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张栋梁

作品数：23 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 10篇电极
  • 7篇石墨
  • 7篇石墨烯
  • 6篇重掺杂
  • 6篇金属
  • 6篇金属电极
  • 6篇功率器件
  • 5篇源区
  • 4篇栅结构
  • 4篇栅介质
  • 4篇探测器
  • 4篇外延层
  • 3篇钝化
  • 3篇钝化层
  • 3篇外延片
  • 3篇介质
  • 3篇P-GAN
  • 3篇SIC
  • 2篇电容
  • 2篇电容器

机构

  • 23篇中国科学院
  • 2篇深圳大学
  • 2篇上海大学
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇于利希研究中...

作者

  • 23篇张栋梁
  • 21篇俞跃辉
  • 21篇郑理
  • 21篇程新红
  • 21篇沈玲燕
  • 20篇王谦
  • 7篇王中健
  • 7篇曹铎
  • 6篇李静杰
  • 2篇俞文杰
  • 2篇徐大伟
  • 2篇刘强
  • 1篇马忠权
  • 1篇刘强
  • 1篇刘畅
  • 1篇任伟

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇电子器件

年份

  • 3篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 8篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种MOS功率器件及其制备方法
本发明提供一种MOS功率器件及其制备方法，方法包括：提供一第一掺杂类型重掺杂的衬底，并于第一表面上形成第一掺杂类型轻掺杂的外延层；于外延层内形成阱区；于阱区内形成环绕JFET区的源区，并于环绕源区的阱区内形成保护区；于定...
程新红王谦郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
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一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法
本发明提供一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法，所述方法至少包括：1)提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面生长氧化物掩膜层；2)在所述SiC外延片待刻蚀区域的所述氧化物掩膜层表面形成光刻胶层；3)在所述氧...
程新红王谦李静杰郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
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基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法
本发明的基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法，将单层石墨烯转移到AlGaN表面，经过氟离子处理后绝缘，以此替代常规氮化物钝化层。然后在石墨烯上生长高k材料，两者共同作为栅介质，制备AlGaN/...
程新红沈玲燕王中健曹铎郑理王谦张栋梁李静杰俞跃辉
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沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法
本发明提供一种沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一衬底，于所述衬底的表面形成外延层；2）于所述外延层中刻蚀出环形沟槽；3）于所述环形沟槽内侧形成环形阱区，于所述环形阱区中形成源区和重掺杂区...
程新红王谦郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
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基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法
本发明提供一种基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法，制备包括：提供一重掺杂的衬底，并于衬底一表面上形成轻掺杂的外延层；于外延层内形成欧姆接触区；于外延层表面形成界面钝化层，并于界面钝化层表面形成栅结构，于结构表面形成...
程新红王谦李静杰郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
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杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响
2018年
为了探究MoS2(二硫化钼)薄膜吸附的杂质分子对载流子输运以及相关器件的电学性能造成的影响,制备了多层MoS2背栅场效应晶体管。实验结果表明:当MoS2器件的沟道暴露在空气中时,在不同的偏压条件和扫描条件下,器件表现出不同的回滞窗口和不同的亚阈值斜率。因此,只有减小了外界吸附分子的影响,才能获得具有稳定电学性能的MoS2器件,并确保迁移率、亚阈值斜率、开启电压等重要电学参数的可靠性。
蔡剑辉陈治西刘晨鹤张栋梁刘强俞文杰刘新科马忠权
基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法
本发明提供一种基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法，制备包括：提供一重掺杂的衬底，并于衬底一表面上形成轻掺杂的外延层；于外延层内形成欧姆接触区；于外延层表面形成界面钝化层，并于界面钝化层表面形成栅结构，于结构表面形成...
程新红王谦李静杰郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
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一种基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法
本发明提供一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法，包括：1)提供SOI衬底，包括顶层硅、底层硅以及埋氧层；2)刻蚀顶层硅的边缘区域；3)在顶层硅表面两侧沉积金属接触材料，再经退火形成金属硅化物作为源区接触层和漏...
郑理程新红宁志军徐大伟沈玲燕王谦张栋梁顾子悦俞跃辉
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SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法
本发明提供一种SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法，栅介质层的制备方法包括：提供一SiC基材，并将SiC基材置于ALD反应腔室中；将ALD反应腔室升温至适于后续所要形成的栅介质层生长的温度；采用ALD工艺于SiC...
程新红王谦郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
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介质钝化对GaN HEMT性能的影响
本文将生长在铜片上的石墨烯转移到AlGaN/GaN 异质结表面,氟化绝缘后,利用水基ALD石墨烯上生长high k 方法1,制备了以Al2O3 作为栅介质的氟化石墨烯绝缘栅介质高电子迁移率晶体管(FG-MIS HEMT)...
沈玲燕程新红王中健张栋梁郑理曹铎王谦李静杰俞跃辉
关键词：ALGAN/GAN石墨烯钝化层电流崩塌
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