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刘维辉

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：湘潭大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇图像
  • 2篇图像传感器
  • 2篇感器
  • 2篇CMOS
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷传输
  • 1篇电源电压
  • 1篇选通
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇英文
  • 1篇优化设计
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇互补金属氧化...
  • 1篇积分
  • 1篇积分法
  • 1篇计数率
  • 1篇光电
  • 1篇光电二极管

机构

  • 3篇湘潭大学

作者

  • 3篇刘维辉
  • 2篇金湘亮
  • 1篇杨红姣
  • 1篇杨佳
  • 1篇汤丽珍

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
基于PPD结构的TOF测距图像传感器设计
随着市场对3D成像系统需求的增加，越来越多的研究致力于获得完整的类似人眼的3D信息。实时的3D成像系统相对传统的光强度成像系统有更多的应用领域，比如：汽车安全、生物医学装置、机器人、娱乐设备、工业控制以及虚拟现实仪器等领...
刘维辉
关键词：图像传感器优化设计
一种新型低暗计数率单光子雪崩二极管的设计与分析（英文）被引量：4
2016年
基于0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器工艺提出一种新型的低暗计数率(Dark Count Rate)单光子雪崩二极管(SPAD)器件.该器件是利用P+/LNW(Light N-well doping)结检测光子,并通过低浓度的N型扩散圆形保护环抑制边缘击穿,确保其工作在盖格模式.测试结果表明在室温环境下,直径为8μm的SPAD器件,雪崩击穿电压为14.2 V,当过调电压设置为2 V时,暗计数率为260 Hz,具有低的暗计数率特性.
杨佳金湘亮杨红姣汤丽珍刘维辉
一种高速CMOS图像传感器
本发明公开了一种高速CMOS图像传感器，它包括钳位光电二极管、浮空扩散节点、电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管和行选择晶体管；复位晶体管和源跟随晶体管的漏极都与电源电压相连，所述源跟随晶体管的源极与行选择晶体管的漏...
金湘亮刘维辉
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