黄诗浩
- 作品数：69 被引量：18H指数：3
- 供职机构：福建工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- 利用低温缓冲层和应变超晶格技术制备高质量的锗材料
- 提出一种结合低温缓冲层和应变超晶格优势的制备方法，利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备，在Si(100)衬底上外延出厚度约为880 nm的高质量纯Ge层。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.45nm，XR...
- 陈城钊郑元宇黄诗浩李成赖虹凯陈松岩
- 关键词：应变超晶格
- 基于ARM的电动自行车通用智能充电器
- 本实用新型提供一种基于ARM的电动自行车通用智能充电器，所述充电器包括ARM主控制器、检测电路、控制电路、电源模块、降压变压器、可控整流电路、滤波稳压电路以及存储芯片，所述ARM主控制器分别与所述检测电路、所述控制电路及...
- 聂明星冯彬彬周爱君聂作先谢文明黄诗浩
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- 一种基于视觉技术的可测重石材矿山叉装车及其测重方法
- 本发明提供一种基于视觉技术的可测重石材矿山叉装车及其测重方法，所述石材矿山叉装车包括叉装车本体和测重系统，所述测重系统包括ARM主控制器、摄像头、以及两个激光雷达，所述ARM主控制器分别与摄像头、以及两个激光雷达相连，所...
- 聂明星冯彬彬蒋新华彭晋民聂作先邵明谢文明黄诗浩林抒毅周爱君
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- 基于机器视觉的商场楼层定位系统及方法
- 本发明公开了一种基于机器视觉的商场楼层定位系统，包括云端服务器和移动设备终端，云端服务器安装有存储模块、图像识别模块、智能路线规划模块，存储模块存储有商场模型、各楼层平面图、各楼层店铺图像、各店铺所在楼层位置；移动设备终...
- 黄诗浩杨鑫李建刚谢文明李天建黄靖蔡志明
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- 一种太阳能智能调光照明系统
- 本发明公开了一种太阳能智能调光照明系统，包括太阳能电池板，红外人体感应装置，光线感应器，控制器，蓄电池和照明装置；所述太阳能电池板铺设于易于采光点处，所述太阳能电池板通过控制器与照明装置相连，所述照明装置由LED灯和LE...
- 黄诗浩郑启强谢文明李天建汪涵聪陈彩云黄靖
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- 一种基于ARM的多功能晒衣杆及其智能控制方法
- 本发明提供一种基于ARM的多功能晒衣杆及其智能控制方法，所述多功能晒衣杆的ARM控制器分别与键盘、摄像头、测风仪、横向伸缩杆驱动模块以及纵向伸缩杆驱动模块相连，所述横向伸缩杆驱动模块与二横向伸缩杆电连接，所述纵向伸缩杆驱...
- 聂明星冯彬彬蒋新华邵梦雅彭晋民聂作先邵明谢文明黄诗浩林抒毅陈炳煌周爱君
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- 石材矿山叉装车智能辅助作业装置
- 本实用新型提供了一种石材矿山叉装车智能辅助作业装置，所述装置设置于叉装车上，所述装置包括一个ARM主控制器、一个摄像头、至少两个雷达、一个显示屏以及一个红色激光发射装置；所述摄像头、两个雷达、显示屏、红色激光发射装置均与...
- 聂明星冯彬彬周爱君聂作先刘石坚黄诗浩谢文明邵明李光炀
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- 金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析被引量：2
- 2013年
- 金属与Ge材料接触时界面处存在着强烈的费米钉扎效应,尤其与n型Ge形成的欧姆接触的比接触电阻率高,是制约Si基Ge器件性能的关键因素之一.本文对比了分别采用金属Al和Ni与Si衬底上外延生长的p型Ge和n型Ge材料的接触特性.发现在相同的较高掺杂条件下,NiGe与n型Ge可形成良好的欧姆接触,其比接触电阻率较Al接触降低了一个数量级,掺P浓度为2×1019cm-3时达到1.43×10-5·cm2.NiGe与p型Ge接触和Al接触的比接触电阻率相当,掺B浓度为4.2×1018cm-3时达到1.68×10-5·cm2.NiGe与n型Ge接触和Al电极相比较,在形成NiGe过程中,P杂质在界面处的偏析是其接触电阻率降低的主要原因.采用NiGe作为Ge的接触电极在目前是合适的选择.
- 严光明李成汤梦饶黄诗浩王尘卢卫芳黄巍赖虹凯陈松岩
- 关键词：比接触电阻率
- 硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长被引量：4
- 2012年
- 利用超高真空化学气相淀积系统,基于低温缓冲层和插入应变超晶格的方法,在Si(100)衬底上外延出厚度约为880nm的纯Ge层.采用X射线双晶衍射、高分辨透射电镜、原子力显微镜和光致发光谱分别表征了其结构及光学性质.测试结果显示外延Ge的X射线双晶衍射曲线半高宽为273″,表面均方根粗糙度为0.24 nm,位错密度约为1.5×10~6cm^2.在室温下观测到外延Ge的直接带跃迁光致发光,发光峰值位于1540 nm.表明生长的Si基Ge材料具有良好的结晶质量,可望在Si基光电子器件中得到应用.
- 陈城钊郑元宇黄诗浩李成赖虹凯陈松岩
- 关键词：UHV/CVD光致发光谱
- 一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法
- 一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法，涉及一种纳米材料。在SOI衬底上，用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构，用全息激光干涉法对得到的样品曝光显影得周期在1μm以下的光栅阵列，利用I...
- 李成卢卫芳黄诗浩林光杨陈松岩
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