付兴中
- 作品数：42 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程金属学及工艺更多>>
- GaN芯片的烧结方法及待烧结的GaN芯片
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN芯片的烧结方法及待烧结的GaN芯片，该方法包括：在GaN芯片的背面生长第一金属；在所述第一金属层的表面生长Au金属层；在所述Au金属层与待烧结区域对应的区域的表面生长Au/Sn...
- 王川宝李亮王强栋马杰付兴中崔玉兴
- 文献传递
- 一种GaN HEMT器件及制备方法
- 本发明提供了一种GaN HEMT器件及制备方法，属于半导体器件制备技术领域，GaN HEMT器件包括基底、欧姆电极、二氧化硅介质层、氮化硅介质层和栅金属层，制备方法包括在基底上制作欧姆电极‑依次形成二氧化硅介质层和氮化硅...
- 廖龙忠谭永亮高渊胡泽先付兴中张力江
- 文献传递
- 金刚石基氮化镓晶体管制备方法及金刚石基氮化镓晶体管
- 本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种金刚石基氮化镓晶体管制备方法及金刚石基氮化镓晶体管，该方法包括：在硅基氮化镓晶圆上表面制备电极场板区；在硅基氮化镓晶圆上表面和硅晶圆上表面溅射第一金属层，并进行预键合；将载体与硅...
- 周国武毅畅付兴中廖龙忠秦龙宋洁晶冯立东宋红伟张力江崔玉兴
- 微同轴结构的微延时线芯片的制作方法
- 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种微同轴结构的微延时线芯片的制作方法，该方法包括：在第一基片、第二基片和第三基片制备多个第一通孔，第二基片和第三基片制备多个第二通孔；第一基片和第三基片制备位置对应的第一凹槽和第二凹...
- 董春辉杨鹏杨志钱丽勋李宏军马灵申晓芳薛源付兴中王胜福李丰周名齐周少波赵立娟张学凯
- 文献传递
- 一种用于砷化镓晶圆级堆叠的工艺技术
- 2023年
- 随着电子系统对多功能、小型化要求的不断提高,将数字控制电路、移相器、低噪声放大器等砷化镓微波集成电路(MMICs)进行3D集成是解决问题的方向。为此,设计具有数百个互连点的孔链测试结构模拟上下两层电路互连,采用砷化镓穿孔技术将正面互连压点转移到背面,研究适用砷化镓薄片的晶圆级键合技术,开发出两片式砷化镓面对背的晶圆级堆叠工艺技术,堆叠成品率达到90%以上。利用这项工艺,将砷化镓数字电路堆叠到低噪声放大器芯片上,形成了Ka波段幅相多功能电路,测试在32~38 GHz频段内,接收端增益大于21.5 dB,噪声小于4 dB,移相精度小于4°;发射端增益大于23 dB,输出功率大于25 dBm(输入功率10 dBm),移相精度小于4°。
- 廖龙忠周国毕胜赢付兴中张力江
- 关键词：3D集成
- 双异质结双极晶体管及其制备方法
- 本发明提供一种双异质结双极晶体管及其制备方法。该方法包括：在待制备的圆片上制作发射区电极，并基于发射区电极对圆片中的发射区进行湿法腐蚀，以使圆片中发射区和基区之间的第一分界层暴露；在第一分界层的上表面制作基区电极，并基于...
- 付兴中陈卓周国崔雍孙虎胡多凯高三磊高昶王国清张力江
- RF MLCC环境应力影响及其可靠性的仿真研究
- RF MLCC广泛应用于各种整机射频电路中。因为在产品技术、工艺水平和可靠性研究等方面同国外相比有一定差距，目前国内还没有批量生产和供货，国内产品主要来源于进口，但是对于高端的军用产品在国际市场上对国内禁运，因此分析相应...
- 付兴中
- 关键词：环境应力可靠性
- 文献传递
- 硅基空气填充微同轴结构及硅基空气填充微同轴传输线
- 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基空气填充微同轴结构及硅基空气填充微同轴传输线，该硅基空气填充微同轴结构包括上层硅片、中层硅片和下层硅片；上层硅片设置第一凹槽；中层硅片的芯子硅片与第一凹槽位置对应；中层硅片的多...
- 钱丽勋王文军李宏军王建志申晓芳杨志付兴中董春晖王胜福李丰梁敬庭周名齐周少波陈旭东石晶晶
- 文献传递
- 光刻掩膜版图层排布方法、装置、设备及介质
- 本申请提供了光刻掩膜版图层排布方法、装置、设备及介质，该方法包括：获取多个待排布的图层、每个待排布图层的尺寸和光刻掩膜版的尺寸；对多个待排布的图层进行排序，得到排序结果；基于每个待排布图层的尺寸、光刻掩膜版的尺寸和排序结...
- 张文兰闫锐张倩付兴中张力江解涛王敏杨双龙付越东张丹青丁现朋李庆伟崔玉兴
- 一种GaN HEMT器件及制备方法
- 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种GaN HEMT器件及制备方法，包括衬底，衬底上表面由下至上依次设有GaN外延层和栅介质层，还包括贯穿栅介质层与GaN外延层接触的栅极、源电极和漏电极；栅介质层包括不同性质的第一栅...
- 高渊李波孙虎周国付兴中张力江
- 文献传递
