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樊冬冬

作品数：8 被引量：2H指数：1
供职机构：西南交通大学信息科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 3篇半导体
  • 3篇半导体技术
  • 2篇优值
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇漏电
  • 2篇结型
  • 2篇晶体管
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电场
  • 1篇电场分布
  • 1篇电阻
  • 1篇调制
  • 1篇调制系统
  • 1篇氧化槽
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结晶体管
  • 1篇载流子

机构

  • 8篇西南交通大学

作者

  • 8篇樊冬冬
  • 6篇汪志刚
  • 4篇杨大力
  • 3篇孙江
  • 3篇王冰
  • 1篇陈向东
  • 1篇王亚南
  • 1篇陈启武
  • 1篇于祥

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇今日电子

年份

  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
槽型SOi-LDMOS器件开关特性的研究
随着便携设备的兴起、全球能源需求量的不断增长，如何提高资源的有效利用率将变得越来越重要。由于SOI-LDMOS功率器件具有速度快、集成度高、功耗小等优点使得SOI-LDMOS器件越来越广泛的用于功率转换开关电路。而如何降...
樊冬冬
关键词：开关特性仿真验证
文献传递
一种电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管被引量：1
2017年
提出了一种性能优良的电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管(CSTBT)。结合电场调制原理,在器件的载流子存储(CS)层引入P掺杂条,改善器件栅极下方氧化硅拐角处的电场分布,防止器件提前发生雪崩击穿,提高了器件的击穿电压。器件处于关断状态时,内部大量的空穴载流子通过CS层中未完全耗尽的P掺杂条到达发射极,抑制了CS层阻挡空穴的作用,有效提高了器件的关断速度。与传统CSTBT器件相比,改进器件的击穿电压值提高了379V,关断时间缩短了19.1%,器件性能大幅提高。
杨大力汪志刚樊冬冬
关键词：电场分布击穿电压关断时间
一种高性能快速关断型槽栅MOS器件被引量：1
2017年
提出了一种高性能快速关断型槽栅MOS器件.与常规型器件相比,这种新型器件在氧化槽内引入了两个垂直场板,这不仅使得器件在漂移区内引入了两个新的电场峰值,增大了器件的击穿电压BV,而且使得器件垂直漏场板周围形成了一层浓度更大的积累层,降低了导通电阻.故提高了器件的巴利加优值FOM.由于这种新型器件纵向栅、漏场板之间存在的垂直场板使得影响器件开关速度的栅漏电容值部分转化为器件的栅源电容以及漏源电容.结果分析表明:氧化槽宽度为1.7μm、漂移区浓度为2.3×1015cm-3时这个新型器件巴利加优值FOM提升了84.8%,栅漏电荷Q_(GD)提升了26.8%.
樊冬冬汪志刚
关键词：氧化槽
基于FPGA和DDS的FSK调制系统的设计
2016年
引言数字信号处理是频率合成技术的理论基础,它能把一系列数字信号通过DAC数模转换器转换成模拟信号输出。频率合成技术也广泛应用于各种通信领域。目前常用的频率合成技术有锁相频率合成技术、直接频率合成技术,以及直接数字频率合成DDS（Direct Digital SynthesiZer）技术。随着数字技术的迅猛发展,许多应用领域不再仅仅满足于单一固定频率,而是需要一定频率范围内稳定度更高的灵活可调频率信号。
樊冬冬杨大力陈启武于祥
关键词：调制系统频率合成技术FSKDDS直接数字频率合成
一种高压异质结晶体管
本发明涉及半导体技术，特别是涉及一种高压异质结晶体管。该本发明在传统横向异质结晶体管器件结构的基础上，在器件外延层中部分区间掺杂N型结构以及在硅基衬底层中部分区间掺杂P型耗尽结构，该P型掺杂区以及N型掺杂区的引入使得衬底...
汪志刚王冰孙江樊冬冬杨大力王亚南
文献传递
一种双向触发异质结型ESD防护器件
本发明涉及半导体技术，特别涉及及一种双向触发的异质结型ESD防护器件。本发明的双向触发的ESD器件，主要采用第二类半导体和第三类半导体形成异质结，并在欧姆接触附近连接设置有金半接触，通过控制金半接触正下方的沟道二维电子气...
汪志刚陈协助孙江樊冬冬王冰
文献传递
一种快速关断沟槽型SOI LDMOS器件
2017年
围绕降低沟槽型SOI LDMOS功率器件的优值,提出了一种新型多栅沟槽SOI LDMOS器件(MG-TMOS)。与常规沟槽型SOI LDMOS(C-TMOS)器件相比,新型MG-TMOS器件在不牺牲击穿电压的同时,降低了器件开关切换时充放电的栅漏电荷和器件的比导通电阻。这是因为:1)新型MG-TMOS器件沟槽里的保护栅将器件的栅漏电容转换为器件的栅源电容和漏源电容,大幅度降低了器件的栅漏电荷;2)保护栅偏置电压的存在使得器件导通时会在沟槽底部形成一层低阻积累层,从而降低器件的导通电阻。仿真结果表明:该新型沟槽型SOI LDMOS器件的优值从常规器件的503.4mΩ·nC下降到406.6mΩ·nC,实现了器件的快速关断。
樊冬冬汪志刚杨大力陈向东
关键词：LDMOS比导通电阻优值
一种双向触发异质结型ESD防护器件
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种双向触发的异质结型ESD防护器件。本发明的双向触发的ESD器件，主要采用第二类半导体和第三类半导体形成异质结，并在欧姆接触附近连接设置有金半接触，通过控制金半接触正下方的沟道二维电子气耗...
汪志刚陈协助孙江樊冬冬王冰
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