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基于ZnO:In纳米棒阵列的X射线闪烁转换屏制备与性能研究: 2020年; 为了满足高能物理和核物理领域在探究一些超快物理事件时,对兼顾高时间和高空间分辨的X射线闪烁转换屏的迫切需求,本文利用磁控溅射和水热反应法制备了ZnO:In纳米棒阵列X射线闪烁转换屏,并对其进行氢气氛下的等离子处理优化其闪烁发光性能.X射线激发发射谱显示ZnO:In纳米棒阵列具有395 nm的紫外发光和450-750 nm的可见发光两个发光峰,同时表明氢气氛等离子体处理可显著增强ZnO:In纳米棒阵列的紫外发光,抑制其可见发光.发光衰减时间测量表明,ZnO:In纳米棒阵列紫外发光衰减时间在亚纳秒级,其可见发光衰减时间在纳秒级,两者均可满足高时间分辨的X射线探测需求.在上海同步辐射光源的X射线空间分辨率测试表明,在能量为20 keV的X射线光束辐照下,厚度为12μm的ZnO:In纳米棒阵列作为X射线闪烁转换屏可达到1.5μm的系统空间分辨率.本研究表明利用ZnO:In纳米棒阵列作为X射线闪烁转换屏是实现兼顾高时间和高空间分辨的X射线探测与成像的一种可行方案.; 李乾利胡亚华马逸凡孙志祥王敏刘小林赵景泰张志军; 关键词：高空间分辨率

ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用: 本发明涉及一种ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用，本发明利用射频反应磁控溅射在基片上制备ZnO种子层薄膜，然后利用低温水热法在基片上形成ZnO:Ga单晶纳米棒阵列，再通过氢气退火处理制得ZnO:...; 刘小林李乾利顾牡张娟楠黄世明刘思胡亚华李锋锐; 文献传递

Lu_2O_3:Eu^(3+)纳米荧光粉的制备和发光性能被引量：1: 2017年; 用X射线衍射谱(XRD)、扫描电镜(SEM)、能量色散X射线谱(EDX)、光致发光谱(PL)和X射线激发发射谱(XEL)对制备的Lu_2O_3:Eu^(3+)纳米粉末的晶体结构、形貌和光谱进行表征.结果表明:采用溶胶-凝胶法制备的粉末颗粒为Eu^(3+)离子掺杂的立方相Lu_2O_3多晶结构;在紫外区的两个吸收峰对应于Lu_2O_3晶格的基质吸收和O2-的2p轨道到Eu^(3+)的4f轨道跃迁的电荷迁移吸收(CTB);在254nm紫外光和X射线激发下,Lu_2O_3:Eu^(3+)纳米粉末的最强发射峰都位于612nm,归属于Eu^(3+)离子的5 D0→7F2跃迁.; 胡亚华郏曦莹沈春娥柯成吉; 关键词：纳米荧光粉溶胶-凝胶

Lu2Si2O7∶Ce纳米晶的溶胶-凝胶法合成和闪烁性能被引量：1: 2020年; 采用溶胶-凝胶法制备了Lu2Si2O7∶Ce纳米晶,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪、X射线激发发射谱仪对制备的Lu2Si2O7∶Ce纳米晶的晶相结构、微观形貌和光学性能进行了表征。结果表明,溶胶-凝胶法制备的Lu2Si2O7∶Ce前驱体在煅烧温度为1000℃时开始晶化,晶粒尺寸随着煅烧温度的升高而变大,1200℃煅烧2 h后的晶体颗粒均匀,分散性最优,平均晶粒尺寸约为28.9 nm,呈近球形;Lu2Si2O7∶Ce纳米晶的紫外吸收谱存在峰位分别为304 nm和350 nm两个吸收峰,源自于Ce^3+离子的4f→5d跃迁;光致发射谱和X射线激发发射谱都表现为典型的非对称双峰结构,归属于Ce^3+离子的5d^1→2F5/2和5d^1→2F7/2跃迁,Ce^3+离子的最佳掺杂浓度约为1%;荧光衰减时间约为37.2 ns,可满足高时间分辨X射线探测需要。; 李乾利胡亚华马玉彬黄世明顾牡张志军赵景泰; 关键词：溶胶-凝胶法荧光光谱 X射线探测

ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用: 本发明涉及一种ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用，本发明利用射频反应磁控溅射在基片上制备ZnO种子层薄膜，然后利用低温水热法在基片上形成ZnO:Ga单晶纳米棒阵列，再通过氢气退火处理制得ZnO:...; 刘小林李乾利顾牡张娟楠黄世明刘思胡亚华李锋锐

单分散Li3PO4纳米晶的制备及性能: 2018年; 采用油相法制备了单分散性好的Li_3PO_4纳米晶,通过X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和荧光光谱仪(PL)对样品的形貌、结构和光学特性进行表征。结果表明:油酸与油胺的摩尔比为1∶1时,可以获得分散性好、粒径均一、尺寸为6nm的单斜相Li_3PO_4纳米晶;位于1545cm^(-1)和1448cm^(-1)处-COO-基非对称和对称伸缩振动吸收峰说明样品表面的有机物是通过羧基的氧原子以双齿模式与锂离子配位包覆;在380～625nm处的宽带发射峰为纳米晶表面有机物包覆形成的界面态宽带发射峰。; 赵舒宁黄世明胡亚华顾牡刘小林刘波张娟楠; 关键词：纳米晶界面态

CuBrxI1-x闪烁薄膜的制备和发光性能: 2019年; 为了系统地研究Br的引入对CuBrxI1-x薄膜发光强度和衰减时间的影响,通过气相沉积法在Si片上制备了CuBrxI1-x(0≤x≤1)闪烁薄膜,并测试了薄膜的发光性能和衰减曲线。结果表明,所制备的样品具有良好的CuBrxI1-x(0≤x≤1)固溶体结晶性;相对于长波段的深能级发射,CuBrxI1-x薄膜均表现出较强的光致和X射线激发近带边发射,且发射强度随Br含量的增加而大幅增加,有利于提高闪烁器件的探测效率;不过薄膜的发光衰减时间会随Br含量的增加而变慢(40~300 ps)。本研究工作对于通过选择合适组分的CuBrxI1-x闪烁材料以平衡探测效率和时间响应的测量需求具有重要意义。; 李锋锐顾牡岳双强刘小林胡亚华李乾利张娟楠黄世明刘波倪晨; 关键词：发光强度

Lu2O3纳米线阵列的超声辅助溶胶–凝胶模板法制备与表征被引量：1: 2016年; 采用超声辅助的溶胶–凝胶阳极氧化铝(AAO)模板法制备Lu_2O_3纳米线阵列。通过X射线衍射谱(XRD)、能量色散X射线谱(EDX)、扫描以及透射电镜(SEM及TEM)对纳米线阵列的晶体结构和形貌进行表征。结果显示:Lu_2O_3纳米线阵列的晶相呈纯立方相Lu_2O_3多晶结构;纳米线形貌完整、取向一致、粗细均匀,直径约200 nm。与简单浸泡法相比,采用的超声辅助技术可有效提高Lu_2O_3在AAO孔道内的填充度,填充度接近100%。该方法具有工艺简单、成本低廉、填充度高、重复性好等特点,不仅可实现大面积Lu_2O_3纳米线阵列的制备,而且还可推广到其他材料的纳米线阵列制备。; 胡亚华顾牡张致远刘小林黄世明刘波张娟楠; 关键词：超声辅助 AAO模板

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胡亚华