李凯凯
- 作品数：9 被引量：8H指数：2
- 供职机构：郑州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生自动化与计算机技术更多>>
- 基于BCB钝化的抗质子辐照InP基HEMT器件及其加工方法
- 本发明公开了一种基于BCB钝化的抗质子辐照InP基HEMT器件加工方法，包括以下步骤：A、准备InP基InAlAs/InGaAs HEMT外延片，并进行清洗和干燥；B、通过光刻和腐蚀在InP基InAlAs/InGaAs ...
- 钟英辉王文斌孙树祥王海丽李凯凯陆泽营夏鹏辉
- 修复InP基HEMT器件质子辐照损伤的微波退火装置及方法
- 本发明公开了一种修复InP基HEMT器件质子辐照损伤的微波退火装置及方法，装置包括操作台、设于操作台上的试验腔、设于试验腔内及操作台台面上的样品基座支架、样品基座、连接试验腔的样品输送道、设于样品输送道内的可伸缩的传送杆...
- 钟英辉李凯凯陆泽营王海丽孙树祥
- 文献传递
- 心肌做功指数和血流指标在预测TTTS治疗后胎儿死亡中的价值
- 背景与目的 随着辅助生育技术的广泛使用及高龄孕妇的增加，双胎妊娠的发生率不断增加，其中约30％为单绒毛膜双羊膜囊(monochorionic diamniotic，MCDA)。 在单绒毛膜双胎生长发育过程中，容易出现...
- 李凯凯
- 关键词：双胎输血综合征胎儿死亡血流指标
- 基于BCB钝化的抗质子辐照InP基HEMT器件及其加工方法
- 本发明公开了一种基于BCB钝化的抗质子辐照InP基HEMT器件加工方法，包括以下步骤：A、准备InP基InAlAs/InGaAs HEMT外延片，并进行清洗和干燥；B、通过光刻和腐蚀在InP基InAlAs/InGaAs ...
- 钟英辉王文斌孙树祥王海丽李凯凯陆泽营夏鹏辉
- 文献传递
- 修复InP基HEMT器件质子辐照损伤的微波退火装置及方法
- 本发明公开了一种修复InP基HEMT器件质子辐照损伤的微波退火装置及方法，装置包括操作台、设于操作台上的试验腔、设于试验腔内及操作台台面上的样品基座支架、样品基座、连接试验腔的样品输送道、设于样品输送道内的可伸缩的传送杆...
- 钟英辉李凯凯陆泽营王海丽孙树祥
- 文献传递
- InP基HEMTs器件16参数小信号模型（英文）被引量：1
- 2018年
- 针对InAlAs/InGaAsInP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R_(gs))表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τ_(ds))描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C_(ds))引起的相位变化,从而提高了S_(22)参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,R_(gs)和τ_(ds)的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.
- 钟英辉李凯凯李梦珂王文斌孙树祥李慧龙丁鹏金智
- 关键词：小信号模型
- InP基HEMT器件模型研究
- InP基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有电子迁移率高、噪声系数低、功耗低及功率增益高等特点,广泛用于毫米波单片集成电路设计中,在国防、航天等高速应用系统中占据着重要地位。模型是连接制备工艺和集成电路设计的重要纽带,本论...
- 李凯凯
- 关键词：等效模型
- 文献传递
- 一种高稳定性餐盘结构
- 本实用新型公开了一种高稳定性餐盘结构，属于餐盘技术领域，包括基座，所述基座的上端设置有餐盘本体，所述餐盘本体的上端开设有食物放置槽，所述基座的内部开设有调节槽，所述调节槽的内部设置有双向丝杆，所述双向丝杆的外壁套设有滑块...
- 李凯凯贾皓天韦骁恒梁浩楠
- 基于InP基HEMTs的W波段高增益低噪声放大MMIC（英文）被引量：5
- 2015年
- 基于自主研发的InP基高电子迁移率晶体管工艺设计并制作了一款W波段单级低噪声放大单片毫米波集成电路.共源共栅拓扑结构和共面波导工艺保证了该低噪声放大器紧凑的面积和高的增益,其芯片面积为900μm×975μm,84~100 GHz频率范围内增益大于10 dB,95 GHz处小信号增益达到最大值为15.2dB.根据调查对比,该单级放大电路芯片具有最高的单级增益和相对高的增益面积比.另外,该放大电路芯片在87.5 GHz处噪声系数为4.3 dB,88.8 GHz处饱和输出功率为8.03 dBm.该低噪声放大器芯片的成功研制对于构建一个W波段信号接收前端具有重要的借鉴意义.
- 钟英辉李凯凯李新建金智
- 关键词：低噪声放大电路磷化铟共源共栅
