邱文彪
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：福州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法
- 本发明涉及一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法，所示阻变存储器包括：一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与衬底形成良好电接触；一阻变介质层，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述阻变介质层设置于...
- 赖云锋曾泽村邱文彪程树英林培杰俞金玲周海芳郑巧
- 文献传递
- 一种忆阻器及增强其电子突触功能的方法
- 本发明涉及一种忆阻器及增强其电子突触功能的方法，该忆阻器包括：一衬底；一第一端电极，设置于衬底上；一经等离子处理的氧化物介质，设置于所述第一端电极的右侧或上方；一第二端电极，若所述氧化物介质设置于所述第一端电极的右侧，则...
- 赖云锋陈凡邱文彪程树英林培杰俞金玲周海芳
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- 一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法
- 本发明涉及一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法，所示阻变存储器包括：一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与衬底形成良好电接触；一阻变介质层，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述阻变介质层设置于...
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- 一种忆阻器及增强其电子突触功能的方法
- 本发明涉及一种忆阻器及增强其电子突触功能的方法，该忆阻器包括：一衬底；一第一端电极，设置于衬底上；一经等离子处理的氧化物介质，设置于所述第一端电极的右侧或上方；一第二端电极，若所述氧化物介质设置于所述第一端电极的右侧，则...
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- 氧化锌纳米线的电阻渐变特性及其突触仿生的应用研究
- 忆阻器是一种新型电子元件,可作为存储器使用。另外,在适当的电激励下,忆阻器还具有电阻渐变特性。该特性可用于模拟生物突触的权重变化,实现类脑计算,有望弥补传统冯·诺依曼计算构架在决策、模式识别等模拟运算方面的不足。采用一维...
- 邱文彪
- 关键词：氧化锌纳米线
- 溅射法制备透明HfO_x薄膜及其阻变特性研究
- 2016年
- 采用溅射法制备的非晶结构HfO_x薄膜,其平均透射率超过80%,禁带宽度约为5.73 eV。以此制备的ITO/HfO_x/Ti阻变存储器,表现出稳定且可重复的双极性电阻开关行为,同时,常温下具有卓越的数据保持特性及良好的耐擦写特性。研究发现,ITO/HfO_x/Ti阻变存储器的低阻态电荷输运机制为欧姆传导机制,而高阻态下则以空间电荷限制电流机制(SCLC)为主导。
- 曾泽村邱文彪赖云锋
- 关键词：溅射法氧化铪
- 一种低功耗氧化物线状忆阻器及实现其突触功能的方法
- 本发明涉及一种低功耗氧化物线状忆阻器及实现其电子突触功能的方法，该氧化物线状忆阻器包括：衬底；第一端电极，设置于衬底上，并与衬底形成良好电接触；氧化物线状介质，设置于第一端电极旁侧；第二端电极，对应设置于氧化物线状介质旁...
- 赖云锋邱文彪陈凡程树英林培杰俞金玲周海芳
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