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张智宏

作品数：27 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 19篇单晶
  • 8篇铜箔
  • 8篇气相沉积
  • 8篇化学气相
  • 8篇化学气相沉积
  • 8篇常压化学气相...
  • 7篇多晶
  • 7篇石墨
  • 7篇石墨烯
  • 6篇单晶铜
  • 6篇成核
  • 5篇氧化物
  • 5篇退火
  • 5篇退火工艺
  • 5篇基底
  • 5篇表面处理
  • 4篇单晶薄膜
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化镓
  • 4篇氮化镓薄膜

机构

  • 27篇北京大学

作者

  • 27篇刘开辉
  • 27篇张智宏
  • 16篇俞大鹏
  • 16篇王恩哥
  • 4篇沈波
  • 4篇许福军
  • 4篇唐宁
  • 4篇杨学林
  • 4篇王新强
  • 4篇张洁
  • 4篇冯玉霞
  • 2篇张志斌

年份

  • 2篇2021
  • 5篇2020
  • 4篇2019
  • 7篇2018
  • 3篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2015
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
大尺寸Cu(100)单晶铜箔的制备方法
本发明提供了一种大尺寸Cu(100)单晶铜箔的制备方法。所述方法为用掺杂金属元素的多晶铜箔作为原料，利用特殊退火工艺制备出超大尺寸单晶Cu(100)。本发明提出的方法，解决了单晶Cu(100)价格昂贵的问题，通过非常简单...
张智宏徐小志刘开辉
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一种基于单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法
本发明提供了一种基于单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法。所述方法为用单晶铜为外延基底，在其上外延生长金属，获得单晶金属薄膜。所述金属包括但不限于金、银、铜、铂、钯、钨、铁、铬、钴、镍。本发明提出的方法，解决了单晶金属...
刘开辉张智宏王恩哥俞大鹏
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一种氧化物衬底辅助的快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法
本发明提供了一种氧化物衬底辅助的快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法，涉及单晶石墨烯的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用氧化物作为衬底与金属箔片紧密接触，然后利用常压化学气相沉积法，快速获得大尺寸高质量单...
徐小志张智宏刘开辉
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一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法
本发明公开了一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：在Si(100)衬底上形成非晶SiO<Sub>2</Sub>层；将单晶石墨烯转移至Si(100)/SiO<Sub>2</Sub>衬底上；对单晶石墨烯表...
杨学林沈波冯玉霞张智宏刘开辉张洁许福军王新强唐宁
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一种快速连续制备超大单晶薄膜的方法及装置
本发明提供了一种快速连续制备超大单晶薄膜的方法及装置，涉及超大单晶薄膜的制备方法。所述方法为将原材料(如金属箔片)或所需耐高温衬底放在耐高温隔离支架中，置于局部高温加热体上，然后利用常压化学或物理气相沉积法，采用局部高温...
吴慕鸿张智宏徐小志俞大鹏王恩哥刘开辉
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一种大尺寸单晶铜箔的制备方法
本发明提供了一种大尺寸单晶铜箔的制备方法。所述方法为多晶铜箔作为原料，一端剪成尖端，利用特殊退火工艺制备出大尺寸单晶铜箔。本发明提出的方法，解决了单晶铜箔价格昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了大尺寸单晶铜箔的制备。
徐小志张智宏吴慕鸿俞大鹏王恩哥刘开辉
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一种氧化物衬底辅助的快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法
本发明提供了一种氧化物衬底辅助的快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法，涉及单晶石墨烯的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用氧化物作为衬底与金属箔片紧密接触，然后利用常压化学气相沉积法，快速获得大尺寸高质量单...
徐小志张智宏刘开辉
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超大尺寸多层单晶石墨烯和大尺寸单晶铜镍合金的制备方法
本发明提供了一种超大尺寸多层单晶石墨烯和大尺寸单晶铜镍合金的制备方法。所述方法为用镀镍的单晶铜箔作为原料，利用退火制备出超大尺寸单晶铜镍合金，然后利用常压化学气相沉积法，以单晶铜镍合金为衬底获得超大尺寸高质量多层单晶石墨...
张智宏徐小志吴慕鸿俞大鹏王恩哥刘开辉
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一种大尺寸单晶铜箔的制备方法
本发明提供了一种大尺寸单晶铜箔的制备方法。所述方法为多晶铜箔作为原料，一端剪成尖端，利用特殊退火工艺制备出大尺寸单晶铜箔。本发明提出的方法，解决了单晶铜箔价格昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了大尺寸单晶铜箔的制备。
徐小志张智宏吴慕鸿俞大鹏王恩哥刘开辉
一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法
本发明公开了一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：将单晶石墨烯转移至多晶或非晶衬底上；对单晶石墨烯表面进行预处理，产生悬挂键；生长AlN成核层；外延生长氮化镓单晶薄膜。本发明利用可转移的单晶石墨烯为氮化物...
杨学林沈波冯玉霞张智宏刘开辉张洁许福军王新强唐宁
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