陈红梅
- 作品数：12 被引量：35H指数：4
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生更多>>
- 光子集成器件及其制作方法
- 本发明提供了一种光子集成器件，包括衬底；衬底上设置有二维材料单元以及位于二维材料单元两侧的半导体发光单元；二维材料单元中设置有发光波段长于半导体发光单元的发光波段的发光二维材料，半导体发光单元向二维材料单元提供泵浦光源，...
- 张子旸陈红梅黄源清刘清路
- 文献传递
- 微流控芯片、其制作方法以及原位催化和检测方法
- 本申请公开了一种微流控芯片、其制作方法以及原位催化和检测方法，该微流控芯片是在硅基“Y”型通道内部加工出周期性尖峰微结构。该黑硅表面在经过氢氟酸氢化处理后，可实现银纳米粒子在尖峰微结构表面的原位化学生长，进而利用银-黑硅...
- 顾志鹏王腾飞陈红梅刘静静聂富强
- 文献传递
- 基于微流控芯片的细胞迁移被引量：6
- 2016年
- 细胞迁移在血管再生、伤口愈合、炎症反应、胚胎发育等多种生理和病理过程中起到关键作用.细胞迁移研究中,传统的研究方法无法满足高通量的需求,且大多是单因素检测,难以综合考虑细胞基质、浓度梯度等多参数对细胞迁移的影响.微流控芯片分析是当前的科技前沿领域之一,其作为细胞迁移研究新的技术平台,一方面具有集成度高、灵敏度高、高通量、试剂消耗少等优势,快速实现大规模分析;另一方面芯片中微米级的通道结构可精确控制物质浓度梯度和微流体,调节溶液温度和pH等细胞微环境要素,更真实模拟细胞体内生长微环境,并完成实时监测.微流控芯片已经被广泛应用于细胞迁移研究,其模型分为二维(2D)和三维(3D)2大类,分别从平面培养和立体生长的角度,研究不同因子浓度梯度、电刺激或细胞间相互作用等条件对细胞迁移行为的影响,打破了传统方法的局限性,促进了生物及医学等领域的研究.本文介绍了微流控芯片在细胞迁移研究中应用的最新进展,重点综述了研究细胞迁移的2D和3D微流控芯片,并讨论了各类微流控芯片的优缺点.
- 刘雯婷陈红梅聂富强
- 关键词：微流控芯片细胞迁移伤口愈合浓度梯度
- P型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器被引量：5
- 2021年
- 1.3μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点激光器外延结构,并分别制备了量子点激光器。另外,为了抑制量子点激发态与基态的激射竞争,设计并优化了激光器腔面的镀膜工艺。最终实现了300μm超短腔长基态激射的p型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs的量子点激光器,展示出了其在高速光通信系统应用中的巨大潜力。
- 姚中辉陈红梅王拓蒋成张子旸
- 关键词：激光器量子点分子束外延腔面镀膜
- 中红外量子级联超辐射发光二极管的研制
- 2019年
- 量子级联(QC)超辐射发光二极管(SLD)已经成为众多应用领域(如生物成像、气体探测和红外对抗等)理想的中红外(MIR)宽光谱光源。然而,QC材料基于子带间跃迁的发光模式使其自发辐射效率较低,要获得高功率、宽光谱、可满足实际应用需求的MIR SLD具有非常大的挑战。基于四阱耦合和双声子共振结构的QC材料,并结合仿真模拟设计出新颖的紧凑型分段式波导结构,提高了自发辐射效率,成功研制了发光波长约为5μm的SLD。所制备的器件工作温度达到273 K,光谱半高宽约为485 nm,同时紧凑的波导结构亦有利于形成阵列结构器件来进一步提高其输出功率,为MIR宽光谱光源的实际应用提供参考。
- 孙家林陈红梅侯春彩张锦川卓宁宁吉强刘峰奇张子旸
- 关键词：电致发光光谱
- 1.3μm InAs/GaAs量子点侧向耦合浅刻蚀分布反馈激光器
- 2019年
- 为了简化工艺流程和减轻制备难度,提出了1.3μm分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的新型制作方法.该方法采用纯折射率侧向耦合(laterally coupled,LC)结构,将一阶光栅浅刻蚀在脊形波导两侧,避免了激光器材料的二次外延和光栅深刻蚀.采用非掺杂和p掺杂两种InAs/GaAs量子点(quantum dot,QD)样品来制备LC-DFB激光器.与采用传统方法制备的DFB激光器相比,非掺杂量子点LC-DFB激光器表现出了低的阈值电流,其值为1.12mA/量子点层;p掺杂量子点LC-DFB激光器表现出了较大的特征温度和斜率效率.在室温下,这种浅刻蚀的LC-DFB激光器实现了单纵模连续输出,边模抑制比(side mode suppression ratio,SMSR)高达51dB.同时,在不同的测试温度和注入电流下,这种激光器表现出了优良的波长稳定性.1.3μm浅刻蚀量子点LC-DFB激光器有望在远距离光纤通信领域实现巨大应用价值.
- 李齐柱伏霞张子旸王旭陈红梅侯春彩黄源清郭春扬闵嘉华
- 关键词：分布反馈激光器边模抑制比
- 碳量子点的合成研究进展与展望被引量：17
- 2016年
- 碳量子点(CQDs)呈现出的亲水性、低细胞毒性、化学及光稳定性等优异性质,使其在化学、生物医学、传感学及光电子学领域得到了广泛的关注与应用。本文重点介绍CQDs合成的最新进展,总结了宏观条件下CQDs合成的自上而下法(弧光放电、激光烧蚀、电化学等)与自下而上法(化学氧化、热分解、微波加热等),比较了不同合成方法中碳源的利用率、反应条件、产物的尺寸分布、荧光性能及应用,讨论了各种合成方法的成功之处与存在的问题。文中详细介绍了基于微反应器原理的反胶束法和模板法在CQDs尺寸可控合成领域的应用。微流控芯片技术在纳米材料合成中显现安全、高效、可控等优于宏观反应体系的优势,结合目前微流控芯片合成CQDs的研究进展,可以预期微流控芯片在不久的将来将会在CQDs的合成中得到更成功的应用。
- 孙墨杰赵志海陈红梅聂富强
- 关键词：尺寸控制微流控芯片
- 1310 nm高功率超辐射发光二极管的制备及性能研究被引量：6
- 2021年
- 为优化1310 nm超辐射发光二极管输出性能,提高器件输出功率,针对J型波导结构的1310 nm超辐射发光二极管的波导结构参数及器件散热能力进行研究。结果表明波导刻蚀深度、弯曲角度和绝缘层厚度是影响器件实现高功率输出的重要因素。基于研究结果对超辐射发光二极管器件结构及工艺进行优化,制备出脊宽5μm、弯曲角度8°、刻蚀深度1.7μm、绝缘层厚300 nm的J型超辐射发光二极管。该器件在室温及500 mA连续注入电流条件下,直波导长度1.5 mm时实现10 nm宽的输出光谱,输出功率达到42.2 mW。
- 王拓陈红梅贾慧民姚中辉房丹蒋成张子旸李科学唐吉龙魏志鹏
- 关键词：超辐射发光二极管输出性能
- 微流控芯片、其制作方法以及原位催化和检测方法
- 本申请公开了一种微流控芯片、其制作方法以及原位催化和检测方法，该微流控芯片是在硅基“Y”型通道内部加工出周期性尖峰微结构。该黑硅表面在经过氢氟酸氢化处理后，可实现银纳米粒子在尖峰微结构表面的原位化学生长，进而利用银‑黑硅...
- 顾志鹏王腾飞陈红梅刘静静聂富强
- 文献传递
- 基于微流控芯片的抗生素检测装置和检测方法
- 本申请公开了一种基于微流控芯片的抗生素检测装置和检测方法，该装置包括基材，该基材上形成有一分离通道、一缓冲液孔、2个样品储备孔和一检测孔，分离通道的一端分别通过微通道与所述缓冲液孔和2个样品储备孔连通，分离通道的另一端与...
- 顾志鹏王腾飞陈红梅刘静静聂富强
- 文献传递
