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俞挺

作品数：63 被引量：0H指数：0
供职机构：江西师范大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 62篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 13篇一般工业技术
  • 5篇电子电信
  • 4篇化学工程
  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 27篇感器
  • 27篇传感
  • 27篇传感器
  • 20篇纳米
  • 13篇介质层
  • 10篇气敏
  • 9篇刻蚀
  • 9篇互连
  • 8篇气体传感
  • 8篇气体传感器
  • 8篇SUB
  • 8篇掺杂
  • 7篇多晶
  • 7篇多晶硅
  • 7篇多晶硅栅
  • 7篇金属互连
  • 7篇刻蚀工艺
  • 7篇硅栅
  • 7篇衬底
  • 6篇湿度传感器

机构

  • 63篇江西师范大学

作者

  • 63篇俞挺
  • 53篇袁彩雷
  • 34篇骆兴芳
  • 22篇杨勇
  • 15篇周行
  • 8篇易强
  • 6篇梁艳
  • 4篇邹成武
  • 2篇李昕
  • 1篇张文
  • 1篇顾刚

年份

  • 1篇2024
  • 10篇2023
  • 16篇2022
  • 2篇2021
  • 3篇2020
  • 5篇2019
  • 5篇2018
  • 13篇2017
  • 5篇2016
  • 3篇2015
共 63 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
三维分级FeP纳米片析氢电催化材料及其制备方法和应用
本发明涉及一种三维分级FeP纳米片析氢电催化材料及其制备方法和应用，属于电催化析氢领域。本发明首先采用交流电压剥离铁丝制备三维纳米片铁氧化物，作为前驱体；再以次亚磷酸钠晶体为磷源，在石英管式炉中，一步热处理反应制备三维F...
郭满满屈耀辉杨勇袁彩雷邹成武俞挺
文献传递
纳米级气敏传感器的形成方法
本申请提供一种纳米级气敏传感器的形成方法，包括：对第三气敏层进行回刻蚀，使得第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层环绕电隔离层；形成覆盖第一介质层、第二气敏层和第三气敏层的第三介质层；在第三介质层上形成掩膜，刻蚀第三介质层和...
杨勇梁艳俞挺徐铿崔澳许科宏卢勇治杨用龙袁彩雷
一种NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列及其制备方法和应用
本发明属于纳米材料异质结技术领域，具体涉及一种NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列及其制备方法和应用。其包括衬底以及原位生长在衬底表面的NiO/CdS异质结阵列；所述衬底为Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
杨勇俞挺梁艳袁彩雷龚吴非尧慎曼
耦合纳米机械振子及其形成方法
本申请提供一种耦合纳米机械振子及其形成方法，其中耦合纳米机械振子包括：衬底；依次悬空于衬底表面的第一纳米机械振子单元和第二纳米机械振子单元；其中，第一纳米机械振子单元为耦合单元，第二纳米机械振子单元为工作单元，所述工作单...
徐铿俞挺李星仪方雨苏丁金龙曾凡焱黄姗
文献传递
纳米气敏传感器及其形成方法
本申请提供一种纳米气敏传感器及其形成方法，其中纳米气敏传感器包括：衬底；依次悬空于衬底表面的第一气敏单元和第二气敏单元；位于所述第一气敏单元和第二气敏单元的两侧的工作电极。本发明实施例的纳米气敏传感器灵敏度高，本发明实施...
杨勇梁艳张文丁梦琦刘艳婷袁彩雷俞挺顾刚
文献传递
基于纳米材料的传感器
一种基于纳米材料的传感器，包括：具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体衬底；位于第一表面的第一介质层；位于第二表面的第二介质层；位于第一介质层表面的传输线，且传输线具有间隔；填充所述间隔的MoS<Sub>2</S...
骆兴芳袁彩雷易强俞挺
文献传递
CMOS湿度传感器及其形成方法
一种CMOS湿度传感器及其形成方法，其中CMOS湿度传感器的形成方法包括：利用MOS器件中的子金属互连层的形成工艺形成湿度传感器的下电极层、第一金属互连层、第一电连接层、第二电连接层以及上电极层；然后采用兼容标准CMOS...
袁彩雷俞挺骆兴芳
文献传递
热电堆真空传感器及其制造方法
本申请提供一种热电堆真空传感器及其制造方法，其中热电堆真空传感器包括，提供衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；在第一区域形成CMOS电路；在第二区域形成热电堆真空传感器。本申请能够采用标准CMOS工艺形成CMOS电路和...
骆兴芳俞挺袁彩雷
螺旋金字塔结构的二硫化钼的制备方法和应用
本发明公开了螺旋金字塔结构的二硫化钼的制备方法和应用。所述螺旋金字塔结构二硫化钼是采用改进了的化学气相沉积法制备获得的，制备方法具体为：将装有硫粉末的石英舟放置在双温区管式炉的低温区，并将装有MoO<Sub>3</Sub...
胡策骆兴芳袁彩雷周行俞挺杨勇徐铿
文献传递
一种稀土Ce掺杂Ni<Sub>5</Sub>P<Sub>4</Sub>多孔纳米片阵列及其制备方法和应用
本发明属于纳米结构的制备领域，公开了一种稀土Ce掺杂Ni<Sub>5</Sub>P<Sub>4</Sub>多孔纳米片阵列及其制备方法和应用。本发明提供了一种杂原子掺杂的方式以此提高镍基磷化物催化活性的方法，通过引入杂原子...
杨勇梁艳尧慎曼龚吴非刘渊俞挺郭满满袁彩雷
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