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王长安

作品数:8 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇超导
  • 2篇钉扎
  • 2篇小颗粒
  • 2篇TEM研究
  • 2篇X
  • 1篇导体
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇散射
  • 1篇微观结构
  • 1篇卢瑟福
  • 1篇卢瑟福背散射
  • 1篇溅射
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶薄膜
  • 1篇高温超导
  • 1篇高温超导薄膜
  • 1篇背散射
  • 1篇TEM
  • 1篇YBCO

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇王长安
  • 3篇王瑞兰
  • 3篇李宏成
  • 2篇李林
  • 2篇冯国光
  • 2篇周玉清
  • 1篇朱沛然
  • 1篇江伟林
  • 1篇周俊思
  • 1篇翟永亮

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇第七次全国电...

年份

  • 1篇1994
  • 3篇1993
8 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
高温超导薄膜的生长,微观结构及物理特性研究
王长安
关键词:超导薄膜
C取向GdBa2Cu3O7-x膜中a、b取向小颗粒钉扎的TEM研究
C取向YBaCuO超导薄膜中已获得了高临界电流密度Jc=10A/cm。随着薄膜的应用,磁通钉扎的机理越来越为人们所重视。外加磁场在平行于YBaCuO的a—b平面时,a—b面会产生本征钉扎,形成高密度的临界电流密度,但垂直...
周维列周玉清王长安冯国光王瑞兰李宏成李林
文献传递
C取向GdBa_2Cu_3O_(7-x)膜中a、b取向小颗粒钉扎的TEM研究
1993年
C取向YBa2Cu3O7-x超导薄膜中已获得了高临界电流密度Jc=106A/cm2。随着薄膜的应用,磁通钉扎的机理越来越为人们所重视。外加磁场在平行于YBa2Cu3O7-x的a—b平面时,a—b面会产生本征钉扎,形成高密度的临界电流密度,但垂直于基片方向的高密度电流在应用中也是需要的。
周维列周玉清王长安冯国光王瑞兰李宏成李林
关键词:超导体钉扎TEM
直流磁控溅射YBCO非晶薄膜的卢瑟福背散射研究
1994年
利用直流磁控溅射(D.C.Magnetron Sputtering)法,选取总气压为80Pa,沉积时间为60min,溅射靶尺寸为φ80,在磁场强度、靶与基片之间的距离及Ar/O_2比等参数变化的情况下,制备了四组YBCO/Al_2O_3非晶薄膜样品。用MeV Li卢瑟福背散射(RBS)分析技术,测量了各块样品中Ba和Cu相对Y的含量和薄膜厚度随基片的横向分布。分析结果表明:在不同的沉积条件下,薄膜中各点的Ba和Cu相对浓度差别较大,薄膜厚度分布也不均匀。其中一组样品,在薄膜中心两侧约17mm的区间内,薄膜厚度近似相等(~0.13μm),而且Y,Ba,Cu比例接近1:2:3。
江伟林王瑞兰朱沛然王长安徐天冰李宏成翟永亮任孟眉周俊思
关键词:超导膜YBCO卢瑟福背散射溅射
共1页<1>
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