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张淑玮

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：上海大学更多>>
相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇非晶
  • 4篇非晶碳
  • 4篇掺杂
  • 2篇电极
  • 2篇电极结构
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇输运
  • 2篇输运特性
  • 2篇碳膜
  • 2篇探测器
  • 2篇平面电极
  • 2篇中子
  • 2篇中子探测
  • 2篇中子探测器
  • 2篇紫外探测
  • 2篇紫外探测器
  • 2篇巨磁阻
  • 2篇集成式
  • 2篇溅射

机构

  • 6篇上海大学

作者

  • 6篇任兵
  • 6篇王林军
  • 6篇张淑玮
  • 4篇黄健
  • 4篇汪琳
  • 4篇周家伟
  • 4篇杨瑾
  • 2篇张磊
  • 2篇吴白羽
  • 2篇胡艳
  • 2篇王宇彤
  • 2篇陈梦斐
  • 2篇季欢欢
  • 2篇张电

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层，所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层...
汪琳周家伟张电季欢欢杨瑾张淑玮任兵王林军
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基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺...
黄健张磊杨瑾陈梦斐张淑玮任兵王宇彤胡艳王林军
具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于衬底层上的下电极层、位于下电极层上的阻变层、位于阻变层上的上电极层，阻变层为在非晶碳膜中掺杂有Fe的a‑C/F...
汪琳张淑玮吴白羽周家伟任兵黄健王林军
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具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于衬底层上的下电极层、位于下电极层上的阻变层、位于阻变层上的上电极层，阻变层为在非晶碳膜中掺杂有Fe的a-C/F...
汪琳张淑玮吴白羽周家伟任兵黄健王林军
具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层，所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层...
汪琳周家伟张电季欢欢杨瑾张淑玮任兵王林军
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基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺...
黄健张磊杨瑾陈梦斐张淑玮任兵王宇彤胡艳王林军
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