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陈寿面: 作品数：134 被引量：9H指数：2; 供职机构：上海集成电路研发中心更多>>; 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术交通运输工程建筑科学更多>>

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一种无应力电化学抛光铜时去除二氧化硅的方法: 本发明公开了一种无应力电化学抛光铜时去除二氧化硅的方法，在超低介电材料的双大马士革集成工艺中，通过将传统的铜化学机械抛光法与新型的铜无应力电化学抛光法相结合运用，在采用化学机械抛光粗研磨去除大部分铜层后，再采用无应力电化...; 胡正军李铭陈寿面赵宇航周炜捷; 文献传递

高压集成电路中的HV MOS晶体管BSI M3 I-V模型改进被引量：1: 2006年; 针对SPICEBSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HVMOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I V模型改进.研究中使用AgilentICCAP测量系统对HV MOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻Rds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了Rds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vds参数δ的栅压调制因子δ1,δ2,在开放的SPICE和BSIM3v3源代码上对模型库文件进行修改并实现了优化.仿真结果表明采用改进后的模型,在ICCAP下的测量曲线与参数提取后的I V仿真曲线十分吻合,该模型大大提高了BSIM3I V模型模拟HVMOS晶体管时的精确度,对于高压集成电路的设计与仿真有着极其重要的意义.; 任铮石艳玲胡少坚金蒙朱骏陈寿面赵宇航; 关键词：BSIM3模型 SPICE HV MOS晶体管

光学邻近校正方法: 本发明提供一种光学邻近校正方法，包括：利用光学邻近校正算法将版图图形的边缘分解成多个片段，在每个片段中取一点作为相邻环境探测点；计算每个片段的相邻环境探测点的成像信号值集合{S1，S2</...; 时雪龙赵宇航陈寿面李铭; 文献传递

高介电常数栅介质TiO2/Al2O3堆栈结构薄膜: 一种高介电常数栅介质TiO2/Al2O3堆栈结构薄膜，由Al2O3缓冲层、TiO2层组成...; 凌惠琴陈寿面李明毛大立杨春生; 文献传递

STT－MRAM存储单元: 本发明提供一种STT‑MRAM存储单元，包括选择晶体管、铁磁金属自由层和铁磁金属固定层，所述选择晶体管包括衬底、埋氧层、第一掺杂区、第二掺杂区和栅极，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区在所述埋氧层上，所述铁磁金属自由层设置在...; 尚恩明胡少坚陈寿面; 文献传递

一种相变存储器及其制备方法: 本发明公开的一种相变存储器，自下而上包括衬底、掺杂层、二极管和相变电阻，其中，所述衬底的上方为掺杂层，所述掺杂层和衬底中包括至少两个浅沟槽隔离；所述二极管位于两个浅沟槽隔离之间，所述二极管包括第一二维晶体膜和第二二维晶体...; 钟旻陈寿面李铭; 文献传递

高密度相变存储器及其制备方法: 本发明公开了一种高密度相变存储器，自下而上包括：肖特基二极管，相变层和上电极，肖特基二极管包括半导体层和与半导体层形成肖特基势垒的金属层，金属层同时作为相变层的下电极；半导体层，金属层，相变层和上电极为自下而上相叠设的平...; 钟旻陈寿面李铭; 文献传递

一种半导体器件含氮栅氧化硅层结构及其制造工艺: 栅氧化硅层的制备工艺是集成电路制造工艺中的关键工艺技术。在常规栅氧化硅中掺入少量的氮元素可以改善栅氧化硅的特性。本发明利用快速退火炉(RTO)能够很精确地控制元素扩散的特性，用多步氧化、退火(扩散)的方法，一层一层地生长...; 陈寿面; 文献传递

一种红外探测器合并结构及其合并方法: 一种红外探测器合并结构及其合并方法，该红外探测器合并结构包括像素阵列和控制单元，当需要相邻两行合并时，像素阵列中的相邻两行中一行的同行选通开关、像元、同列选通开关和第一盲元，依次串接在电源和接地端之间，像素阵列中的相邻两...; 康晓旭陈寿面

一种InSe晶体管及其制备方法: 本发明公开了一种InSe晶体管，包括：栅极；位于栅极上的栅极介电层；位于栅极介电层上的晶体生长衬底层；位于栅极上方的晶体生长衬底层上的InSe薄膜沟道层；围绕InSe薄膜沟道层的InSe保护层，位于栅极两侧上方位置的In...; 钟旻陈寿面