范世马岂
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子陶瓷与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省教育厅资助项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- GaN体单晶生长研究进展被引量：1
- 2017年
- 宽禁带GaN半导体器件以其优异的电学和光学特性,已成为目前半导体领域中的研究热点。以高质量GaN体单晶基片为衬底的同质外延生长,是发挥GaN半导体器件优异性能的关键。高质量GaN单晶基片的缺乏已成为当前制约GaN器件发展的瓶颈。本文从影响LED器件设计与制造的关键因素(衬底)分析,综述了近年来几种常见GaN体单晶生长方法,并对它们的发展前景做出了展望。
- 周明斌李振荣范世马岂徐卓熊志华
- 关键词：GAN
- Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3晶体生长与性能表征
- 采用助熔剂坩埚下降法生长出最大尺寸为20×20×35mm3的Pb(In
- 宋克鑫李振荣范世马岂徐卓
- 关键词：坩埚下降法晶体生长性能表征
- 文献传递
- 7MPa氮压下Na助熔剂法生长GaN晶体的研究被引量：4
- 2013年
- 采用Na助熔剂法在7 MPa氮压下并引入较大温度梯度(20～70℃/cm),获得了大量毫米级的GaN晶体,GaN晶体产率高达70%以上。光学及SEM照片显示其晶形大部分为六方锥体。晶体粉末衍射分析表明,生成的GaN单晶具有六方纤锌矿结构,与标准卡片符合得很好,而单晶衍射图谱中出现(101-1)的衍射峰,说明GaN单晶锥面为{101-1},其(101-1)面的摇摆曲线的半高宽仅为4.4 arcsec,室温下采用He-Cd 325 nm激光器激发的GaN单晶的PL谱,最高峰位于标准GaN材料的365 nm处,峰的半高宽为13.5 nm,生长的GaN单晶完整性较高。
- 周明斌李振荣范世马岂徐卓
- 关键词：温度梯度
- 引入温度梯度的高压Na助熔剂法生长GaN晶体的研究
- 高压Na助熔剂法通过引入较大温度梯度(40～70℃/cm),获得了大量的尺寸为1-3mm的GaN晶体.研究的不同的高氮压对GaN晶体产率的影响.在氮压为7MPa条件下,GaN晶体的产率达到80％以上.
- 周明斌李振荣范世马岂徐卓
- Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3晶体生长与性能表征
- 采用助熔剂坩埚下降法生长出最大尺寸为20×20×35mm3 的Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3(PIN-PT)二元单晶,晶体外形呈现出自然生长面.XRD分析表明,该晶体具有纯钙钛矿相结构;利用电子探针显微分...
- 宋克鑫李振荣范世马岂徐卓
- 关键词：坩埚下降法晶体生长性能表征
