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彭沛

作品数：37 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 17篇石墨
  • 15篇石墨烯
  • 10篇金属
  • 9篇纳电子学
  • 5篇光刻
  • 5篇光刻胶
  • 4篇电子束曝光
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米带
  • 4篇刻蚀
  • 4篇功函数
  • 4篇分子
  • 4篇存储器
  • 3篇电阻
  • 3篇无源
  • 3篇可集成
  • 3篇沟道
  • 3篇沟道电流
  • 3篇材料学
  • 3篇衬底

机构

  • 37篇北京大学

作者

  • 37篇任黎明
  • 37篇傅云义
  • 37篇彭沛
  • 32篇王紫东
  • 16篇贾越辉
  • 8篇龚欣
  • 2篇郭剑
  • 2篇张亮
  • 1篇张酣

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2022
  • 6篇2020
  • 7篇2019
  • 6篇2018
  • 5篇2017
  • 10篇2016
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于石墨烯无源热电偶的温度探测方法
本发明公开了一种基于石墨烯无源热电偶的微纳尺度温度探测方法，该测试方法基于石墨烯的赛贝克系数可以调节，用石墨烯一种材料，制备传统上需要两种材料才可以制备的热电偶器件，实现温度探测。本发明同时避免传统的利用外加电压调制石墨...
王锴成贾越辉王紫东彭沛任黎明傅云义
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一种石墨烯表面气体分子吸附过程的监测方法
本发明公开了一种石墨烯器件表面气体分子吸附过程的监测方法，该方法主要通过监测石墨烯器件的转移特性，尤其是狄拉克点位置，实时监控器件中石墨烯表面的气体吸附动态过程，即从清洁石墨烯表面至分子饱和吸附的全过程，并可较为精确地测...
贾越辉彭沛王紫东田仲政任黎明傅云义
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一种调控石墨烯场效应晶体管的M形电阻特性曲线方法
本发明提出了一种调控石墨烯场效应晶体管的M形电阻特性曲线方法，在电子电路、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明提出的石墨烯场效应晶体管器件结构：紧靠石墨烯沟道上方栅介质层有两种不同功函数的金属栅。这种结构的石墨烯场效应晶...
彭沛李慕禅田仲政于学敏任黎明傅云义
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一种纳米尺度缝隙的制备方法
本发明公开了一种纳米尺度缝隙的制备方法，该方法根据旋涂的光刻胶在凸起处较薄这一特点，依靠一层保护层，利用两次刻蚀，便可制备出宽度易于控制的纳米尺度缝隙。相对于一般基于电子束曝光技术或透射电镜技术来制备纳米尺度缝隙的方法，...
王紫东彭沛田仲政宋建宏任黎明傅云义
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一种直接在绝缘衬底表面制备石墨烯的方法
本发明提出一种可在绝缘衬底表面制备石墨烯的方法，在材料学、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明设计了一种堆叠的三明治结构，即缓冲层/吸收层‑金属箔片－目标衬底，提出利用此结构在化学气相沉积(CVD)过程中使石墨烯生长与转...
彭沛田仲政李慕禅王紫东于学敏任黎明傅云义
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一种实现器件在平行于衬底表面的外磁场下具有M型磁阻曲线的方法
本发明公开了一种在平行于衬底表面的外磁场下实现器件具有M型磁阻曲线的方法，属于微纳尺度器件技术领域。该方法通过改变二维沟道的形状来改变沟道电流流向，使沟道电流具有至少两种流向，从而得到不同取向的磁阻曲线相叠加而产生的多种...
李慕禅田仲政彭沛于学敏于达程任黎明傅云义
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一种基于热电效应的无线充电方法及装置
本发明公开了一种基于热电材料的无线充电方法及设备。该技术利用吸波材料对电磁波进行吸收，使吸收的电磁波能量转换为热能；选择合适的热电材料并将吸波材料紧贴在热电材料的一端，则热电材料中与吸波材料紧贴的一端的温度升高，并在该热...
王紫东彭沛田仲政任黎明傅云义
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一种制备二维纳米材料的微米带或纳米带的方法
本发明公开了一种二维纳米材料的微米带或纳米带的制备方法。该方法相对于传统工艺制备的二维纳米材料的微米带或纳米带，无需采用光刻工艺，从而避免了其对光刻水平的依赖，并且可改善由光刻法制备微米带或纳米带造成的边缘粗糙问题。另外...
王紫东傅云义贾越辉彭沛龚欣田仲政任黎明
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一种提高基于金属隧穿结的存储器耐久性的方法
本发明公布了一种提高基于金属隧穿结的存储器耐久性的方法，属于纳米/原子器件领域。本发明利用电流‑焦耳热可以修复隧穿电极尖端损伤、提高强度、增加隧穿结耐久性的原理，在金属隧穿结存储器的正常擦写循环中，插入修复循环，通过控制...
田仲政于达程任中阳田姣姣李慕禅于学敏彭沛王紫东任黎明傅云义
一种实现金属共面波导特征阻抗值增加的方法
本发明公开了一种金属共面波导特征阻抗值的增加方法。该方法通过在金属共面波导的信号线上覆盖二维材料，来实现对金属共面波导特征阻抗的增加。本发明在实现特征阻抗值增加的同时，不会增加导体的导体损耗。不同于一般通过调整结构参数来...
王紫东张亮彭沛田仲政李慕禅宋建宏任黎明傅云义
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