史永生 作品数:7 被引量:12 H指数:2 供职机构: 中国科学院半导体研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国家高技术研究发展计划 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 更多>>
Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长 被引量:8 2004年 采用 Al N插入层技术在 Si(1 1 1 )衬底上实现无微裂 Ga N MOCVD生长 .通过对 Ga N外延层的 a,c轴晶格常数的测量 ,得到了 Ga N所受张应力与 Al N插入层厚度的变化关系 .当 Al N厚度在 7~ 1 3nm范围内 ,Ga N所受张应力最小 ,甚至变为压应力 .因此 ,Ga N微裂得以消除 .同时研究了 Al N插入层对 Ga N晶体质量的影响 ,结果表明 ,许多性能相比于没有 Al N插入层的 Ga 张宝顺 伍墨 陈俊 沈晓明 冯淦 刘建平 史永生 段丽宏 朱建军 杨辉 梁骏吾关键词:GAN 应力 MOVPE 一种化学气相淀积外延设备用的进气装置 本实用新型公开了一种化学气相淀积外延设备用的进气装置,该装置包含:一进气法兰盘,该法兰盘与筛板法兰通过密封胶圈密封连接;一匀气筛板,该匀气筛板嵌装入该进气法兰盘底面中央的圆形沉槽中;一中层筛板,该中层筛板与筛板法兰通过密... 朱建军 王海 史永生文献传递 调制掺杂GaN/AlGaN/GaN异质结构的光荧光谱研究 本文研究了调制掺杂GaN/AlGaN/GaN异质结构的光荧光(PL)谱,发现了两个与二维电子气(2DEG)相关的发光峰H<,0>和H<,1>.它们对应于两个不同子能级2DEG电子与光生空穴之间的复合发光.当在同一样品的不... 朱建军 刘素英 史永生 赵德刚 杨辉 梁骏吾关键词:调制掺杂 二维电子气 光荧光谱 氮化镓 文献传递 GaN缓冲层的生长特性及其对外延层质量的影响 本文通过自制的在位监控系统对MOCVD方法生长GaN缓冲层的特性及其对外延层质量的影响进行了深入的研究.实验结果表明,GaN低温缓冲层的生长速率受氨气的流量,生长温度和反应室压力控制,其生长速率随氨气流量的增加而增加,随... 张书明 陈俊 朱建军 史永生 段俐宏 杨辉关键词:GAN缓冲层 MOCVD 外延层质量 生长速率 文献传递 高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析 被引量:3 2007年 制作了反向饱和电流为5.5×10-14A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010cm-2. 刘宗顺 赵德刚 朱建军 张书明 段俐宏 王海 史永生 刘文宝 张爽 江德生 杨辉关键词:肖特基势垒 紫外探测器 开路电压 表面态 GaN基蓝紫光激光器的材料生长和器件研制(英文) 被引量:1 2005年 报道了国内首次研制成功的GaN基蓝紫光激光器的材料外延生长、器件工艺和特性 .用MOCVD生长了高质量的GaN及其量子阱异质结材料 ,以及异质结分别限制量子阱激光器结构材料 .GaN材料的X射线双晶衍射摇摆曲线 (0 0 0 2 )对称衍射和 (10 12 )斜对称衍射半宽分别为 180″和 185″ ;3μm厚GaN薄膜室温电子迁移率达到85 0cm2 /(V·s) .基于以上材料 ,分别成功研制了室温脉冲激射增益波导和脊型波导激光器 ,阈值电流密度分别为 5 0和 5kA/cm2 ,激光发射波长为 4 0 5 9nm ,脊型波导结构激光器输出光功率大于 10 0mW . 杨辉 陈良惠 张书明 种明 朱建军 赵德刚 叶小军 李德尧 刘宗顺 段俐宏 赵伟 王海 史永生 曹青 孙捷 陈俊 刘素英 金瑞琴 梁骏吾关键词:GAN基激光器 多量子阱 阈值电流密度 与GaN中缺陷相关的室温光荧光谱 利用GaN外延材料表面和界面的室温PL谱,观察并分析了带边峰的结构和与缺陷相关的束缚激子峰。 朱建军 刘素英 史永生 杨辉文献传递