朱丹丹
- 作品数：13 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国科学院理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院战略性先导科技专项更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程更多>>
- 一种二硫化锡单晶纳米片的制备方法
- 本发明公开一种二硫化锡单晶纳米片的制备方法，该方法包括如下步骤：1)将衬底放置于水平管式炉加热区下游区域；2)称量SnS2粉末，并置于耐高温容器中，然后将其放置在管式炉加热区；3)称量硫粉，并置于另一耐高温容器中，然后将...
- 孟祥敏夏静朱丹丹王磊黄奔
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- 一种可控制备正交相硫化亚锡二维单晶纳米片的方法
- 本发明公开一种可控制备正交相硫化亚锡(SnS)二维单晶纳米片的方法。该方法包括将衬底置于水平管式炉的加热中心下游，距离加热中心8-20cm，将SnS粉末放入耐高温容器中，将容器置于水平管式炉的加热中心；对管式炉抽真空，待...
- 孟祥敏夏静李玄泽朱丹丹王磊
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- 一维硅纳米线的制备方法
- 本发明公开一种一维硅纳米线制备方法，该方法包括如下步骤：1)将SiO粉末放入耐热容器中，然后将所述耐热容器放置于密闭加热装置的加热区；2)将洁净的钼网放置于另一耐高温的容器中，然后将其放置在所述密闭加热装置的非加热区；3...
- 孟祥敏黄奔夏静王磊朱丹丹
- 文献传递
- 一种二硫化锡单晶纳米片的制备方法
- 本发明公开一种二硫化锡单晶纳米片的制备方法，该方法包括如下步骤：1)将衬底放置于水平管式炉加热区下游区域；2)称量SnS2粉末，并置于耐高温容器中，然后将其放置在管式炉加热区；3)称量硫粉，并置于另一耐高温容器中，然后将...
- 孟祥敏夏静朱丹丹王磊黄奔
- SnS_2纳米片的制备及其器件应用进展被引量：2
- 2016年
- 二维半导体是一种新兴的具有石墨烯类似结构的电子材料,拥有优异的电学、光学、磁学、力学等性能,可应用于不同的技术领域,因而成为当今材料科学研究领域的热点之一。在众多的二维半导体材料之中,二硫化锡(SnS_2)是一种对环境友好的电子材料,由自然界含量丰富的硫元素和锡元素组成。它在微电子学、太阳能电池、光催化等诸多方面均展现出巨大的应用潜力,受到了广泛的关注。本文主要介绍了近期气相沉积法制备SnS_2纳米片及其在电子学与光电子学领域中的应用进展。
- 夏静王磊朱丹丹李玄泽孟祥敏
- 关键词：气相沉积法
- Fe掺杂ZnO空心微球的制备与光催化性能被引量：2
- 2016年
- ZnO是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,其能带宽度约为3.37eV,在光电子学、传感、光催化、发电等诸多领域都具有巨大的应用潜力。本文采用简单的离子交换和热蒸发法成功制备了Fe掺杂ZnO空心微球,并利用扫描电镜、透射电镜、X射线粉末衍射仪对其形貌、结构以及成分等进行了详细的表征。光吸收测试证明Fe元素掺杂能够扩展ZnO的光吸收波段,实现波长375~600nm的光波吸收。另外,光催化实验证明Fe掺杂ZnO空心微球能够有效地促进罗丹明B的降解,表明合成的Fe掺杂ZnO空心微球是一种优异的光催化剂。
- 王勐夏静朱丹丹王磊孟祥敏
- 关键词：热蒸发氧化锌铁掺杂空心微球光催化
- 一种硒化镉或硫化镉二维单晶纳米片的制备方法
- 本发明公开一种硒化镉或硫化镉二维单晶纳米片的制备方法。该方法采用范德华外延生长技术制备CdSe或CdS二维单晶纳米片，此方法的特征是采用表面光滑且无化学悬键的云母片为衬底，以CdCl<Sub>2</Sub>粉末、Se粉或...
- 孟祥敏朱丹丹夏静王磊李玄泽
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- 钼网衬底上大面积硅纳米线的制备及其光催化性能研究被引量：2
- 2016年
- 硅纳米材料广泛应用于光功能导向的各个领域,发展针对光功能应用及一维硅纳米结构的规模化可控制备方法,实现硅纳米结构的宏量制备,将为硅纳米结构的应用提供材料保障。本文采用简单的化学气相沉积法成功地在Mo网衬底上制备了大面积的硅纳米线(SiNWs),并通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线粉末衍射仪、拉曼光谱仪,对制备的SiNWs进行了详细的研究。通过在低功率紫外光照射下SiNWs对罗丹明B和甲基蓝的光降解能力的研究,发现在Mo网衬底上生长的SiNWs对于有机染料具有很好的降解能力。
- 黄奔李玄泽王磊夏静朱丹丹孟祥敏
- 关键词：硅纳米线化学气相沉积法光催化
- 范德华外延生长硫化镉二维纳米片及其光致发光性能研究
- 2016年
- 二维纳米材料具有独特的结构和优异的性能,在电子学及光电子学领域有广泛的应用前景,但关于硫化镉二维纳米材料的制备及性能研究还鲜有报道。本文首次采用范德华外延生长技术,在氟金云母片衬底上制备了硫化镉二维纳米片。通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、原子力显微镜、X射线粉末衍射仪和拉曼光谱仪等分析手段对产物的形貌、厚度、晶体结构、成分等进行了系统的研究。结果表明,纳米片具有六方纤锌矿晶体结构,尺寸约为几个微米,厚度约为几十纳米。范德华外延生长技术在硫化镉二维单晶纳米片制备上的成功应用,为其它二维非层状材料的制备提供了新的思路,并使其在高性能电子和光电子器件上的应用成为了可能。
- 朱丹丹夏静王磊李玄泽孟祥敏
- 关键词：硫化镉光致发光
- 一种硒化镉或硫化镉二维单晶纳米片的制备方法
- 本发明公开一种硒化镉或硫化镉二维单晶纳米片的制备方法。该方法采用范德华外延生长技术制备CdSe或CdS二维单晶纳米片，此方法的特征是采用表面光滑且无化学悬键的云母片为衬底，以CdCl<Sub>2</Sub>粉末、Se粉或...
- 孟祥敏朱丹丹夏静王磊李玄泽
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