廖永平
- 作品数：14 被引量：12H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信航空宇航科学技术更多>>
- 四波长输出半导体激光器及其制备方法
- 一种四波长输出半导体激光器及其制备方法，该激光器为近红外边发射激光器，采用上下DBR带代替现有上下限制层结构，且利用在一维光子晶体中插入缺陷层，实现将光子带隙中的光限制在缺陷层的效果，具体包括：GaAs衬底、下DBR层、...
- 魏思航张宇廖永平倪海桥牛智川
- 一种半导体激光器及其制备方法
- 本发明公开了一种单模大功率高亮度GaSb基布拉格反射器MOPA集成半导体激光器及其制备方法，该布拉格反射MOPA集成半导体激光器包括：衬底，外延结构，其生长所述衬底上，由下至上包括：N型下接触层、N型下限制层、下波导层、...
- 杨成奥张宇廖永平魏思航徐应强牛智川
- 文献传递
- 光学介质薄膜、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、含硅薄膜、激光器腔面膜的制备方法
- 一种光学介质薄膜、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、含硅薄膜、激光器腔面膜的制备方法，其中，光学介质薄膜的制备方法包括：将衬底放置在电子束蒸发设备的腔室中，抽真空；采用离化的氩气和氮气在高能电场下轰...
- 谢圣文张宇廖永平牛智川
- 文献传递
- 8.56W锑化镓基1.96μm激光源
- 设计和生长了2μ m 波段的GaSb 基的AlGaAsSb/InGaSb I 类量子阱激光器.制备了激光器单管以及激光器线列(20 个管芯).单管未镀膜20℃最大功率为889mW,最大能量转换效率21.9％,最大功率处能...
- 廖永平张宇杨成奥黄书山柴小力王国伟徐应强倪海桥牛智川
- 关键词：激光二极管激光器阵列大功率中红外
- 高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSbⅠ型量子阱室温工作激光器(英文)被引量：6
- 2017年
- 成功制备出2.6μmGaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(MBE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化至500℃,并将量子阱的压应变调节为1.3%.制备了脊宽100μm、腔长1.5mm的激光单管器件.在未镀膜下该激光器实现了最大328mW室温连续工作,阈值电流密度为402A/cm^2,在脉冲工作模式下,功率达到700mW.
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- 关键词：中红外
- 大功率高效率2μm锑化镓基量子阱激光器（英文）被引量：6
- 2016年
- 通过MBE外延系统生长了2μmGaSb基AlGaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058W,当注入电流为0.5A时,峰值波长为1.977μm,最大能量转换效率为20.2%,在脉冲频率为1000Hz,占空比为5%的脉冲工作模式下,最大激射功率为2.278W.
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- 关键词：大功率激光二极管中红外
- 一种集成半导体激光器的制备方法
- 本发明公开了一种2μm单模大功率GaSb基金属光栅主振荡功率放大器集成半导体激光器及其制备方法，所述半导体激光器包括：衬底，外延结构，其生长所述衬底上，由下至上包括：N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层...
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- 文献传递
- 单模GaSb基半导体激光器及其制备方法
- 一种单模GaSb基半导体激光器，包括N型GaSb衬底和外延层，所述外延层包括下波导层、下波导层之上的上波导层，上波导层之上的p型上限制层以及p型上限制层之上的P型上缓冲层，其中，在所述外延层的部分区域从所述p型上缓冲层向...
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- 文献传递
- 1.08um长吸收区InGaAs/GaAs量子阱皮秒激光器
- 报道了一种两段式1.08um InGaAs量子阱锁摸激光器.量子阱材料由MBE生长，可饱和吸收区和增益区经过重新设计.可饱和吸收区作为被动锁摸的关键部分，可以针对更高的功率或更短的脉宽做不同的优化.当增加吸收区长度时，锁...
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- 四波长输出半导体激光器及其制备方法
- 一种四波长输出半导体激光器及其制备方法，该激光器为近红外边发射激光器，采用上下DBR带代替现有上下限制层结构，且利用在一维光子晶体中插入缺陷层，实现将光子带隙中的光限制在缺陷层的效果，具体包括：GaAs衬底、下DBR层、...
- 魏思航张宇廖永平倪海桥牛智川
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