张延清
- 作品数：34 被引量：10H指数：2
- 供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程核科学技术更多>>
- 一种电子元器件的可靠性预测系统
- 一种电子元器件的可靠性预测系统，属于电子元器件寿命预测技术领域。为解决现有电子元器件可靠性预测方法效率低、灵活性差、复杂模型难以计算的问题。包括：数据处理模块在Web界面上进行测试数据上传；元器件模型选择模块根据可靠性预...
- 刘超铭高乐王铭峥王天琦霍明学张延清齐春华马国亮
- 卫星大角度机动姿态控制模块的硬件设计与验证
- 微小卫星是目前航天器发展的一个重要方向,作为现代微小卫星技术的关键部分,姿态控制系统起到至关重要的作用。在现代微小卫星系统中,姿态控制系统从传统的以通用处理器为基础的软件实现方式发展到以专用集成电路ASIC为代表的硬件实...
- 张延清
- 关键词：FPGA半实物仿真
- 文献传递
- 一种功率MOSFET可靠性的建模方法
- 本发明的一种功率MOSFET可靠性的建模方法，涉及功率MOSFET可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有MOSFET可靠性建模方法复杂度高，计算效率低，模型可解释性也较差的问题，具体步骤如下：步骤一...
- 刘超铭高乐王天琦霍明学张延清齐春华马国亮
- 倒置生长赝形四结太阳电池高能电子辐照损伤效应与机理
- 倒置生长赝形四结(IMM4J)太阳电池基于光谱匹配的设计原则采用了倒置外延生长晶格失配工艺手段，有效的减少了空间用晶格匹配正向生长三结电池各个子电池间光电流失配产生的能量损失，显著提高了光电转换效率，成为目前空间高效多结...
- 张延清
- 关键词：太阳电池辐照损伤光谱响应退火效应电学性能
- 基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法
- 一种基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，属于太阳电池微电子技术领域。本发明针对现有太阳电池由于空间带电粒子的辐照会产生辐照缺陷，进而造成太阳电池I‑V特性退化的问题。它根据原单晶Si太阳电池的结构参数，...
- 张延清齐春华王天琦马国亮刘超铭陈肇宇王新胜李何依霍明学
- 文献传递
- 一种单粒子烧毁区域在线定位系统、辐照终端设备及使用方法
- 本发明涉及辐照监测技术领域，具体提供一种单粒子烧毁区域在线定位系统、辐照终端设备及使用方法，定位系统包括：监测粒子束流强度的束流探测单元、真空控制单元以及显微式快速定位单元，利用粒子加速器产生粒子辐照待测样品，在辐照过程...
- 郑洪全王天琦马国亮齐春华张延清霍明学刘超铭曾超
- 倒置四结(IMM4J)太阳电池中InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)子电池高能电子辐照退火效应
- 2020年
- 本文为研究1 MeV电子辐照倒置四结(IMM4J)太阳电池InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)关键子电池的退火效应,将辐照后的两种子电池在60—180℃温度范围累计退火180 min,并对不同退火温度、退火时间下的两种子电池进行了光IV测试、暗IV测试和光谱响应测试.实验结果表明两种子电池的开路电压Voc、短路电流Isc和最大输出功率Pmax随着退火时间的延长逐渐恢复,温度越高,恢复程度越大.在相同的退火条件下,InGaAs(1.0 eV)子电池的恢复程度比InGaAs(0.7 eV)子电池小.本文通过对暗特性曲线进行双指数模型拟合,得到不同退火条件下两种子电池的串联电阻Rs、并联电阻Rsh、扩散电流Is1、复合电流Is2.结果表明在退火过程中两种子电池的Rsh逐渐增大,Rs,Is1和Is2逐渐减小.温度越高,退火时间越长,恢复程度越大.在退火60 min后两种子电池的Voc,Isc和Pmax恢复程度均可达到整体恢复程度的85%以上.InGaAs(1.0 eV)子电池的Is1和Is2的恢复程度远大于InGaAs(0.7 eV).本文建立了短路电流密度Jsc和缺陷浓度N的等效模型,以此计算得到InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)两种子电池的热退火激活能分别为0.38 eV和0.26 eV.
- 张延清齐春华周佳明刘超铭马国亮蔡勖升王天琦霍明学
- 关键词：电子辐照退火效应
- 基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法
- 基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法，属于微电子技术领域，本发明为解决现有倒置四结太阳电池在空间带电粒子的辐照下抗位移辐照能力差，易产生位移辐射损伤，从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。本发明向倒...
- 张延清齐春华王天琦马国亮刘超铭陈肇宇王新胜李何依周佳明霍明学
- 文献传递
- 一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法
- 一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法，属于功率MOSFET可靠性建模技术领域，本发明为解决现有采用深度学习模型对功率器件进行可靠性预测中存在手动调整模型超参数，导致工作效率低的问题。它包括：S1、采集传感器的数据作为初始...
- 刘超铭高乐王天琦霍明学张延清齐春华马国亮
- 一种监测触发器是否发生翻转的边沿检测电路及触发器
- 一种监测触发器是否发生翻转的边沿检测电路及触发器，它涉及一种边沿检测电路及触发器。本发明要解决SETTOFF触发器对SEU软错误的在线监测和修正以及检测SET和TE错误过程中，SETTOFF触发器中原沿检测(TD)电路中...
- 王天琦刘超铭齐春华马国亮张延清霍明学肖立伊
- 文献传递
