院战略性先导科技专项更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

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硅衬底上有序锗纳米线及其制备方法和应用: 本发明提供一种硅衬底上有序锗纳米线，包括表面具有周期性凹槽结构和平台结构的硅衬底、位于所述硅衬底上的硅锗层以及位于所述硅锗层上的纯锗层。本发明还提供一种制备本发明的硅衬底上有序锗纳米线的方法，包括以下步骤：(1)在硅衬底...; 张建军高飞; 文献传递

面向高性能计算的低温芯片技术:发展和挑战: 2024年; 过去60多年,集成电路技术的进步推动了电子信息领域的快速发展.随着工艺制程进入纳米阶段,通过微缩化技术进一步提升器件和电路的性能需要克服技术和成本方面的多重挑战.探寻新的器件、设计和架构技术是高性能计算领域解决当下瓶颈的必然路径.低温芯片技术,利用晶体管低温下电学性能的提升,可以进一步提高逻辑芯片的算力并降低动态和静态功耗,由于和现有集成电路技术兼容性较高,是低成本实现更高性能计算的理想技术路线之一.此外,随着量子计算技术的发展,可扩展的大规模量子芯片需要和极低温互补金属氧化物半导体CMOS电路以及存储芯片实现片上集成,进而实现更高效的数据处理.本文面向高性能计算应用,从器件表征、模型、仿真和设计、应用等多个层面,分析并总结了低温芯片技术领域的发展历程、理论基础和技术挑战,并给出针对性的解决方案和建议,有助于推动我国在低温芯片技术领域的持续发展.; 程然李博王宗巍张结印单伟伟张建军张建军蔡一茂; 关键词：低温电子学量子计算

一种悬浮脊形波导结构及其制备方法: 提供一种悬浮脊形波导结构，该结构包括：脊形波导，其由具有三阶非线性系数的材料构成，该三阶非线性系数大于等于2.7×10‑20m2/W；用于支撑脊形波导的悬浮支撑结构，其材料与脊...; 王霆丛慧冯琦张建军; 文献传递

半导体量子计算芯片: 2024年; 近年来,量子计算受到国内外越来越广泛的关注,美国、欧洲、日本和澳大利亚等国都投入了大量资金,量子计算应用研究成果开始涌现.在众多的量子计算物理系统中,半导体量子计算因具有与现有集成电路工艺兼容及可扩展、可集成的优点而备受重视.本文在介绍国内外半导体量子计算研究进展的基础上,探讨半导体量子计算发展中面临的关键科学技术难题,以及未来半导体量子计算规模化、集成化、产线化的发展趋势.; 张建军李海欧郭国平; 关键词：硅锗量子点量子比特量子计算

锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用: 本发明提供一种锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构，其包括具有图形结构的锗衬底、位于所述锗衬底上的具有无原子台阶锗表面的锗层，以及位于所述锗层上的砷化镓层。本发明还提供一种制备本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构...; 张建军黄鼎铭

一种悬浮脊形波导结构及其制备方法: 提供一种悬浮脊形波导结构，该结构包括：脊形波导，其由具有三阶非线性系数的材料构成，该三阶非线性系数大于等于2.7×10‑20m2/W；用于支撑脊形波导的悬浮支撑结构，其材料与脊...; 王霆丛慧冯琦张建军; 文献传递

GaAs(001)图形衬底上InAs量子点的定位生长被引量：3: 2019年; InAs/GaAs量子点是重要的单光子源,位置可控量子点对实现可寻址易集成的高性能量子点光源具有重要意义.本文详细研究了氢原子条件下GaAs (001)图形衬底的低温脱氧过程,低温GaAs缓冲层生长中沟槽形貌的演化过程,以及沟槽形貌对量子点形核位置的影响.发现GaAs衬底上纳米沟槽侧壁的倾斜角较小时, InAs量子点会优先生长于沟槽底部;当沟槽的侧壁倾斜角较大时, InAs量子点则会优先生长于沟槽两侧的外边沿位置.此外,本文还研究了纳米孔洞侧壁的倾斜角对量子点成核位置的影响,实现了双量子点分子和四量子点分子的定位生长.; 王海玲王霆张建军; 关键词：INAS量子点图形衬底

硅和锗量子计算材料研究进展被引量：3: 2021年; 半导体量子点量子计算是实现固态量子计算的重要途径之一,高质量量子计算材料制备是其中的关键.硅和锗材料能够实现无核自旋的同位素纯化,满足量子比特对长退相干时间的要求,同时与当前的硅工艺兼容,是实现半导体量子计算的重要材料平台.本文首先概述了近年来半导体量子点量子计算领域取得的重要进展,然后详细介绍了硅基硅/硅锗异质结、锗/硅锗异质结以及锗/硅一维线的制备方法、材料性质以及相应量子器件的研究进展,最后对需要解决的关键技术问题以及未来的发展方向进行了展望.; 张结印高飞张建军; 关键词：硅锗异质结纳米线量子计算

硅基光电异质集成的发展与思考被引量：5: 2022年; 光电子器件与传统微电子硅基互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片的集成是未来信息技术的重要发展方向。现有硅基光电子集成技术得益于CMOS技术高集成度、低成本的优势,但主要采用硅材料制成,受限于硅材料本身的光电性质。硅基光电异质集成技术在利用CMOS晶圆制造优势的同时可兼容更多性能优异的光电异质材料,是未来光电集成技术的主要发展方向。文章介绍了该方向世界范围内的飞速发展形势及我国在该领域的研究基础,探讨了该领域未来的发展趋势和蕴藏的重要创新机遇。; 王子昊王霆张建军; 关键词：光电集成

硅基量子计算材料与光电子材料: 锗具有已知半导体最高的空穴迁移率，锗/硅具有强自旋轨道相互作用和弱超精细相互作用，是构造量子比特的理想系统，理论预言在该系统中甚至可以观测到新奇量子态如Majorana费米子。报告的第一部分我将介绍一种可大规模定位生长晶...; 张建军; 关键词：硅基材料量子结构量子计算光电子器件