黄敞
- 作品数：42 被引量：26H指数：3
- 供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 薄层、亚微米SOI/CMOS器件的理论与实验研究
- 基于器件内部载流总量的分析方法、计算机模拟和实验结果，进行的薄层、亚微米ＳＯＩ／ＣＭＯＳ器件与ＩＣ的理论研究，尤其着重于瞬态性能的分析。薄层、亚微米ＳＯＩ／ＣＭＯＳ器件优良的性能，使得其可以实现新一代更高速度、更高性能和...
- 武平黄敞
- 关键词：绝缘衬底上外延硅MOS集成电路互补MOS集成电路载流子浓度计算机模拟
- 用于亚微米CMOS的轻掺杂漏工艺被引量：3
- 1994年
- 本文研究了轻掺杂漏（ＬＤＤ）工艺对器件特性的影响。优化了轻掺杂区离子注入的剂量和能量．优化的ＳｉＯ２侧墙ＬＤＤ工艺有效地抑制了短沟道效应．研制成功了沟道长度为０．５μｍ的ＣＭＯＳ２７级环振电路，门延迟为１７０ｎｓ．
- 章定康余山黄敞
- 关键词：轻掺杂漏亚微米CMOSMOS器件
- 反应离子刻蚀多晶硅及其在集成电路中的应用
- 1992年
- 本文对以SF_6+A_r为反应气体的反应离子刻蚀(RIE)多晶硅工艺进行了研究。研究表明,SF_6+ArRIE多晶硅具有良好的各向异性、选择性以及较高的刻蚀速度,得到了0.40μm的多晶硅条,并且成功地应用于0.5～1.0μm CMOS集成电路的制作中。
- 余山章定康黄敞
- 关键词：多晶硅集成电路离子刻蚀
- 负电子微分迁移率场效应管的二维数值分析
- 1991年
- 本文对于新型的负电子微分迁移率场效应管内部的电位、沿沟道方向的电场以及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值模拟,结果表明通过适当选取器件尺寸、掺杂分布以及偏置电压,沿沟道方向可以产生一个处于负电子微分迁移率范围之内的均匀电场,使沟道具有负RC效应而不出现高场畴.
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- 关键词：场效应晶体管迁移率
- 用于亚微米CMOS的自对准硅化钛工艺
- 1993年
- 本文研究了用溅射钛和快速退火法与硅反应形成硅化钛的工艺,二氧化硅侧墙轻掺杂漏结构的CMOS工艺加上该工艺后,器件的阈值电压、源漏击穿电压没有明显变化,但使CMOS的栅电阻降低一个数量级,源漏串联电阻为原来的1/4。肌此工艺已研制成功3μm NMOS 12位乘法器,比没有硅化物的器件速度提高一倍。
- 章定康余山孙有民黄敞
- 关键词：自对准硅化钛溅射亚微米CMOS
- 深亚微米薄膜SOI MOSFET的二维数值模拟
- 1995年
- 本文介绍了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件。该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程，提高了计算效率和收敛性。利用此模拟软件较为详细地分析了薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ不同于厚膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的工作机理及特性，发现薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的所有特性几乎都得到了改善。将模拟结果与实验结果进行了对比，两者吻合得较好。
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- 关键词：数值模拟SOI器件集成电路
- 反应离子刻蚀(RIE)Si＃-[3]N＃-[4]的研究
- 余山章定康黄敞
- 关键词：离子束加工集成电路
- 0.8μm CMOS LDD器件可靠性实验和分析
- 1994年
- 针对实验中发现的亚微米LDD结构的特殊的衬底电流现象和退化现象,进行了二维器件数值模拟,解释了LDD器件退化的原因,最后提出了LDD器件的优化工艺条件。
- 余山章定康黄敞
- 关键词：可靠性LDD结构电子器件
- 抑制SOS MOSFET漏电措施的研究被引量：1
- 1993年
- 经过大量的实验研究,我们从材料制备、版图设计及工艺过程等方面总结摸索出了一套能够有效抑制SOS器件漏电的措施,这主要包括双固相外延技术、环形栅技术、反应离子刻蚀形成硅岛工艺及背沟道注入工艺。采用这些措施之后,沟道长度为2μm的N沟和P沟环形栅晶体管的漏电分别为:2.5×10^(-12)A/μm 沟道宽度和1.5×10^(-12)A/μm沟道宽度。
- 张兴石涌泉路泉黄敞
- 关键词：场效应晶体管MOSFET
- 薄层SOI/MOSFET’s热载流子电流的数值模拟
- 1998年
- 本文应用“幸运电子”概念，取代平均电场热载流子模型［１］，利用二维数值计算的方法，建立起一组热载流子向栅氧化层注入的注入电流和栅电流模型（包括热电子和热空穴）．通过分别对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ和相应的体硅器件模拟计算得出：栅电流和实验数据符合得很好；体硅器件的注入电流和通常一样，最大值发生在Ｖｇ＝Ｖｄ／２处；然而在薄膜（包括中等厚膜）ＳＯＩ器件中，由于存在着前栅、背栅的耦合作用，热载流子电流变化较为复杂．栅电流不能完全表现注入电流的变化情况．
- 曹建民吴传良张文俊范辉沈文正黄敞
- 关键词：SOI器件半导体器件MOSFETVLSI
