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康仕寿

作品数:11 被引量:0H指数:0
供职机构:山东大学更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇铁磁
  • 5篇磁性
  • 5篇存储器
  • 4篇电子存储
  • 4篇电子存储器
  • 4篇数据存储
  • 4篇隧道结
  • 4篇磁性隧道结
  • 2篇单层膜
  • 2篇单畴
  • 2篇钉扎
  • 2篇度条件
  • 2篇多态
  • 2篇振荡器
  • 2篇整流
  • 2篇整流特性
  • 2篇直流
  • 2篇直流测量
  • 2篇十进制
  • 2篇十进制运算

机构

  • 11篇山东大学

作者

  • 11篇颜世申
  • 11篇康仕寿
  • 9篇陈延学
  • 8篇田玉峰
  • 3篇刘国磊
  • 3篇梅良模
  • 2篇张昆
  • 2篇李强
  • 2篇乔士柱
  • 2篇李欢欢
  • 1篇曹强
  • 1篇白洪亮
  • 1篇贺树敏

年份

  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2011
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
自旋矩纳米振荡器及基于该振荡器的太赫兹信号发生器
本发明公开了自旋矩纳米振荡器,包括自上至下依次布置的合成反铁磁结构、非磁性间隔层、磁性固定层;磁性固定层,其接收非自旋极化的电流,转化并输出为自旋极化的电流;合成反铁磁结构,其接收来自磁性固定层的自旋极化电流输出,受自旋...
康仕寿钟海乔士柱颜世申
文献传递
一种具有整流磁电阻效应的磁传感器及其制备方法与应用
一种具有整流磁电阻效应的磁传感器,包括在半导体上形成的可磁场调控的肖特基势垒,以使所述磁传感器具有整流磁电阻效应,既具有整流效应,又具有磁电阻效应。当一个交变的电流通过该磁传感器时,在该磁传感器两端产生一个整流电压。并且...
颜世申梅良模田玉峰张昆李欢欢李强叶升涛康仕寿陈延学刘国磊
一种控制反铁磁层及钉扎层磁畴结构在磁性隧道结中实现多态数据存储的方法
本发明涉及一种控制反铁磁层及钉扎层磁畴结构在磁性隧道结中实现多态数据存储的方法,包括:(1)在较高温度条件下,零磁场或者对磁性隧道结施加与诱导场同方向的饱和磁场;(2)退火1h;(3)在稍低温度下继续退火,对磁性隧道施加...
颜世申田玉峰陈延学钟海柏利慧康仕寿
文献传递
外延ZnMnO薄膜中Mn2+/3+d-d激发态的光致发光谱研究
研究了一系列高质量ZnMnO外延薄膜的磁性以及对应的Mn2+/3+的激发态的PL谱.如图1(b)所示,在温度为5K的时候,在非铁磁性的ZnMnO样品观察到位于3.323eV的发光峰I1,而在铁磁性的ZnMnO样品中观测到...
白洪亮贺树敏刘国磊曹强陈延学康仕寿颜世申梅良模
关键词:光致发光铁磁性导带配位体
一种控制自由层畴结构在磁性隧道结中实现十态数据存储的方法
本发明涉及一种控制自由层畴结构在磁性隧道结中实现十态数据存储的方法,包括:(1)测量磁性隧道结的磁滞回线,找出初始磁场;(2)在负磁场方向对磁性隧道结施加初始磁场;(3)对磁性隧道结施加正方向磁场,通过No oversh...
田玉峰颜世申钟海陈延学柏利慧康仕寿
文献传递
一种具有整流磁电阻效应的磁传感器及其制备方法与应用
一种具有整流磁电阻效应的磁传感器,包括在半导体上形成的可磁场调控的肖特基势垒,以使所述磁传感器具有整流磁电阻效应,既具有整流效应,又具有磁电阻效应。当一个交变的电流通过该磁传感器时,在该磁传感器两端产生一个整流电压。并且...
颜世申梅良模田玉峰张昆李欢欢李强叶升涛康仕寿陈延学刘国磊
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一种控制铁磁单层膜的多畴结构实现十态数据存储的方法
本发明涉及一种控制铁磁单层膜的多畴结构实现十态数据存储的方法,包括:(1)对多畴磁性薄膜施加足够大的负饱和磁场,使多畴磁性薄膜处于单畴状态;(2)对步骤(1)操作后的多畴磁性薄膜施加正向写入磁场,通过改变写入磁场的强度,...
颜世申田玉峰陈延学柏利慧康仕寿
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自旋矩纳米振荡器及基于该振荡器的太赫兹信号发生器
本发明公开了自旋矩纳米振荡器,包括自上至下依次布置的合成反铁磁结构、非磁性间隔层、磁性固定层;磁性固定层,其接收非自旋极化的电流,转化并输出为自旋极化的电流;合成反铁磁结构,其接收来自磁性固定层的自旋极化电流输出,受自旋...
康仕寿钟海乔士柱颜世申
一种控制反铁磁层及钉扎层磁畴结构在磁性隧道结中实现多态数据存储的方法
本发明涉及一种控制反铁磁层及钉扎层磁畴结构在磁性隧道结中实现多态数据存储的方法,包括:(1)在较高温度条件下,零磁场或者对磁性隧道结施加与诱导场同方向的饱和磁场;(2)退火1h;(3)在稍低温度下继续退火,对磁性隧道施加...
颜世申田玉峰陈延学钟海柏利慧康仕寿
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一种控制铁磁单层膜的多畴结构实现十态数据存储的方法
本发明涉及一种控制铁磁单层膜的多畴结构实现十态数据存储的方法,包括:(1)对多畴磁性薄膜施加足够大的负饱和磁场,使多畴磁性薄膜处于单畴状态;(2)对步骤(1)操作后的多畴磁性薄膜施加正向写入磁场,通过改变写入磁场的强度,...
颜世申田玉峰陈延学柏利慧康仕寿
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共2页<12>
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