刘杨
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信机械工程更多>>
- 一种基于40 nm CMOS工艺的40 Gbit/s低噪声跨阻放大器
- 2020年
- 采用40 nm CMOS工艺,设计了一个工作在40 Gbit/s数据速率的高速低噪声跨阻放大器(TIA)。为了同时兼顾噪声和带宽性能,创造性提出了一种多级串联跨阻放大器结构。输入级采用基于反相器结构的伪差分跨阻放大器,通过增加反馈电阻来减小输入电流噪声,第二级的前向运放用来抑制后级均衡器的噪声,第三级用连续时间线性均衡器(CTLE)对前级不足的带宽进行补偿,后面的三级限幅放大器(LA)对电压信号进一步放大。限幅放大器利用并联电感峰化技术和负跨导技术来提高带宽和增益。最终,信号由输出驱动器(OD)输出到片外,输出驱动器采用T-COIL技术。仿真结果表明,整条链路可以实现84 dBΩ和63 dBΩ的跨阻增益,带宽分别为31 GHz和34 GHz,输入电流积分噪声(rms)为1.75μA。
- 刘杨祁楠刘力源刘力源吴南健
- 关键词：限幅放大器
- 基于浓硼扩散层的硅纳米线谐振子制备
- 2016年
- 纳机电系统(NMES)由于具有体积小、智能化、可靠性高等优点而被广泛研究。其中纳米线谐振子的本征频率能够达到MHz甚至GHz,可应用于各种高性能的质量传感器、谐振器、滤波器等。但是,要制备形貌规则可控的纳米线谐振子,对加工技术要求很高。目前急需一种工艺简单、重复性好、三维尺度可控的硅纳米线制备方法。本文重点研究了基于浓硼扩散层的可集成硅纳米线谐振子的制备方法。该方法采用电子束光刻定义可控尺度硅纳米线,并利用TMAH腐蚀自停止效应实现谐振子的释放。文中还采用SEM对所制备的纳米线谐振子进行了表征。实验结果表明,基于浓硼扩散层制备的硅纳米线谐振子形貌规则,结构可控可调。该方法能够实现可控制的大面积、高产率、低成本、可集成的硅纳米线谐振子制备。
- 刘杨张明亮季安王晓东杨富华
- 关键词：硅纳米线谐振子
- 高频谐振子的谐振频率及品质因子快速测量
- 一种基于AFM的高频谐振子的谐振频率和/或品质因子测量方法，包括：将谐振子器件放于压电陶瓷上，将激励信号加到压电陶瓷上；将压电陶瓷及谐振子器件放于AFM样品台上，扫描谐振子以确定探针在器件表面位置，然后将探针精确定位于谐...
- 刘杨张明亮王晓东杨富华
- 文献传递
- 锑化物二类超晶格热电材料:能带结构、热电性能、制备与测试
- 2016年
- 热电器件由于结构简单、可靠性好、无污染等优点,在微电子、能源等领域具有广泛的应用。探索具有高热电优值(ZT)的新材料是近些年来的研究热点。超晶格材料由于独特的量子限制效应和声子界面散射,ZT值比块体材料大幅度提高。而锑化物二类超晶格与传统超晶格不同,其禁带呈错开状,由此又可以带来热电性能新的变化。阐述了锑化物二类超晶格的能带结构以及能够获得高ZT值的优势,介绍了其热电机理和研究进展,以及当前该类超晶格的制备工艺和测试方法。
- 邓凌霄王晓东刘杨张明亮杨富华
- 关键词：锑化物热电材料
