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Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究被引量：5: 2008年; 在研制AlGaN/GaNHEMT器件的基础上,采用ALD法制备了Al2O3AlGaN/GaNMOSHEMT器件.通过X射线光电子能谱测试表明在AlGaN/GaN异质结材料上成功淀积了Al2O3薄膜.根据对HEMT和MOSHEMT器件肖特基电容、器件输出以及转移特性的测试进行分析发现:所制备的Al2O3薄膜与AlGaN外延层间界面态密度较小,因而MOSHEMT器件呈现出较好的栅控性能;其次,该器件的栅压可以加至+3V,此时的最大饱和电流达到800mA/mm,远远高于肖特基栅HEMT器件的最大输出电流;而且栅漏反偏状态下的泄漏电流却减小了两个数量级,提高了器件的击穿电压,通过进一步分析认为泄漏电流主要来源于Fowler-Nordheim隧穿.; 冯倩郝跃岳远征; 关键词：AL2O3 泄漏电流高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN异质结原子层淀积

AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究: 通过实验测量对AlGaN/GaN HEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究。AlGaN/GaN HEMT Si<,3>N<,4>钝化层使用PECVD获得。文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化,钝化后...; 岳远征郝跃张进城冯倩; 关键词：电流崩塌表面钝化传输线模型载流子密度; 文献传递

AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究(英文)被引量：1: 2008年; 通过实验测量对AlGaN/GaN HEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究.AlGaN/GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得.文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化,钝化后直流电流崩塌明显减少,仍然存在小的崩塌是由于GaN缓冲层中的陷阱对电子的捕获.传输线模型测量表明,钝化后电流的增加是由于钝化消除了表面态密度进而增加了沟道载流子密度.; 岳远征郝跃张进城冯倩; 关键词：高电子迁移率晶体管钝化电流崩塌

超薄Al_2O_3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件研究: 2009年; 采用原子层淀积(ALD),实现超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件栅长0.8μm,栅宽60μm,栅压为+3.0V时最大饱和输出电流达到800mA/mm,最大跨导达到150ms/mm,与同样尺寸的AlGaN/GaNHEMT器件相比,栅泄漏电流比MES结构的HEMT降低两个数量级,开启电压保持在?5.0V.C-V测量表明Al2O3能够与AlGaN形成高质量的Al2O3/AlGaN界面.; 岳远征郝跃冯倩张进城马晓华倪金玉; 关键词：原子层淀积 ALGAN/GAN

Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究: 2009年; 采用原子层淀积(ALD)实现了10nmAl2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).通过对MOS-HEMT器件和传统MES-HEMT器件室温特性的对比,验证了新型MOS-HEMT器件饱和电流和泄漏电流的优势.通过分析MOS-HEMT器件在30—180℃之间特性的变化规律,与国内报道的传统MES-HEMT器件随温度退化程度对比,得出了器件饱和电流和跨导的退化主要是由于输运特性退化造成的,证明栅介质减小了引入AlGaN界面的表面态是提高特性的重要原因.; 刘林杰岳远征张进城马晓华董作典郝跃; 关键词：原子层淀积 ALGAN/GAN 温度特性

Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响被引量：1: 2009年; 在蓝宝石衬底上采用原子层淀积法制作了三种不同Al2O3介质层厚度的绝缘栅高电子迁移率晶体管.通过对三种器件的栅电容、栅泄漏电流、输出和转移特性的测试表明:随着Al2O3介质层厚度的增加,器件的栅控能力逐渐减弱,但是其栅泄漏电流明显降低,击穿电压相应提高.通过分析认为薄的绝缘层能够提供大的栅电容,因此其阈值电压较小,但是绝缘性能较差,并不能很好地抑制栅电流的泄漏;其次随着介质厚度的增加,可以对栅极施加更高的正偏压,因此获得了更高的最大饱和电流.另外,对三种器件的C-V与跨导特性的深入分析证明了较厚的Al2O3层拥有更好的介质质量与钝化效果.; 毕志伟冯倩郝跃岳远征张忠芬毛维杨丽媛胡贵州; 关键词：AL2O3 钝化

GaN MOS-HEMT Using Ultrathin Al_2O_3 Dielectric with f_(max) of 30.8GHz被引量：1: 2007年; We report on a GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistor （MOS-HEMT） using atomic-layer deposited （ALD） A1203 as the gate dielectric. Through decreasing the thickness of the gate oxide to 3.5nm,a device with maximum transconductance of 130mS/mm is produced. The drain current of this 1/~m gate- length MOS-HEMT can reach 720mA/mm at ＋ 3.0V gate bias. The unity current gain cutoff frequency and maxi- mum frequency of oscillation are obtained as 10.1 and 30.8GHz,respectively.; 郝跃岳远征冯倩张进城马晓华倪金玉; 关键词：A1GAN/GAN

高K栅介质AlGaN/GaN MOS-HEMT器件研究: 本文研究了基于GaN及其三元合金AlGaN的AlxGa1-xN/GaN异质结材料系统和330-340nm紫外(UV)AlxGa1-xN/AlyGa1-yN，AlxGa1-xN/GaN多量子阱材料系统。分析了AlxGa1-...; 岳远征; 关键词：氧化物半导体高K栅介质多量子阱光致发光; 文献传递

MOS AlGaN/GaN HEMT研制与特性分析: 2008年; 研制出在蓝宝石衬底上制作的MOS AlGaN/GaN HEMT.器件栅长1μm,源漏间距4μm,采用电子束蒸发4nm的SiO2做栅介质.在4V栅压下器件饱和电流达到718mA/mm,最大跨导为172mS/mm,ft和fmax分别为8.1和15.3GHz.MOS HEMT栅反向泄漏电流与未做介质层的肖特基栅相比,在反偏10V时由2.1×10-6mA/mm减小到8.3×10-9mA/mm,栅漏电流减小2个数量级.MOS AlGaN/GaN HEMT采用薄的栅介质层,在保证减小栅泄漏电流的同时未引起器件跨导明显下降.; 王冲岳远征马晓华郝跃冯倩张进城; 关键词：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN 介质栅

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岳远征