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姚俊涛

作品数:5 被引量:2H指数:1
供职机构:上海大学更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇金属粉体
  • 3篇粉体
  • 2篇定制化
  • 2篇定制化生产
  • 2篇丝网印刷
  • 2篇丝网印刷技术
  • 2篇小批量
  • 2篇金属屏蔽
  • 2篇后处理工序
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化铝薄膜
  • 1篇导体
  • 1篇乙基纤维素
  • 1篇油醇
  • 1篇有机添加物
  • 1篇织构
  • 1篇松油
  • 1篇松油醇
  • 1篇涂层导体
  • 1篇屏蔽材料

机构

  • 5篇上海大学

作者

  • 5篇朱玉斌
  • 5篇丁志春
  • 5篇姚俊涛
  • 3篇孙勇
  • 3篇王宗江
  • 3篇魏瑶瑶
  • 2篇王振

传媒

  • 1篇热加工工艺

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2016
  • 1篇2015
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
采用丝网印刷术制备金属屏蔽零件的方法
本发明提供了一种采用丝网印刷与金属粉体结合的精细屏蔽零件的制备方法,其技术方案为利用丝网印刷技术将精细屏蔽零件所需的金属粉末或非金属粉末直接成型,然后经过机加工等后处理工序,制成最终零件。本发明方法相比传统丝网印刷技术,...
朱玉斌丁志春李邦怿姚俊涛魏瑶瑶王宗江孙勇陶庆良
文献传递
钨铜基板上氮化铝薄膜的沉积被引量:2
2016年
采用直流反应磁控溅射的技术,在钨铜基片上沉积了AlN薄膜,通过X射线衍射、扫描电镜及能量色散能谱仪和电流电压测试仪对不同条件下制备的AlN薄膜的结构、形貌和电阻率进行了表征。结果表明,在一定范围内增加功率可以显著改善氮化铝结晶特性,在300 W时,氮化铝薄膜表现为比较明显的(100)择优取向,沉积速度达5μm/h;退火处理可以改善薄膜的结晶性,同时提高薄膜的电阻率;SEM分析表明,在300 W时,钨铜衬底上氮化铝比较均匀,较大钨颗粒已被覆盖,但致密性需要进一步提高。
王振罗穆伟姚俊涛丁志春朱玉斌
关键词:反应磁控溅射ALN薄膜
Ni基合金复合基带及其制备方法
本发明涉及一种Ni基合金复合基带,以及低成本、低耗能、过程简便的制备Ni基合金复合基带的方法,属于高温超导金属基带制备技术领域。该方法制备表层W原子百分含量为3-9%、芯层含量为9-15%的NiW合金复合基带。采用Ni粉...
罗穆伟王振李邦怿姚俊涛丁志春朱玉斌
文献传递
一种匀胶法制备含钨防辐射屏蔽薄膜复合材料的方法
本发明提供了一种匀胶法制备含钨防辐射屏蔽薄膜复合材料的方法,属于制备防辐射屏蔽材料技术领域。一种超薄含钨复合材料的制备方法,为匀胶法,包括溶胶制备、薄膜制备两个步骤,所述溶胶制备步骤中原料按质量百分比,由下述组分组成:原...
朱玉斌姚俊涛李邦怿丁志春魏瑶瑶王宗江孙勇陶庆良
文献传递
采用丝网印刷术制备金属屏蔽零件的方法
本发明提供了一种采用丝网印刷与金属粉体结合的精细屏蔽零件的制备方法,其技术方案为利用丝网印刷技术将精细屏蔽零件所需的金属粉末或非金属粉末直接成型,然后经过机加工等后处理工序,制成最终零件。本发明方法相比传统丝网印刷技术,...
朱玉斌丁志春李邦怿姚俊涛魏瑶瑶王宗江孙勇陶庆良
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共1页<1>
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