您的位置： 专家智库 > >

姚尧

作品数：2 被引量：5H指数：2
供职机构：江南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体化学...
  • 1篇电池
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结太阳电...
  • 1篇太阳电池
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电氧化...
  • 1篇透明导电氧化...
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇功函数
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇放电
  • 1篇P型
  • 1篇SINX
  • 1篇表面钝化

机构

  • 2篇江南大学

作者

  • 2篇肖少庆
  • 2篇姚尧
  • 2篇顾晓峰
  • 1篇周晶晶
  • 1篇刘晶晶

传媒

  • 2篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2016
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
基于先进等离子体的低温钝化氮化硅薄膜的研究被引量：2
2016年
本文利用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体(ICP)化学气相沉积技术,在低温(100℃)下采用硅烷(Si H_4)、氮气(N_2)和氢气(H_2)作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜(Si Nx∶H),并通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的键结构、键密度、氢含量以及化学组成进行表征。采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型晶硅表面的钝化效果。结果表明,氮硅原子比为0.4的Si N0.4∶H薄膜具有最高的氢含量,高达29%,而且其钝化效果最好。最高少子寿命达到251μs,表面复合速率降低至85 cm/s,Suns-Voc测到的提示开路电压达到652 m V。
周晶晶肖少庆姚尧顾晓峰
关键词：SINX等离子体化学气相沉积表面钝化
利用AFORS-HET对P型HIT太阳电池的模拟优化被引量：3
2016年
运用模拟软件AFORS-HET对TCO/a-Si∶H(n)/a-Si∶H(i)/c-Si(p)/Ag结构的异质结(HIT)太阳电池进行仿真,分析其光伏输出特性随发射层掺杂浓度、晶硅衬底掺杂浓度、透明导电氧化物薄膜(TCO)的选择以及TCO功函数的变化规律。结果显示,当发射层掺杂浓度大于1.0×1020cm^(-3),晶硅衬底掺杂浓度大于1.2×10^(16)cm^(-3),以ZnO为TCO层且Zn O的功函数低于4.4 e V时,电池的开路电压、短路电流密度、填充因子及电池转换效率达到最优值,光电转换效率最高达到19.18%。
姚尧肖少庆刘晶晶顾晓峰
关键词：异质结太阳电池透明导电氧化物薄膜功函数
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0