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宋爱民

作品数：56 被引量：0H指数：0
供职机构：山东大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 56篇中文专利

领域

  • 19篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇文化科学
  • 1篇电气工程

主题

  • 14篇电极
  • 14篇晶体管
  • 13篇氧化镓
  • 13篇半导体
  • 11篇二极管
  • 11篇场效应
  • 8篇沟道
  • 7篇肖特基
  • 7篇开关比
  • 6篇芯片
  • 6篇光电
  • 5篇双极性
  • 5篇迁移率
  • 5篇肖特基二极管
  • 5篇场效应晶体管
  • 4篇导体
  • 4篇等离激元
  • 4篇电容
  • 4篇电容性
  • 4篇氧化铝薄膜

机构

  • 56篇山东大学

作者

  • 56篇宋爱民
  • 30篇辛倩
  • 14篇王卿璞
  • 10篇张翼飞
  • 9篇王汉斌
  • 8篇王一鸣
  • 8篇徐明升
  • 5篇李虎
  • 3篇李志军
  • 3篇李玉香
  • 2篇张锡健
  • 1篇冯先进
  • 1篇李艳芳
  • 1篇杨进
  • 1篇王名扬

年份

  • 2篇2024
  • 15篇2023
  • 5篇2022
  • 9篇2021
  • 4篇2020
  • 9篇2019
  • 6篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
共 56 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种磁控溅射非晶氧化镓光电薄膜晶体管及其制备方法与应用
本发明涉及一种磁控溅射非晶氧化镓光电薄膜晶体管及其制备方法与应用，包括由下自上依次生长的栅电极、介质层、氧化镓沟道层、源电极和漏电极；源电极和漏电极形成叉指结构。本发明在254nm的光照下，表现出优越的光电探测特性，包括...
辛倩纪兴启宋爱民
一种平面耿氏毫米波、太赫兹功率放大器及其制备方法
本发明涉及一种平面耿氏毫米波、太赫兹功率放大器及其制备方法，由下至上依次包括衬底、沟道层及共平面波导电极，沟道层的载流子浓度为1×10<Sup>14</Sup>～1×10<Sup>17</Sup>cm<Sup>‑3</S...
宋爱民王汉斌张翼飞王卿璞
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一种不稳定的二维材料的半导体薄膜场效应管及其制备方法
本发明涉及一种不稳定的二维材料的半导体薄膜场效应管及其制备方法，由下至上依次包括硅片衬底、不稳定的二维材料、氧化铝薄膜、源极及漏极。本发明可以用较为简便的方法获得空气及溶剂中不稳定的二维材料，可以用微纳加工技术获得小尺寸...
王一鸣宋爱民梁广大辛倩
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一种新型平面耿氏二极管及其制备方法
本发明涉及一种新型平面耿氏二极管及其制备方法，包括：由下至上依次设置的绝缘衬底、沟道层及设置在沟道层上的第一电极部分、第二电极部分，第一电极部分、第二电极部分及第一电极部分与第二电极部分形成的沟道中至少有一个是一体的，第...
宋爱民王汉斌王卿璞
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一种氧化镓半导体肖特基二极管及其制作方法
本发明的氧化镓(Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)半导体肖特基二极管，包括半导体层、阳极电极和阴极电极，特征在于：半导体层为Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜，阳极电极为锡的...
辛倩杜路路徐明升宋爱民
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一种氢离子浓度传感器芯片及其制备方法与应用
本发明涉及一种基于双极性SnO的氢离子浓度传感器芯片及其制备方法与应用，包括衬底、栅极、栅介质层、半导体层、源极、漏极、敏感层；衬底上生长有栅极、栅介质层，栅介质层上生长有半导体层、源极、漏极，半导体层、源极、漏极生长有...
辛倩袁玉卓宋爱民
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一种基于突触晶体管的智能日盲探测器的应用
本发明涉及一种基于突触晶体管的智能日盲探测器的应用，智能日盲探测器包括由下自上依次生长的栅电极、介质层、IGZO前沟道层、源电极和漏电极、Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>背沟道层，IGZO前沟道层与...
辛倩纪兴启宋爱民
一种双极性石墨烯纳米带场效应晶体管的制备方法
一种双极性石墨烯纳米带场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：(1)对衬底处理；(2)Gars沟道层制备，使用浸涂法沉积，以减少溶液中导电杂质的影响；(3)器件退火，以填补含氧基团缺陷，去除导电杂质的影响；(4)使用金属掩...
翟荣丽宋爱民李虎
一种基于氧化物半导体的高性能静态随机读取存储器及其制备方法
本发明涉及一种基于氧化物半导体的高性能静态随机读取存储器及其制备方法，由6个N型薄膜晶体管，或2个P型和4个N型薄膜晶体管组成；衬底为柔性衬底，N、P型薄膜晶体管的半导体层分别采用N型、P型金属氧化物材料。本发明的存储器...
辛倩杨进宋爱民
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一种避免衬底或其上的材料受烘烤损坏的蒸发镀膜设备及应用
本发明涉及一种避免衬底或其上的材料受烘烤损坏的蒸发镀膜设备及应用，包括蒸发腔室、蒸发源、样品架，样品架上设置衬底，蒸发腔室内横向设置有遮光板，遮光板位于蒸发源与样品架之间，遮光板上设有通孔，蒸发源通过通孔在样品架上的投影...
王汉斌宋爱民王卿璞
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