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胡健楠: 作品数：16 被引量：8H指数：2; 供职机构：北京真空电子技术研究所更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学化学工程冶金工程更多>>

合作作者

射频分子束外延方法生长氮化铝薄膜材料研究: 本文采用射频分子束外延(RF-MBE)方法生长了氮化铝薄膜，并定量表征了其缺陷情况。结果表明，保持富Al条件，并通过适当提高生长温度来促进材料结晶，有利于抑制刃型位错的产生，但会引入更多的氧杂质。在富Al条件下进行二维生...; 胡健楠郝智彪任凡张辰罗毅; 关键词：氮化铝薄膜位错密度点缺陷

SOI衬底上制作半导体微纳结构器件的方法: 本发明公开了一种SOI衬底上制作半导体微纳结构器件的方法，该方法包括步骤：S1在SOI衬底的表面硅层上制作微纳结构器件图形；S2利用选择性腐蚀液去除表面硅层图形下方的二氧化硅，形成空气桥图形结构；S3在所述形成空气桥图形...; 郝智彪钮浪胡健楠汪莱罗毅; 文献传递

石英钟罩对MPCVD金刚石膜沉积的影响被引量：1: 2014年; 为了提高高品质金刚石膜的沉积速率,利用CST三维电磁场仿真软件,模拟了Diamo Tek700微波等离子体化学气相沉积设备中,在忽略等离子体存在的前提条件下,石英钟罩的厚度和形状对沉积金刚石膜的基片表面电场分布的影响。同时采用壁厚3 mm,3.5 mm和4 mm的平顶和壁厚4 mm的圆顶钟罩分别进行了金刚石膜的沉积实验。模拟结果显示,对于同一类型的石英钟罩,壁厚的变化（3-4 mm）对基片表面平均电场影响不大;而壁厚相同的圆顶钟罩情况下基片表面平均电场则比平顶的高出10%。壁厚4 mm的圆顶石英钟罩得到了相对较高且均匀的电场分布。结果表明,沉积速率与模拟的基片表面电场强度存在对应关系;采用壁厚4 mm圆顶钟罩与原厂设计的壁厚3 mm平顶钟罩相比,在相同的工艺条件下,沉积速率提高一倍,达到1.4μm/h。; 李莉莉丁明清潘攀胡健楠冯进军; 关键词：微波等离子体化学气相沉积金刚石钟罩沉积速率

射频分子束外延生长氮化铝材料中缺陷的研究被引量：1: 2012年; 采用射频分子束外延方法生长了氮化铝薄膜材料,研究了生长条件对外延层中位错和点缺陷等晶体缺陷的影响。结果表明,在富Al条件下,适当提高生长温度有利于抑制位错的产生,但同时会引入更多的氧杂质点缺陷。而对于空位点缺陷,在富Al条件下进行二维生长可同时增强Al和N原子的迁移,因此可有效地减少Al空位和N空位。但是,相比于Al空位,薄膜中的N空位更难以消除。; 胡健楠郝智彪任凡张辰罗毅; 关键词：分子束外延氮化铝位错密度点缺陷

MBE生长硅基AlN的极性控制及材料特性研究: 由于氮化物半导体材料在电子以及光电子器件的广泛应用,硅衬底上外延Ⅲ族氮化物半导体越来越引起学术界和产业界的重视.由于硅衬底本身是非极性的,在硅衬底上外延氮化物半导体的极性问题成为研究的重点之一.本文主要研究了分子束外延(...; 钮浪胡健楠鄂炎雄郝智彪汪莱罗毅; 关键词：半导体分子束外延生长性能分析; 文献传递

铝插入层对硅基AlN外延特性的影响: 2012年; 采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)研究了Al金属插入层对Si(111)衬底上AlN薄膜材料生长的影响。结果证明,Al插入层可改善AlN外延层的晶体质量,而且引入Al预扩散机制可消除外延表面的孔隙。同时,采用AlN插入层预扩散有利于获得Al极性的AlN,否则倾向于获得N极性的AlN。; 胡懿彬郝智彪胡健楠钮浪汪莱罗毅; 关键词：ALN SI衬底

AlN/蓝宝石模板上生长的GaN研究被引量：2: 2010年; 研究了在分子束外延制备的AlN/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和原子力显微镜研究了AlN模板的晶体质量和表面相貌对GaN的影响.结果表明,当AlN的表面粗糙度较小时,尽管AlN模板的位错密度较高((102)面XRDω扫描半高全宽900—1500arcsec),但生长得到的GaN依然具有和在蓝宝石衬底上采用"二步法"生长的GaN可比拟的晶体质量((002)面XRDω扫描半高全宽200—300arcsec,(102)面400—500arcsec)和表面粗糙度(0.1—0.2nm).TEM照片表明GaN中位错密度降低的原因是AlN中的一部分位错在AlN和GaN的界面处被终止而未能延伸至GaN中.这可能是因为Ga原子尺寸较大,具有修复晶格缺陷的作用.而当AlN的表面粗糙度较大时,Ga原子在MOVPE生长过程中的迁移受到影响,得到的GaN晶体质量非常差.此外,采用范德堡法测量的GaN电阻率为105—106Ω·cm,比蓝宝石衬底上生长的GaN高大约6个数量级,这被认为是采用AlN代替GaN低温缓冲层所致.; 汪莱王磊任凡赵维王嘉星胡健楠张辰郝智彪罗毅; 关键词：氮化镓氮化铝

一种在硅衬底上外延生长III族氮化物半导体材料的方法: 本发明涉及一种在硅衬底上外延生长III族氮化物半导体材料的方法，首先在硅衬底表面形成晶态Si3N4层；然后通入铝源将晶态Si3N4层...; 郝智彪胡健楠钮浪汪莱罗毅; 文献传递

SOI衬底上制作半导体微纳结构器件的方法: 本发明公开了一种SOI衬底上制作半导体微纳结构器件的方法，该方法包括步骤：S1在SOI衬底的表面硅层上制作微纳结构器件图形；S2利用选择性腐蚀液去除表面硅层图形下方的二氧化硅，形成空气桥图形结构；S3在所述形成空气桥图形...; 郝智彪钮浪胡健楠汪莱罗毅; 文献传递