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刘兴蕊

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院化学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇形貌
  • 2篇界面形貌
  • 2篇硅片
  • 2篇负极
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇硅

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇万立骏
  • 2篇严会娟
  • 2篇王栋
  • 2篇刘兴蕊

传媒

  • 1篇物理化学学报

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
单晶硅片负极界面形貌的原位AFM探测被引量：3
2016年
利用原子力显微镜原位研究单晶硅片负极在首次充放电循环中的界面形貌变化。硅负极表面固体电解质界面(SEI)膜的形成过程为:初始SEI膜从1.5 V开始形成,在1.25–1.0 V之间生长快速,0.6 V左右生长缓慢。初始SEI膜具有层状结构的特征,表层薄膜较软,下层呈颗粒状,机械稳定性较好。在锂化电位下,硅负极表面的单晶结构逐渐变得颗粒化,发生不可逆的结构变化。经过首个充放电循环后,硅负极表面被厚度不均一的SEI膜所覆盖,SEI膜的厚度大约为10–40 nm。
刘兴蕊严会娟王栋万立骏
单晶硅片负极界面形貌的原位AFM探测
原子力显微镜原位研究单晶硅片负极在首次充放电循环中的界面形貌变化.硅负极表面固体电解质界面(SEI)膜的形成过程为:初始SEI膜从1.5V开始形成,在1.25-1.0V之间生长快速,0.6V左右生长缓慢.初始SEI膜具有...
刘兴蕊严会娟王栋万立骏
关键词：界面形貌原子力显微镜
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