耿昭华
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 三元化合物X0.5Y0.5O2(X,Y=Si,Ge,Sn)电子结构和光学性质的第一性原理研究
- 寻找具有高介电常数的化合物一直是半导体材料研究中的一个重点。已有文献表明,一种被称为反AgO结构的高密度立方XYO三元化合物具有较高的介电常数,而且与单晶Si(100)表面的晶格常数具有良好的兼容性,预示着一种形成零缺陷...
- 耿昭华王刚吴松王松有陈良尧
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- Hg1-xCdxTe的电子结构和光学性质的第一性原理研究
- 可变带隙合金Hg
- 王刚吴松耿昭华王松有陈良尧
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- 黝锡矿结构Cu2ZnSnQ4(Q=S,Se,Te)电子结构和光学性质的第一性原理研究
- 四元硫族化合物CuZnSnS和CuZnSnSe是直接带隙半导体化合物,带隙约1.5 eV,另外这类材料具有较高的光学吸收系数以及不含In/Ga元素,已有的研究结果表明,该类型化合物将有希望成为一种新型的太阳能吸收材料。此...
- 吴松耿昭华王刚王松有陈良尧
- 关键词：第一性原理光学性质太阳电池材料
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- Ⅳ族元素氧化物和V掺杂Si-Ge-N中间带隙材料的结构和光学性质理论研究
- 本论文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了几种高性能新型材料的结构参数、电子性质和光学性质,主要包括以下两方面的内容：
一、利用第一性原理对IV族二元和三元氧化物结构和相关性质的研究。寻找具有高介电常...
- 耿昭华
- 关键词：第一性原理密度泛函理论
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