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蒋兴莉

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 3篇LAALO3
  • 2篇电输运
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻开关
  • 2篇异质结
  • 2篇输运
  • 2篇NB
  • 2篇SRTIO3
  • 1篇镀膜
  • 1篇存储器

机构

  • 5篇清华大学

作者

  • 5篇蒋兴莉
  • 4篇赵永刚
  • 1篇李栋
  • 1篇张鑫
  • 1篇张慧云
  • 1篇朱美红

传媒

  • 3篇中国物理学会...

年份

  • 4篇2013
  • 1篇2011
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
氧化物异质结构中的电阻开关效应研究
近年来，金属-绝缘体-金属（MIM）结构中发现的电场/电流导致的电阻开关效应（RS effect）引起了研究者的广泛关注。RS效应涉及强场下的电输运等重要科学问题。此外，基于RS效应的电阻型随机存储器（RRAM）具有高存...
蒋兴莉
关键词：电输运
文献传递
LaAlO3/Nb∶SrTiO3异质结构中陷阱控制的电阻开关效应和电输运
近年来，电阻开关效应(RS effect)由于其在基础研究和电阻存储器(RRAM)应用方面的巨大价值，受到了人们的广泛关注。人们已经在多种材料体系中观察到RS效应，并根据实验现象提出了一些模型和机制。
蒋兴莉赵永刚张鑫朱美红张慧云尚大山孙继荣
关键词：电输运
LaAlO3/NSTO异质结的电阻开关效应研究
蒋兴莉赵永刚
LaAlO3/Nb∶SrTiO3异质结的电阻开关效应对镀膜氧压和电极面积的依赖关系
基于电阻开关效应(Resistance Switching Effect)的电阻型随机存储器(RRAM)，是下一代非挥发型存储器中的佼佼者，它具有读写速度快、功耗小，可实现三维存储，以及与当前的CMOS工艺兼容等优点。
孙仲赵永刚赵迪扬蒋兴莉罗玉祥
阻变存储器中不同类型导电细丝的特性研究
基于电阻开关效应(RS effect)的电阻型随机存储器(RRAM)具有高速度、高密度、低功耗等优点，近年来引起了人们的广泛关注。在众多物理模型中，导电细丝模型被广泛接受，信息存储通过导电细丝的形成和断裂引发的两个电阻态...
蒋兴莉赵永刚陈沅沙李栋罗玉祥赵迪扬孙仲孙继荣赵宏武
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