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林兰

作品数：4 被引量：6H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇P型
  • 4篇P型ZNO
  • 3篇退火
  • 2篇施主
  • 2篇受主
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体薄膜
  • 2篇晶体质量
  • 2篇溅射
  • 2篇溅射法
  • 2篇P型ZNO薄...
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 2篇磁控溅射法
  • 1篇导体
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇射频反应磁控...
  • 1篇禁带

机构

  • 4篇浙江大学

作者

  • 4篇林兰
  • 3篇龚丽
  • 3篇吕建国
  • 3篇叶志镇
  • 3篇赵炳辉
  • 1篇别勋

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
退火生长Na-N共掺p型ZnO晶体薄膜的方法
本发明公开的退火生长Na-N共掺p型ZnO薄膜的方法，先以Na<Sub>2</Sub>O-ZnO陶瓷靶为靶材，靶材中钠的摩尔含量为0.5％，以纯N<Sub>2</Sub>O和纯Ar为溅射气氛，采用射频反应磁控溅射法，在1...
叶志镇林兰龚丽吕建国赵炳辉
文献传递
退火生长Na－N共掺p型ZnO晶体薄膜的方法
本发明公开的退火生长Na－N共掺p型ZnO薄膜的方法，先以Na<Sub>2</Sub>O－ZnO陶瓷靶为靶材，靶材中钠的摩尔含量为0.5％，以纯N<Sub>2</Sub>O和纯Ar为溅射气氛，采用射频反应磁控溅射法，在1...
叶志镇林兰龚丽吕建国赵炳辉
文献传递
射频磁控溅射法制备Na-N共掺p型ZnO薄膜及其性能的研究
氧化锌(ZnO)是一种II－VI族直接带隙宽禁带半导体，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV。ZnO在光电、压电和热电等诸多领域都有其独特的性能，具有十分广阔的应用空间和发展潜力。特别是在光电领域，ZnO...
林兰
关键词：射频磁控溅射法
文献传递
射频反应磁控溅射法退火生长Na-N共掺杂p-ZnO薄膜被引量：6
2010年
采用射频反应磁控溅射法退火生长得到了Na-N共掺杂p-ZnO薄膜。XRD测试结果表明,退火前后均得到c轴择优取向的ZnO薄膜。Hall测试结果表明:退火后薄膜的电学性能明显改善,得到了p-ZnO薄膜,退火温度为450℃时取得最佳电学性能:室温电阻率为139.2Ω.cm,迁移率为0.2cm2.V-1.s-1,空穴浓度为2.5×1017cm-3。XPS分析表明:Na掺入ZnO中作为受主NaZn而存在,N主要以N—H键的形式存在,其受主NO的作用不明显,但是否存在NaZn-NO受主复合体,还需进一步的研究。
林兰叶志镇龚丽别勋吕建国赵炳辉
关键词：射频反应磁控溅射P型ZNO薄膜退火
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