杜奔
- 作品数：20 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市青年科技启明星计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- Ⅲ-Ⅴ雪崩光电探测器:低电压、波长延伸及量子倍增增强
- 本报告将介绍在InGaAs APD方面的持续探索，包括低电压型InGaAsAPD，波长延伸型InGaAs APD,和采用量子点倍增增强结构的GaAs APD概念演示器件。其中低电压型器件采用薄InAlAs电子倍增层和倍增...
- 马英杰张永刚顾溢陈星佑奚苏萍杜奔师艳辉纪婉嫣李爱珍
- 关键词：雪崩光电探测器电压控制
- 不同缓冲层类型对InP基In0.83Ga0.17As探测器性能的影响
- 波长大于1.7 μm的高In组分InGaAs短波红外探测器由于其在红外遥感、夜视、光谱测量等方面都有着重要应用[1-3],引起了越来越多的关注.如果高In组分InxGa1-xAs(x＞0.53)吸收层直接生长在InP衬底...
- 奚苏萍顾溢张永刚陈星佑马英杰周立杜奔李爱珍李好斯白音
- InGaAs/InAlAs异变探测器应变弛豫和载流子输运调控
- 顾溢张永刚陈星佑马英杰杜奔张见
- FTIR测量的宽波数范围发射光谱强度校正被引量：3
- 2016年
- 针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.以一组覆盖宽波数范围的样品为例用此方案测量校正了室温下测得的光荧光谱,并对校正前后的结果进行了比对分析,获得了与实际符合的结论.结果表明采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得宽波数范围内的有效发光强度信息.
- 张永刚奚苏萍周立顾溢陈星佑马英杰杜奔
- 关键词：发射光谱发光强度光荧光傅里叶变换
- 2～3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器被引量：1
- 2016年
- 介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2．5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2．5～3μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1．7μm的高In组分InGaAs光电探测器等，这些器件结构均采用GSMBE方法生长，其中2．5μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用，2．9μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射，含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2．6μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小，此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制．
- 张永刚顾溢陈星佑马英杰曹远迎周立奚苏萍杜奔李爱珍李好斯白音
- 关键词：半导体激光器光电探测器气态源分子束外延
- 含超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17As/InP探测器结构优化
- 在民用和军用的短波红外(SWIR）探测器中,1-3μm波段的高铟组分InxGa1-xAs(x>0.53)pin型光电二极管探测器已获得广泛应用.不同于光通信应用中将探测器的带宽作为关键器件性能指标,航天遥感应用则更强调探...
- 师艳辉张永刚顾溢马英杰陈星佑龚谦纪婉嫣杜奔
- 关键词：光响应度暗电流
- InGaAs探测器的ICPCVD氮化硅钝化工艺优化
- 氮化硅薄膜由于具有高致密性、漏电低、抗氧化、高介电常数和对杂质离子的掩蔽能力等优良的物理化学稳定性、光学性能,被广泛地应用于太阳能电池、光电子和微电子等领域中.由于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体界面态密度较高,界面态缺陷会产生复合...
- 朱怡顾溢陈星佑马英杰张永刚杜奔纪婉嫣师艳辉张见
- 关键词：半导体探测器表面钝化氮化硅薄膜
- 2-3微米波段InP基无锑量子阱激光器材料、器件及应用
- 顾溢张永刚曹远迎陈星佑李爱珍马英杰周立李好斯白音李耀耀奚苏萍杜奔王凯方祥
- 开拓2-3微米波段的半导体激光器对于发展航天遥感和气体光谱分析具有重要价值，对于把中国成像技术从被动探测成像向主动光谱成像发展具有重要的推动作用。在此波长范围半导体激光器虽可采用基于GaSb衬底的含锑材料，但锑化物材料本...
- 关键词：
- 关键词：半导体激光器
- 面向短波红外应用的InGaAsBi材料生长研究
- 通过大范围地调节In与Bi的组分,新型稀铋半导体材料InGaAsBi可在InP衬底上匹配生长,同时其理论发光波长最长能达到6微米,完全覆盖短波红外波段,因此具有广泛应用前景.将InGaAsBi作为面向短波红外应用PIN型...
- 杜奔陈星佑顾溢马英杰奚苏萍张见张永刚
- 关键词：半导体材料
- InP基短波红外探测器与激光器研究最新进展
- 在本报告中，将介绍在研究InP基大于1.7微米的短波红外波段探测器及激光器方面的最新进展。这些材料和器件均是采用气态源分子束外延生长的。对于探测器，设计并生长了不同结构的InP基异变InAlAs缓冲层，分析了组分阶跃递变...
- 顾溢张永刚陈星佑马英杰奚苏萍杜奔纪婉嫣师艳辉张见朱怡李爱珍
- 关键词：激光器晶格结构性能表征
