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文献类型

  • 1篇国内会议论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇英寸
  • 1篇PI
  • 1篇N-

机构

  • 1篇西安交通大学

作者

  • 1篇车俊
  • 1篇姚熹
  • 1篇李振荣
  • 1篇徐卓
  • 1篇王领航
  • 1篇李飞
  • 1篇万玉慧

传媒

  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2012
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
3英寸PIN-PMN-PT单晶的生长及介电压电性能研究
采用籽晶诱导的坩埚下降法研究了3英寸PIN-PMN-PT弛豫铁电单晶的生长工艺。搭建了适于生长3英寸弛豫铁电单晶的单晶生长炉,获得了理想的炉温温场分布。通过优化单晶生长工艺参数,成功生长出具有[110]取向长度为80mm...
李振荣徐卓车俊万玉慧李飞王领航范世(马岂)姚熹
文献传递
共1页<1>
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