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张璋

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：云南大学更多>>
发文基金：南省应用基础研究计划重点项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇量子
  • 4篇量子点
  • 4篇光电
  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 3篇探测器
  • 3篇GE量子点
  • 2篇电特性
  • 2篇自组织生长
  • 2篇溅射
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 2篇光电探测器件
  • 2篇光电特性
  • 2篇红外
  • 2篇发光
  • 1篇导体
  • 1篇低维
  • 1篇点阵
  • 1篇电器件

机构

  • 6篇云南大学

作者

  • 6篇张璋
  • 5篇杨宇
  • 5篇王荣飞
  • 3篇王茺
  • 3篇张瑾
  • 3篇张杰
  • 1篇杨杰
  • 1篇邱锋
  • 1篇迟庆斌

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
斜切衬底自组装模板形成机制及生长有序量子点的研究进展
2015年
在斜切基片表面上引入原子台阶并对物理表面进行改性,可提高表面吸附原子的成核率及抑制量子点的合并,实现三维量子点在Stranski-Krastanov(S-K)模式生长的调控生长。概述了斜切基片法在Si衬底上生长有序量子点的研究进展;介绍了斜切基片作为图形衬底生长有序量子点的应用。叙述了斜切基片产生台面、台阶和扭结的图形衬底结构机制及影响因素,探讨了台阶模板形成机制及台阶模板上生长量子点的研究进展。
张璋王荣飞杨杰王茺杨宇
SiO2/Si衬底上Ge量子点/石墨烯复合结构的制备及其光电响应性能研究
近年来,量子点／石墨烯复合结构材料可将量子点独特的量子限域效应及石墨烯超高的载流子迁移率等优点相结合,在光电探测领域显示出了较为优异的光电响应性能,成为了研究热点。本文采用离子束溅射沉积技术(IBSD)在石墨烯/SiO2...
张璋
关键词：离子束溅射沉积
文献传递
一种半导体量子点激光器及其制备方法
本发明提供了一种半导体量子点激光器及其制备方法。该激光器包含衬底层，在衬底上转移一层石墨烯薄膜，用于增强其发光性能，然后用外延生长的方法在石墨烯上生长量子点。由于胶体量子点制备过程中存在一些困难，进而，限制了石墨烯上量子...
杨宇张杰王茺张璋张瑾王荣飞
文献传递
一种高效近红外发光的低维锗硅量子材料及其制备方法
本发明提供一种高效近红外发光的低维锗硅量子材料及其制备方法，属搬半导体量子点发光技术领域。本发明主要采用溅射技术，采用离子溅射仪溅射以1nm/min速率在室温下溅射金纳米薄膜，或采用磁控射频溅射技术，在预处理后的硅基底上...
王荣飞杨宇舒启江迟庆斌张璋王茺邱锋周蒙薇
文献传递
一种Ge量子点的制备方法及其应用
本发明涉及一种Ge量子点的制备方法，该方法为室温下直接在石墨烯上生长Ge量子点。该方法提供了一种可以实现小尺寸、高密度Ge量子点的制备方法，无需后续退火等复杂工艺，简化了工艺流程。本发明利用了石墨烯与Ge量子点的低相容性...
杨宇张杰张璋张瑾王荣飞
文献传递
一种Ge量子点的制备方法及其应用
本发明涉及一种Ge量子点的制备方法，该方法为室温下直接在石墨烯上生长Ge量子点。该方法提供了一种可以实现小尺寸、高密度Ge量子点的制备方法，无需后续退火等复杂工艺，简化了工艺流程。本发明利用了石墨烯与Ge量子点的低相容性...
杨宇张杰张璋张瑾王荣飞
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