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朱斌

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇退火
  • 1篇退火行为
  • 1篇N
  • 1篇N-

机构

  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 1篇李立本
  • 1篇蔡培新
  • 1篇顾为芳
  • 1篇许学敏
  • 1篇谭淞生
  • 1篇阙端麟
  • 1篇施天生
  • 1篇朱斌

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1991
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
含氮CZ-Si中N-N对的退火行为
1991年
我们发现含氮CZ-Si单晶中N-N对具有独特的等时退火行为,可划分成如下三个阶段:在400—600℃温区,N-N对的等时退火行为是不可逆的,而600—800℃温区是可逆的,大于800℃氮开始产生沉淀.我们还发现450℃预处理可加速在高温时氮的沉淀速率.本文对上述实验结果给予详细的讨论.
祁明维谭淞生朱斌蔡培新顾为芳许学敏施天生阙端麟李立本
关键词：退火
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共1页<1>
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