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厚度与应变效应对La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3薄膜电输运与居里温度的影响被引量：7: 2004年; 在厚度为 2 5— 4 0 0nm范围内 ,系统地研究了 (0 0 1)SrTiO3(STO) ,(0 0 1)LaAlO3(LAO)衬底上La0 6 7Ca0 33MnO3(LCMO)薄膜的电输运与居里温度TC 随薄膜厚度及衬底的变化 .结果表明 ,随薄膜变薄 ,电阻率 ρ增加 ,TC降低 .对于同一薄膜厚度 ,LCMO STO薄膜的 ρ大于LCMO LAO基上的薄膜的 ρ .TC与衬底的依赖关系则与 ρ相反 .分析表明 ,LCMO薄膜的低温区电阻温度 (ρ T)符合关系式 ρ =ρ0 +Bωs sinh2 (ωs 2 kBT) +CTn,其中 ρ0 为剩余电阻 ;等号右端第二项反映软光学模声子对电子散射的贡献 ;第三项包括其余可能散射机理在电输运过程中所起的作用 ;B ,ωs(软光学模声子的平均频率 )与C都为拟合系数 .高温区的电输运则由小极化子跃迁模型 ρ =DT×exp(Ea kBT)描述 (Ea为极化子激发能 ) .根据 ρ0 ,ωs,Ea以及TC变化 ,初步讨论了薄膜中的厚度与应变效应 .进一步研究发现ωs,Ea的变化与TC 相关 ,从而说明极化子效应为影响TC; 熊昌民孙继荣王登京沈保根; 关键词：LA0.67CA0.33MNO3 极化子效应激发能电子散射输运

氢在Zr(Cr,Fe)2第二相晶体中扩散的第一性原理研究被引量：1: 2020年; 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算氢原子在Zr(Cr,Fe)2(Fe/Cr=1∶7)晶体中的稳定间隙形成能.采用基于过渡态搜索理论的CI-NEB(climbing image nudged elastic band)方法预测氢原子在该晶体中的扩散路径及扩散势垒.研究结果表明,间隙氢原子在Zr(Cr,Fe)2(Fe/Cr=1∶7)晶体中存在7种四面体间隙位(分别定义为ABCDEFG),7个间隙位均可稳定占据,其中G位点系统最稳定;最可能的扩散路径为B→C→D→E→F→G.; 杨云龙王登京; 关键词：形成能扩散

硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究: 2013年; 采用直流反应磁控溅射法，在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜，然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、UV-VIS分光光度计、扫描电子显微镜（sEM）对样品进行了表征。结果表明：ZnO经0．5h硫化就能全部生成ZnS，适当提高硫化时间可改善ZnS的结晶性，但硫化时间超过2h后，结晶性会有所降低；所有制得ZnS薄膜都沿c轴择优生长，其晶粒明显比ZnO更大。此外，这些ZnS薄膜在500～1100am波长范围内的光透过率均高达约75％，带隙为3．65～3．70eV。; 张仁刚卓雯王登京陈克亮徐千山; 关键词：半导体 ZNS薄膜磁控溅射硫化

本科生导师制实施现状调查:学生的角度——以武汉科技大学为例被引量：10: 2016年; 中国的本科生正经历着从精英教育到大众化教育的转变。为了保证教育质量,本科生导师制是一项重要举措。根据武汉科技大学近两年来的"全程综合导师制"实践,从学生的视角,选择典型专业班级和学生进行了问卷调查和个体面对面访谈,对导师制的了解、期望交流的方式方法、最希望得到的指导方面以及实施导师制效果、存在的主要问题进行了统计分析。并对监评激励机制、受限制因素、单双向结合选择及导师、辅导员、班主任三者关系展开了讨论。; 刘宏玉朱磊覃宇戴凌骏马平均陈凯卢建夺张仁刚王登京侯阳来陈克亮; 关键词：激励机制

La掺杂对SrTiO_3纳米颗粒光催化性能的影响被引量：2: 2018年; 采用高温固相反应法,向SrTiO_3中掺杂不同含量La制备光催化剂,通过XRD、SEM、UV-Vis等手段对其结构和形貌进行表征,并以罗丹明B(RhB)为模拟污染物,研究掺杂不同含量La所制催化剂对RhB的光催化降解能力的影响,从而评价所制催化剂的光催化性能。结果表明,随着掺La含量的增加,所制催化剂的晶体结构从SrTiO_3的立方晶系逐步向La_2Ti_2O_3的单斜晶系转变;La掺杂使得所制催化剂的禁带宽度减小、对紫外光的吸收阈值增大,使其光催化性能得到显著提升;掺La含量越高,所制催化剂的光催化性能越好。; 廖锡龙毛田田杨云龙汪汝武熊祖钊王登京; 关键词：SRTIO3 LA掺杂光催化性能罗丹明B 催化降解

铁磁性Er_(0.2)Sm_(0.8)Mn_6Ge_6化合物的正磁电阻效应被引量：1: 2009年; 对天然多层膜材料Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物(441 K以下为铁磁性)磁电阻和热容进行了测量,结果表明,使用50 kOe的外磁场,Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物的磁电阻值在45 K以下为正,随着温度的降低,磁电阻逐渐增大,最大磁电阻达5.89%。本文对于铁磁体中出现正磁电阻给出了解释。; 汪汝武李云宝王登京张立刚

La0.7Ce0.33、4、5MnO3薄膜中的霍尔效应: 用脉冲激光沉淀法制备了LaCeMnO薄膜,测量了霍尔效应。发现正常霍尔效应具有正的霍尔系数,说明在该体系中的载流子是空穴。; 王登京刘光娟熊昌民孙继荣沈保根; 文献传递

LaAlO_3/GaAs异质结界面的空穴导电行为分析: 2018年; 采用脉冲激光沉积方法在GaAs(001)单晶基片上生长LaAlO_3薄膜构成LaAlO_3/GaAs异质结,利用原子力显微镜和XRD对LaAlO_3/GaAs异质结进行表征,并通过PPMS对LaAlO_3/GaAs异质结进行面内电阻和霍尔电阻测试,研究其界面电输运性能。结果表明,LaAlO_3在GaAs表面生长均匀,LaAlO_3/GaAs异质结界面处存在空穴型的导电行为,且该空穴来源于界面处的悬空键效应。; 毛田田廖锡龙杨云龙荔静熊昌民王登京; 关键词：LAALO3 GAAS 异质结界面电输运

高价掺杂钙钛矿结构锰氧化物磁电行为和锰氧化物基异质结的研究: 钙钛矿结构锰氧化物由于具有庞磁电阻效应等丰富的物理现象，成为凝聚态物理研究的热点。近来一种被认为是“电子型”导电体系的高价态掺杂锰氧化物引起了人们的注意，并对其导电类型存在很大的争议。本论文系统研究了Ce4+和Zr4+离...; 王登京; 关键词：磁电子学磁电阻

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王登京