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Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长被引量：8: 2004年; 采用 Al N插入层技术在 Si(1 1 1 )衬底上实现无微裂 Ga N MOCVD生长 .通过对 Ga N外延层的 a,c轴晶格常数的测量 ,得到了 Ga N所受张应力与 Al N插入层厚度的变化关系 .当 Al N厚度在 7～ 1 3nm范围内 ,Ga N所受张应力最小 ,甚至变为压应力 .因此 ,Ga N微裂得以消除 .同时研究了 Al N插入层对 Ga N晶体质量的影响 ,结果表明 ,许多性能相比于没有 Al N插入层的 Ga; 张宝顺伍墨陈俊沈晓明冯淦刘建平史永生段丽宏朱建军杨辉梁骏吾; 关键词：GAN 应力 MOVPE

一种化学气相淀积外延设备用的进气装置: 本实用新型公开了一种化学气相淀积外延设备用的进气装置，该装置包含：一进气法兰盘，该法兰盘与筛板法兰通过密封胶圈密封连接；一匀气筛板，该匀气筛板嵌装入该进气法兰盘底面中央的圆形沉槽中；一中层筛板，该中层筛板与筛板法兰通过密...; 朱建军王海史永生; 文献传递

调制掺杂GaN/AlGaN/GaN异质结构的光荧光谱研究: 本文研究了调制掺杂GaN/AlGaN/GaN异质结构的光荧光(PL)谱,发现了两个与二维电子气(2DEG)相关的发光峰H<,0>和H<,1>.它们对应于两个不同子能级2DEG电子与光生空穴之间的复合发光.当在同一样品的不...; 朱建军刘素英史永生赵德刚杨辉梁骏吾; 关键词：调制掺杂二维电子气光荧光谱氮化镓; 文献传递

GaN缓冲层的生长特性及其对外延层质量的影响: 本文通过自制的在位监控系统对MOCVD方法生长GaN缓冲层的特性及其对外延层质量的影响进行了深入的研究.实验结果表明,GaN低温缓冲层的生长速率受氨气的流量,生长温度和反应室压力控制,其生长速率随氨气流量的增加而增加,随...; 张书明陈俊朱建军史永生段俐宏杨辉; 关键词：GAN缓冲层 MOCVD 外延层质量生长速率; 文献传递

高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析被引量：3: 2007年; 制作了反向饱和电流为5.5×10-14A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010cm-2.; 刘宗顺赵德刚朱建军张书明段俐宏王海史永生刘文宝张爽江德生杨辉; 关键词：肖特基势垒紫外探测器开路电压表面态

GaN基蓝紫光激光器的材料生长和器件研制(英文)被引量：1: 2005年; 报道了国内首次研制成功的GaN基蓝紫光激光器的材料外延生长、器件工艺和特性 .用MOCVD生长了高质量的GaN及其量子阱异质结材料 ,以及异质结分别限制量子阱激光器结构材料 .GaN材料的X射线双晶衍射摇摆曲线 (0 0 0 2 )对称衍射和 (10 12 )斜对称衍射半宽分别为 180″和 185″ ;3μm厚GaN薄膜室温电子迁移率达到85 0cm2 /(V·s) .基于以上材料 ,分别成功研制了室温脉冲激射增益波导和脊型波导激光器 ,阈值电流密度分别为 5 0和 5kA/cm2 ,激光发射波长为 4 0 5 9nm ,脊型波导结构激光器输出光功率大于 10 0mW .; 杨辉陈良惠张书明种明朱建军赵德刚叶小军李德尧刘宗顺段俐宏赵伟王海史永生曹青孙捷陈俊刘素英金瑞琴梁骏吾; 关键词：GAN基激光器多量子阱阈值电流密度

与GaN中缺陷相关的室温光荧光谱: 利用GaN外延材料表面和界面的室温PL谱，观察并分析了带边峰的结构和与缺陷相关的束缚激子峰。; 朱建军刘素英史永生杨辉; 文献传递

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史永生