郑同场
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：厦门大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 一种具有界面激子的窄带光电探测器及其制作方法
- 本发明公开了一种具有界面激子的窄带光电探测器及其制作方法，本发明提出的具有窄带光谱响应的光电探测器基于半导体激子源层材料中的激子效应，光电探测器中的半导体激子源层与两个独立的电极中至少有一个存在界面势垒，从而形成界面激子...
- 蔡端俊刘国振郭斌沈鹏蔡叶杭郑同场许飞雅
- 文献传递
- 高Al组分AlGaN半导体中的Mg杂质工程
- AlGaN半导体是制备紫外光电器件的理想材料，其深紫外光源器件在照明、杀菌消毒、环境净化、以及高密度光学数据存贮等方面有着重大的应用价值和广阔的市场前景。不过，由于高Al组分AlGaN半导体的p型掺杂困难和发光偏振性因价...
- 郑同场
- 关键词：半导体材料
- Mg杂质调控高Al组分AlGaN光学偏振特性
- 2016年
- 高Al组分(即原子分数)AlGaN带边发光以e光为主的发光特性,从根本上限制了沿c面生长器件的正面出光,成为光电器件发光效率急剧下降的主要原因.第一性原理模拟计算表明,AlxGa1-xN混晶的晶格常数比c/a偏离理想值程度随Al组分的增大而增大,导致晶体场分裂能Δcr从GaN的40meV逐渐减小;当组分达到0.5时呈现0值,Al组分继续提升,Δcr进一步下降,价带顶排列顺序翻转,直至AlN达到最低值-197meV.通过Mg掺杂应变AlGaN量子结构能带工程调控高Al组分AlGaN的价带结构,反转价带顶能带排序,实现光发射o光占主导,从根本上克服高Al组分AlGaN发光器件正面出光难的问题.
- 郑同场林伟蔡端俊李金钗李书平康俊勇
- 高Al组分AlGaN结构材料及其深紫外器件应用
- 高Al组分AlGaN氮化物结构材料能隙宽至6.2 eV,可覆盖至210 nm的深紫外波长范围,具有波长易调控、耐高温、调制频率高、噪声低等诸多独特的优点,是制备短波长半导体发光和探测器件不可替代的材料体系,无论在民用和军...
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