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面向片上光互连的无源H树网络设计: 2022年; 传统的片上电互连已无法满足多核处理系统日益增长的通信需求,在延迟、能耗和带宽方面更具优势的片上光互连逐渐引起关注。为了降低片上光网络(optical network-on-chip,ONoC)硬件开销和提升光网络性能,本文提出一种基于微环谐振器的16端口无源H树光互连网络。利用宽带微环谐振器设计4组转向光路由器,降低微环谐振器使用并完成端口选择,将信号传输到8端口接收光路由器以及3级和4级光开关来满足信号的无争用传输。实验结果表明,在16×16阵列规模下与Crossbar、λ-Router、GWOR、LACE、Light等无源网络结构相比,无源光H树网络仅需使用72个微环谐振器。网络平均插入损耗1.49 dB,与λ-Router、GWOR、TAONoC相比分别降低了21.5%、10.7%、59.7%,各路径平均信噪比为17.48 dB,与λ-Router、GWOR、Light相比分别提高了38.5%、36.0%、17.1%。; 黄锦扬蒋林张岩; 关键词：无源网络光路由器微环谐振器

不同价态Mn掺杂InN电子结构、磁学和光学性质的第一性原理研究被引量：2: 2018年; 采用密度泛函理论体系下的广义梯度近似GGA+U平面波超软赝势方法,在构建了纤锌矿结构的InN超胞及三种不同有序占位Mn^(2+),Mn^(3+)价态分别掺杂InN超胞模型,并进行几何优化的基础上,计算了掺杂前后体系的电子结构、能量以及光学性质.计算结果表明:Mn掺杂后体系总能量和形成能降低,稳定性增加,并在费米能级附近引入自旋极化杂质带,体系具有明显的自旋极化现象.掺杂不同价态的Mn元素对体系电子结构和磁学性质产生了不同的影响.电子结构和磁性分析表明掺杂体系的磁性来源于p-d交换机制和双交换机制的共同作用,Mn^(3+)价态掺杂有利于掺杂体系的居里温度达到室温以上.与未掺杂InN相比,不同价态Mn元素掺杂后体系的静态介电函数显著增大,掺杂体系介电函数虚部和吸收光谱在低能区域出现了较强的新峰,分析认为这些新峰主要来自与费米能级附近自旋极化杂质带相关的跃迁.; 徐大庆赵子涵李培咸王超张岩刘树林童军; 关键词：电子结构光学性质

空位缺陷及Mg替位对纤锌矿(Ga,Mn)N电子结构和磁光性能的影响被引量：1: 2016年; 采用自旋密度泛函理论框架下的广义梯度近似(GGA+U)平面波超软赝势方法,构建了未掺杂纤锌矿GaN超胞、三种不同有序占位Mn双掺GaN,(Mn,Mg)共掺杂GaN以及存在空位缺陷的Mn掺杂GaN超胞模型,分别对所有模型的能带结构、电子态密度、能量以及光学性质进行了计算.计算结果表明:与纯的GaN相比,Mn掺杂GaN体系的体积略有增大,掺杂体系居里温度能够达到室温以上;随着双掺杂Mn-Mn间距的增大,体系总能量和形成能升高、稳定性下降、掺杂越难;(Mn,Mg)共掺杂并不能有效增大掺杂体系磁矩,也不能达到提高掺杂体系居里温度的作用;Ga空位缺陷和N空位缺陷的存在不利于Mn掺杂GaN形成稳定的铁磁有序.此外,Mn离子的掺入在费米能级附近引入自旋极化杂质带,正是由于费米能级附近自旋极化杂质带中不同电子态间的跃迁,介电函数虚部在0.6868eV附近、光吸收谱在1.25eV附近分别出现了一个较强的新峰.; 徐大庆李培咸娄永乐岳改丽张超张岩刘宁庄杨波; 关键词：第一性原理电子结构磁光性能

基于创新型人才培养的“半导体物理”教学改革探索被引量：7: 2017年; 本文从"半导体物理"在微电子科学中的重要性和教学现状出发,结合"半导体物理"系统性和理论性较强、学科发展迅速的特点,对"半导体物理"教学内容、教学方法、教学手段和考核形式等方面进行了一些探索性的教学改革与实践,以期有效提高"半导体物理"教学效果,并为"半导体物理"教学质量的提升和创新型人才的培养提供新的思路和方法。; 徐大庆童军张岩; 关键词：半导体物理教学改革创新型人才

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张岩