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离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究: 1990年; 本文用4.2MeV ~7Li离子卢瑟福背散射沟道技术研究了Si上外延GaAs膜在MeV Si离子注入及红外瞬态退火后的再生长过程。实验表明,离子注入可使GaAs外延膜内形成一无序网络,当注入剂量低于某一阈值时,850℃,15秒退火后,损伤区可完全再结晶,再结晶后的GaAs层的晶体质量特别在界面区有很大的改善;当剂量超过该阈值时,出现部分再结晶。激光Raman实验也表明,经过处理后的GaAs层Raman谱TO/LO声子的比率比原生长的样品有很大的降低。; 肖光明殷士端张敬平范缇文刘家瑞丁爱菊周均铭朱沛然; 关键词：离子注入退火 GAAS/SI 晶体

GaAs/Si外延层的TEM研究: ＜正＞外延生长半导体材料中的微缺陷对其性能及应用有着关键性的影响,为此微观缺陷的研究的必要性就显得更突出了。而透射电子显微学恰是进行微缺陷研究的重要手段。本工作就Si衬底上外延生长Ga As开展研究。实验样品有两类:（...; 邹进都安彦冯国光丁爱菊侯宏启黄琦周均铭

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丁爱菊