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吴兆

作品数:7 被引量:0H指数:0
供职机构:中山大学更多>>
发文基金:广东省科技计划工业攻关项目更多>>
相关领域:电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇铜铟硒
  • 3篇铜铟镓硒
  • 2篇电池
  • 2篇蒸汽压
  • 2篇石英管
  • 2篇太阳电池
  • 2篇硫化
  • 2篇硫化装置
  • 2篇隔壁
  • 2篇薄膜太阳电池
  • 2篇CIGS薄膜
  • 2篇CIGS薄膜...
  • 2篇CIS薄膜
  • 2篇衬底
  • 1篇铜铟硒薄膜
  • 1篇退火
  • 1篇钠钙玻璃
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备

机构

  • 7篇中山大学

作者

  • 7篇洪瑞江
  • 7篇吴兆

传媒

  • 1篇科技导报
  • 1篇2013广东...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2013
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
衬底温度对CIS薄膜的影响
本文通过单靶一步溅射再退火的办法在钠钙玻璃衬底与镀钼衬底上制备了铜铟硒(CIS)薄膜,通过优化工艺参数,获得了结晶性良好的CIS薄膜,在此基础上可进行下一步的Ga或Al元素的掺杂,重点分析研究了溅射沉积薄膜时衬底温度以及...
吴兆洪瑞江
关键词:半导体材料铜铟硒薄膜衬底温度
单靶溅射法制备CIS薄膜
2016年
通过单靶一步溅射再退火的方法,在钠钙玻璃及镀钼玻璃衬底上制备了铜铟硒(CIS)薄膜。通过优化工艺参数,获得了结晶性良好的CIS薄膜,分析了溅射沉积薄膜时衬底温度及不同退火温度对薄膜结晶性的影响。研究发现,衬底温度为150℃时,退火获得的CIS薄膜结晶性最好;不同的退火温度对Mo衬底上的CIS薄膜结晶性影响不大。结果表明,靶材的致密度对CIS薄膜性能有较大的影响,说明一步法制备CIS薄膜对靶材有较高的质量要求。
吴兆洪瑞江
关键词:铜铟硒磁控溅射退火
一种铜铟镓硒(硫)薄膜的硒化硫化装置及方法
本发明公开了一种于铜铟镓硒(硫)薄膜的硒化硫化装置,包括石英管、设置在石英管内的反应单元、设置在所述石英管外的加热结构、用于密封所述石英管的管口密封部;所述石英管上设置有与真空泵组连接的连接组件;所述反应单元包括坩埚,所...
洪瑞江吴兆
文献传递
CIGS薄膜太阳电池制备技术研究
铜铟镓硒(CIGS)化合物薄膜太阳电池具有低成本、可采用柔性基体、性能稳定、抗辐射能力强、吸收系数高、光电转换效率高等优点,无论是军事还是民用,都具有广阔的市场前景和巨大的需求背景。本文的研究目标是探索适用于高转换效率的...
吴兆张弘旭洪瑞江
文献传递
一种铜铟镓硒硫薄膜的硒化硫化装置及方法
本发明公开了一种于铜铟镓硒硫薄膜的硒化硫化装置,包括石英管、设置在石英管内的反应单元、设置在所述石英管外的加热结构、用于密封所述石英管的管口密封部;所述石英管上设置有与真空泵组连接的连接组件;所述反应单元包括坩埚,所述坩...
洪瑞江吴兆
文献传递
一种碱金属元素掺杂的铜铟镓硒吸收层薄膜的制备方法
本发明属于铜铟硒基薄膜太阳电池技术领域。具体公开碱金属元素掺杂的铜铟镓硒吸收层薄膜的制备方法,其具体步骤是:(1)首先,在钠钙玻璃衬底上制作氮化硅阻挡层;(2)然后,在上述衬底上沉积背接触Mo层;(3)在上述沉积的掺有碱...
洪瑞江吴兆
文献传递
CIGS薄膜太阳电池制备技术研究
吴兆张弘旭洪瑞江
共1页<1>
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